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UNIVERSIDAD CATÓLICA DE SANTA MARÍA

FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERÍAS FÍSICAS Y


FORMALES
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA
ELECTRÓNICA

HOJA PORTADA PARA PRESENTACIÓN DE INFORMES

DATOS

ASIGNATURA: CIRCUITOS ELECTRONICOS II


SEMESTRE: VI
GUÍA N°: 1 FECHA: 30/10/2020
TÍTULO: AMPLIFICADOR CLASE D
DOCENTE: RONALD PERCING COAGUILA GOMEZ
INTEGRANTE(S): Jesus Rafael Ronquillo Mallea
Gustavo Jesus Quimper Llerena
Liam Alexander Siles Núñez
Brian Deis Gonzales Tapia

OBSERVACIONES:

NOTA:
RESUMEN

En el presente informe se detalla el proceso de diseño, construcción, pruebas y


optimización de un circuito digital secuencial asíncrono, empleando los conocimientos
teóricos y prácticos alcanzados durante el desarrollo del semestre. Se empieza con una
explicación sobre el funcionamiento del circuito apoyándose de un diagrama de bloques
el cual permitirá analizar de manera más práctica cada subfunción del circuito
secuencial.
A continuación, con ayuda de simuladores se comienza el diseño de las partes básicas
del circuito para que posteriormente sean comprobados con los componentes reales que
se usaran para implementarlo, por ello se hizo uso de instrumentos de visualización
electrónicos, como el osciloscopio para poder verificar la precisión y el correcto
funcionamiento del circuito.
Finalmente se presenta las pruebas pertinentes del funcionamiento del circuito en su
totalidad mediante imágenes tanto en el simulador como en la placa de pruebas o
también conocido como protoboard.

INTRODUCCIÓN

Hay tecnologías cuya aplicación se va ampliando con el paso del tiempo. En su origen,
la amplificación clase D no tuvo una gran difusión en las electrónicas de gama alta, pero
su excelente rendimiento, tanto en términos de tamaño como de consumo, ha hecho que
hoy en día veamos una mayor difusión de la que pensábamos hace unos años.
Todo comenzó en 1995 cuando tres amigos juntaron tres ingredientes en su cocina: el
amor por la música, la pasión por la tecnología y la curiosidad por la experimentación.
Luca Lastrucci, su hermano Claudio, y su amigo mutuo Antonio Peruch comenzaron
modificando amplificadores y a veces construirlos desde cero; tuvieron éxito en hacer lo
que otros habían tratado de hacer antes, pero con un éxito limitado, la fabricación de un
amplificador de clase D perfectamente operativo y estable para altos niveles de
potencia.
Hoy en día la compañía Powersoft es el líder mundial en la fabricación y desarrollo de
amplificadores livianos, de alta potencia, en un espacio de rack único y de bajo
consumo de energía para el mercado del audio profesional. Sus amplificadores de
última generación se pueden encontrar en una gran variedad de mercados, que van
desde los estadios, centros deportivos, parques temáticos, centros de espectáculos y
aeropuertos a centros de convenciones, iglesias, cines y clubes, y son utilizados por las
compañías de sonido para giras más importantes del mundo.
Dado que no son pocos los fabricantes que están empleando la clase D en sus más
recientes modelos, es interesante conocer en detalle las características de dicha
amplificación para conocer sus ventajas e inconvenientes respecto a las mucho más
frecuentes, clase A y clase AB.

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PROCEDIMIENTO

1. DESCRIPCIÓN
El proyecto consiste en diseñar e implementar un amplificador clase D de 200 Wrms,
este deberá poseer una eficiencia bastante cercana al 100%, y con una mínima distorsión
de sonido. Además, junto a este se le debe acompañar un preamplificador y un
ecualizador de un mínimo de 7 bandas basados en amplificadores operacionales.
2. DIAGRAMA DE BLOQUES
Para el amplificador Clase D tenemos:

Señal de
Entrada
Amplificador Señal de
Modulador Filtro Pasabajos
MOSFET Salida

Realimentación

Modulador: En este bloque encontramos la modulación por ancho de pulso también


conocido como PWM (pulse-width modulation), es un proceso en el que una señal de
entrada se transforma en una serie de pulsos con anchos que varían proporcionalmente a
la amplitud de dicha señal. En la figura 1 podemos observar que el ancho de pulso es
más grande cuando la amplitud es positiva y más angosto cuando la amplitud es
negativa.

Fig. 1. Onda senoidal modulada por ancho de pulso.

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La señal PWM en general se produce con un circuito comparador, el cual tiene dos
entradas y una salida, como lo muestra la figura 2, La entrada marcada con + se llama
entrada no inversora y la entrada marcada con - es la entrada inversora. Cuando el
voltaje en la entrada inversora excede el voltaje de la entrada no inversora, el
comparador cambia a su estado de salida saturado negativo (comúnmente -5V
dependiendo de con cuanto se alimenta al amplificador operacional) Cuando el voltaje
en la entrada no inversora excede el voltaje de la entrada inversora, el comparador
cambia a su estado de salida saturado positivo.

Amplificador MOSFET: También le podemos denominar a esta etapa Amplificador de


conmutación push-pull complementario. Los MOSFET se disponen en una
configuración complementaria en fuente común para proporcionar ganancia de potencia.
Cada transistor cambia entre el estado encendido y el estado apagado y cuando uno está
encendido, el otro está apagado, como se aprecia en la figura 2, cuando un transistor
está encendido hay muy poco voltaje a través de él y, por consiguiente, se disipa poca
potencia aun cuando puede que circule mucha corriente a través de él. Cuando un
transistor está apagado, no hay corriente a través de él, y consecuentemente, no se disipa
potencia. La única ocasión en que se disipa potencia en los transistores es durante el
corto tiempo de conmutación. La potencia suministrada a una carga puede ser muy alta
porque a través de ella habrá un voltaje casi igual a los voltajes de fuente y una alta
corriente.

Fig. 2. MOSFET complementarios en fuente o surtidor común.

Por su comportamiento los MOSFET tipo enriquecimiento o E-MOSFET podrían ser


equivalentes a interruptores ideales, sin embargo en la práctica los MOSFET disipan un
poco de potencia y lo hacen a través de una resistencia interna, la cual es llamada,
RON , Rofset , R sat o R DS , este valor se encuentra en las hojas de especificaciones del
componente. Esta es la razón por la cual el amplificador clase D solo puede aproximarse
a una eficiencia del 100%, sin mencionar que también se disipa potencia en los
amplificadores operaciones, y en los demás componentes del circuito; el circuito
equivalente de un MOSFET se observa va en figura 3.

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Fig. 3. Circuito equivalente real de un E-MOSFET.

Filtro pasabajos: Este filtro elimina la frecuencia de modulación y armónicos y deja


pasar sólo la señal original hasta la salida. El filtro tiene un ancho de banda que deja
pasar sólo las frecuencias de la señal de entrada.
Todas las formas de onda no senoidales se componen de frecuencias armónicas. El
contenido de frecuencia de una forma de onda particular se conoce como su espectro. Si
consideráramos una onda triangular para modular la onda senoidal o de audio en la
entrada del comparador, el espectro resultante contendría la frecuencia de onda
senoidal, f entrada, más la frecuencia fundamental de la señal moduladora triangular, f m y
frecuencias armónicas por encima y por debajo de la frecuencia fundamental. Estas
frecuencias armónicas se deben a los rápidos tiempos de subida y caída de la señal
PWM y a las áreas planas entre los pulsos. En la figura 4 se muestra un espectro de
frecuencia simplificado de una señal PWM. La frecuencia de la forma de onda
triangular debe ser significativa mente más alta que la frecuencia más alta de la señal de
entrada, por lo que el armónico de frecuencia más bajo queda muy encima del intervalo
de las frecuencias de la señal de entrada.

Fig. 4. Espectro de frecuencia de una señal PWM.

Realimentación:

CUESTIONARIO PREVIO

1. Haga un análisis completo del circuito estudiado experimentalmente indicando


los resultados teóricos y comentando sobre la estabilidad y criterios de diseño.
CUESTIONARIO FINAL

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2. Comente acerca del método empleado para la medición de la corriente de
entrada del transformador. Medir las ganancias corriente y potencia a la
frecuencia central de cada cto. (por ej. 60 Hz) y Compare los resultados teóricos
con los experimental y justifique las diferencias si las hubieran.
CONCLUSIONES Y OBSERVACIONES

Lo expuesto a lo largo de este informe permite arribar a las siguientes conclusiones:


 El regulador 7915 presenta un pinado diferente al del 7815, lo cual genera
complicaciones al momento de implementarlo en la placa, la mala ubicación de
este puede generar una sobrecarga y terminar dañándolo por completo, junto a
sus componentes cercanos como en este caso el diodo zener y sus condensadores
asociados.
CUESTIONARIO PREVIO

a) Con un programa simulador, exponga el circuito, aplique señal a analógica de entrada,


mida en cada nodo tensiones y corrientes, anote valores y grafíquelas señales. Compare
la señal de entrada y salida. Haga un barrido de respuesta en frecuencia y grafique su
característica.

Circuito en NI Multisim

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Señal de Analógica del Circuito

Circuito en Proteus

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Señal de Analógica del Circuito
b) Analizar y señalar las características eléctricas y electrónicas de los transistores
MOSFET de potencia en AF, en base a las hojas de datos.

Presenta gran capacidad de manejo de corriente, voltaje y potencia, por lo tanto, un


mosfet puede disipar con seguridad 10w, conducir corriente de 2A y soportar un Vds de
80 V.
En la parte electrónica tiene una respuesta para altas frecuencias y mayores velocidades
de conmutación.
Presenta mayores valores de transconductancia, un mosfet tiene gh 250 ms, comparado
con 5ms de los Jfet y 10 ms para los mosfet convencionales.
Presentan mayor valor de su transconductancia significa que los amplificadores mosfet
tienen ganancia de voltajes superiores.

c) Explicar brevemente la operación en donde los transistores operan como amplificadores


y como conmutadores y cuál es la función matemática que los gobierna.

Estos son llamados amplificadores conmutados en lo cual sus elementos de salida


trabajan en conmutación, por lo que sus perdidas de potencia son muy bajas, en la cual
sus rendimientos son superiores al 90%, incluso con cargas no lineales por la utilización
de los mosfet.
Como función matemática presenta lo siguiente:
vσ (t )= Aσx (t) cos ⁡(wσ . t+ φ(t ))
vσ (t )= Aσ . cos ⁡( ωσ .t )
donde Aσ y wσ son laamplitud y frecuenciaangular de cada señal de entrada
respectivamente , t es el tiempo y φ la fase

d) Analizar y efectuar el cálculo del siguiente circuito. Hallar y graficas los puntos de
trabajo de cada transistor, y componen activo.

Vcc2
Po= Po=200 w RL=4 ohm
2. RL
Vcc=√ 2 Po . RI Vcc √ 2∗200∗4 Vcc=40 v

e) Encontrar la función de ganancia de tensión, corriente, potencia, impedancias de entrada


y salida del circuito.

Ganancia de corriente:
V 40
I= I= I =10 A
RL 4
Disipación de potencia del mosfet:

I 2 rDS 52∗0.35
Pmos= Pmos= Pmos=4.375 w
2 2
Rendimiento:
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Po−2∗pmos 200−2( 4.375)
n= n= n=0.9562
pi 200
Porcentaje de n=95.25 %

V. PROCEDIMIENTO
1. Construya el circuito de la Fig. 1, observando la polaridad correcta de los
capacitadores, el transistor y la fuente de energía. Ajuste la tensión de alimentación
requerida, así como de la corriente de soporte.

2. Alimente el circuito con mucho cuidado de manera de no generar transitorios al


encendido. Determine el punto “Q” midiendo las tensiones con respecto a tierra y las
corrientes en el circuito, anote los resultados para el cuadro de comparación final.
El punto Q lo hallamos midiendo el voltaje entre emisor y colector de los transistores y nos
tiene que resultar la mitad de la alimentación.

3. Calcule la impedancia de entrada, salida y la ganancia del amplificador.


Z¿ :
Por divisor de tensión , Z L=R VO ⇒ Z L =47 k Ω
V=
2

Z out :

V O =11.668 V
NL

V O =11.162 V
L

ΔV O =0.506 V ⇒ R L ≡0.506 V

V O =V Z =V L + V Amp
O

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VO
ZO = ∗R L
VL

11.162
ZO = ∗4
0.506
ZO =88.24 Ω

4. Determinar la ganancia del amplificador inyectado una señal senoidal de 50mVpp, a


1KHz.
V out 1.87
A50 mV = = =37.4
V ¿ 0.05

5. Haga un barrido de mediciones de 15 pasos de señal de entrada desde 10 Hz hasta


1MHz, anote los resultados en un cuadro y luego grafique en papel milimetrado
logarítmico.

Frecuencia Voltage de Salida


10 Hz 2.68
50 Hz 2.77
100 Hz 2.81
500 Hz 2.8
750 Hz 2.75
1k Hz 2.79
5k Hz 2.82
7k Hz 2.89
10k Hz 2.84
50k Hz 2.79
75k Hz 2.3
100k Hz 1.85
500k Hz 1.8
750k Hz 1.73
1MHz 1.6

6. Compare los resultados con los simulados.

Teórico Experimental
VO NL
11.668 V 11.059V
VO L
11.162 V 11.856V
RL 0.506 V 0.500V
ZL 47 k Ω 50kΩ
ZO 88.24 Ω 85.60Ω

7. Mida la potencia real del amplificador con carga fantasma.


P=V R I R=1.91 mA∗40 V =76.4 mW
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VI. CUESTIONARIO FINAL
 Haga un análisis completo del amplificador estudiado experimentalmente indicando
los resultados teóricos y comentando sobre la estabilidad y criterios de diseño.

Sobre los resultados teóricos que ya vimos en el procedimiento, en el caso del


circuito mostrado en la figura X veremos que la estabilidad de este sistema es buena
debido a que no existe muchos armónicos de filtración ni mucha perdida.
En este caso la generación de la señal PWM la remplazamos por un integrado el
“LM311P” el cual genera este tipo de modulación para luego ser llevadas hacia los
transistores BJT y entrar en conmutación.

 Comente acerca del método empleado para la medición de la impedancia de entrada


de un amplificador.
Al aplicar una diferencia de potencial entre 2 puntos de una red se puede determinar
las impedancias en dos partes, en el caso lo que se busca es encontrar la impedancia
a la que Vi se convierta en V1 / 2 lo que nos indicará que la impedancia es igual a la
del resto de la red circuito.
En este caso el método utilizado fue el del potenciómetro ya que lo íbamos variando
hasta llegar a una diferencia de voltaje idéntica, hallando así la impedancia total del
circuito.

 Medir las ganancias tensión, corriente y potencia a la frecuencia central de cada cto.
(por ej. Entre 1 y 10KHz) y Compare los resultados teóricos con los experimentales
virtuales y justifique las diferencias si las hubiera. Comente acerca de los valores
máximos de Vo y Vi, la distorsión observada porque razón se produce y como
corregir.
a. Tensión. –
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Podemos observar la ganancia de tensión entre la entrada y salida podemos
ver que de entrada tenemos una señal de 3 volts pico-pico, y de salida
tenemos una señal amplificada en amplitud y manteniendo su frecuencia y
fase, esta señal tiene 45.9 volts pico-pico es por eso que hay una ganancia
de 15.
b. Corriente. –

Como se puede observar a mano izquierda tenemos la medición de la


corriente de entrada y a mano derecha tenemos la medición de la corriente
de salida.
Se puede observar que la corriente a sido amplificada muy grandemente
pero teniendo en cuenta que los transistores estaban alimentados con una
fuente de 40 Volts nos damos cuenta que la corriente fue incrementada pero
no tanto como se ve a simple vista.
c. Potencia. –

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En cuanto a potencia se refiere tiene el mismo factor de ganancia ya que
tenemos el valor del voltaje y el valor de la corriente podemos utilizar la
formula.
P=I∗V
Donde tenemos que la potencia de salida nos sale 32.52Watts Rms.

VII. CONCLUSIONES Y OBSERVACIONES

 Se concluye que, los amplificadores clase d tienen una eficiencia muy alta
al igual que la ganancia.
 Se concluye que, los amplificadores clase d tienen un consumo bajo con
respecto a otra clase de amplificadores.
 Se concluye que, los transistores MOSFET tienen un rápido proceso de
conmutación y amplificación con respecto a los transistores BJT incluso
con respecto a los JFET.
 Se concluye que, el amplificador clase d requiere un filtro de bobina
condensador para reducir los armónicos generados en anteriores procesos.
 Se concluye, el filtro CL (bobina condensador) tienen un gran consumo de
energía lo cual hará que se reduzca la energía de salida dando como
consecuencia reducción de potencia.

VIII. BIBLIOGRAFIA

[1] BOYLESTAD Robert L., NASHELSKY Louis: Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos
Electrónicos. México, 10° Edición, Pearson, 2009.
[2] MALVINO Albert, BATES David J.: Principios de Electrónica. España, 7° Edición, McGraw-
Hill, 2007.
[3] SCHILLING Donald L., BELOVE Charles: Circuitos Electrónicos Discretos e integrados.
España, 3° Edición, McGraw-Hill, 1993.
[4] FLOYD Thomas L.: Dispositivos Electrónicos. México, 8° Edición, Pearson, 2008.

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