DISPOSITIVOS DE ESTADO SLIDO EN MICROONDAS

1. Introduccin La amplificacin es una de las funciones ms bsicas y relevantes en los circuitos de microondas. Los primeros amplificadores de microondas utilizaban tubos y vlvulas, como el klystron o los tubos de onda progresiva (TWT). El desarrollo de la fsica del estado slido con materiales semiconductores permiti la aplicacin de dispositivos de dos terminales como amplificadores. Es el caso de los diodos tnel y de avalancha (Gunn e IMPATT son los ejemplos ms destacados). Sin embargo, a partir de los aos 70, la mayora de los amplificadores utilizan dispositivos de tres terminales. Primero fueron los transistores de unin bipolar, con substrato de silicio (BJT). Posteriormente, los de efecto de campo (FET), con sustrato de GaAs (MESFET). Durante estas ltimas dcadas el desarrollo ha sido espectacular, sobre todo en la obtencin de compuestos pseudomrficos y de heterouniones, cuyos logros ms destacados han sido el transistor bipolar de heterounin (HBT) y el transistor de alta movilidad electrnica (HEMT). En la sigiuente tabla se resumen las caractersticas ms destacadas de los principales transistores de microondas:

En este captulo nos centraremos en los amplificadores de estado slido. 2. Dispositivos de estado slido en microondas Sin que se pretenda hacer un estudio riguroso de la fsica del estado slido de los semiconductores, para abordar el estudio de los amplificadores de microondas es preciso recordar ciertas nociones bsicas.

Los tres semiconductores ms empleados son el silicio, el germanio y el galio. Tomando como ejemplo el silicio, su estructura cristalina consiste en una repeticin tridimensional de una clula unitaria en forma de tetraedro, con un tomo en cada vrtice. Cada tomo tiene 14 electrones, cuatro de los cuales son de valencia.

Para formar compuestos estables, los tomos se asocian compartiendo, cediendo o aceptando electrones de otros tomos para completar 8 electrones en el nivel ms externo. Cuando dos tomos comparten varios electrones, al no alterarse las cargas elctricas respectivas, no se producen iones ni se mantienen dichas uniones atmicas por atraccin electrosttica. A esto se le llama enlace covalente. Los electrones de valencia sirven de unin de un tomo con el siguiente, quedando fuertemente unidos al ncleo. A pesar de la disponibilidad de cuatro electrones de valencia, pocos de ellos estn libres para contribuir a la conduccin.

A temperatura muy baja (digamos 0 K), el cristal semiconductor se convierte en un buen dielctrico, al no haber disponible ningn portador de carga libre. Sin embargo, a temperatura ambiente algunos de los enlaces covalentes se rompen, debido a la energa trmica, que puede provocar que algn electrn quede libre para circular al azar por el cristal. En enlace covalente incompleto se denomina hueco.

Desde el punto de vista cuntico, la energa trmica confiere a cada electrn una cierta cantidad de movimiento. Para cada cantidad de movimiento slo existe un conjunto discreto de energas accesibles, llamadas bandas de energa, que se pueden representar ante la cantidad de movimiento (cuasi impulso).

Si en la situacin descrita se aplica al cristal un campo elctrico constante, como resultado de las fuerzas electrostticas, los electrones se aceleran y la velocidad crecera indefinidamente con el tiempo, si no fuera porque se producen colisiones con los iones de la red cristalina. En cada colisin inelstica con un ion, cambia la cantidad de movimiento del electrn (tanto en direccin como en velocidad), lo que puede provocar cambios en el estado de la energa del electrn. Los cambios ms frecuentes tienen lugar entre las bandas de valencia y de conduccin. En este caso, el cambio en la cantidad de movimiento hace que un electrn libre pase a ocupar un enlace covalente que estaba incompleto. Se trata del proceso recombinacin electrn-hueco. En cada colisin la velocidad del electrn se reduce a cero, en promedio. Si el mnimo de la banda de conduccin y el mximo de la banda de valencia estn alineados, las transiciones son verticales, y la cantidad de movimiento del portador no cambia. Se trata de semiconductores de transicin directa, como el GaAs. Si ambos extremos no estn alineados, la red cristalina absorbe o cede la cantidad de movimiento correspondiente a la diferencia de energa entre el mnimo de la banda de conduccin y el mximo de la banda de valencia. Se trata de semiconductores de transicin indirecta, como el Si. Tras mltiples colisiones no recombinantes, se alcanza una situacin de equilibrio y el electrn se mueve a una velocidad de desplazamiento (o de arrastre) cuya direccin es opuesta a la del campo: v = E d , siendo la movilidad electrnica del portador.

Para aumentar el nmero de portadores de corriente se introducen impurezas sobre el conductor intrnseco. En el caso del Si se emplean impurezas pentavalentes (como el Sb, P y As). Estas impurezas producen electrones en exceso, denominndose donadoras, y dan lugar a semiconductores tipo n. En el caso del GaAs se utilizan como sustancias donadoras impurezas de Si en sustitucin de tomos de Ga. Tambin se pueden dopar los semiconductores con sustancias aceptoras para aumentar el nmero de huecos. En el caso del Si se emplean impurezas de B, In y Ga. En el caso del GaAs, se sustituyen tomos de Ga con elementos del grupo II (Be, Mg). Se trata de semiconductores de tipo p. No obstante, en las tecnologas derivadas del GaAs, estos no tienen aceptacin, pues la movilidad electrnica de los huecos es muy baja. 2.1. Diodos semiconductores Cuando un semiconductor presenta simetra de traslacin en torno a cierto eje, se acostumbra a representar el diagrama de bandas de energa, no ante la cantidad de movimiento, sino ante la dimensin longitudinal. En la figura se representa el mnimo de la banda de valencia y el mximo de la banda de conduccin de un semiconductor tipo n y otro de tipo p.

El carcter tipo p n de un semiconductor intrnseco depende de la posicin relativa del nivel de Fermi entre las bandas de valencia y conduccin. En un semiconductor tipo p el nivel de Fermi est ms prximo a la banda de valencia que a la de conduccin. En uno tipo n, ocurre lo contrario. Cuando se ponen en contacto un semiconductor de tipo p con uno de tipo n, el exceso de huecos en la zona p provoca una corriente de difusin de huecos que se desplaza hacia la zona n, al tiempo que otra corriente de difusin de electrones viaja desde la zona n, en la que son mayoritarios, a la zona p. Cada hueco que pasa a la zona n deja en la zona p una carga ligada o ion fijo de impureza aceptora, mientras que los electrones que se dirigen a la zona p dejan en la regin n iones fijos de impurezas donadoras. En esta situacin tiene lugar el proceso de formacin de una regin de carga espacial, formada por iones no compensados a ambos lados de la unin, que provoca la aparicin de un campo elctrico que tiende a desplazar a los huecos en

el sentido del campo, y a los electrones en sentido contrario. Aparece entonces una corriente de arrastre que se opone a la de difusin. Cuando se alcanza la situacin de equilibrio, los flujos de difusin y arrastre se compensan y se crea una regin de deplexin, vaca de portadores de carga libres.

Desde el punto de vista cuntico, el diagrama de bandas de energa de la unin pn adopta la forma que se indica en la figura. Resulta til considerar a los electrones como partculas pesadas, por lo que tienden a ocupar los niveles inferiores de la banda de conduccin, mientras que los huecos pueden asimilarse a burbujas dentro de un lquido, por lo que tienden a ocupar los estados superiores de la banda de valencia. De esta manera, la curvatura del diagrama de bandas se opone a la difusin de los portadores mayoritarios. Este fenmeno se conoce como barrera de potencial. Si se aplica una diferencia de potencial positiva entre el cristal p y el n, la barrera energtica disminuye por debajo del valor de equilibrio trmico. En este caso, el campo elctrico no es lo suficientemente intenso para impedir el flujo de portadores mayoritarios hacia la zona donde son minoritarios, establecindose una corriente que crece rpidamente con el potencial aplicado. Si la diferencia de potencial es negativa, la regin de carga espacial se hace ms ancha. Los flujos de arrastre se hacen mayores que los de difusin, establecindose una corriente inversa muy dbil, provocada por el paso de los portadores minoritarios a la zona donde son mayoritarios. Ambos tipos de polarizacin se utilizan para conseguir amplificacin en circuitos de microondas. 2.1.1. Diodos de efecto Gunn. Dispositivos de transferencia de electrones.

Determinados semiconductores, como el GaAs o el InP presentan un diagrama de bandas de energa con la presencia de varios valles en la banda de conduccin prximos entre s. Cuando la intensidad de campo es fuerte, se produce la transferencia de electrones al mnimo ms alto de la banda de conduccin. La masa efectiva de los electrones es mayor en los niveles energticos superiores. Por tanto, la movilidad electrnica es menor que en los niveles ms bajos de energa. Como la conductividad depende de la movilidad electrnica, existe una rango de intensidades de campo elctrico en el cual se produce transferencia de electrones desde un nivel bajo de energa a uno ms alto, de tal manera que la movilidad promedio, y con ella la conductividad, decrecen cuando se aumenta la intensidad de campo.

Este fenmeno se conoce como efecto Gunn, en honor a su descubridor, y los dispositivos que lo exhiben se denominan diodos Gunn o dispositivos de transferencia de electrones (TED). No obstante, debe quedar claro que no se trata de diodos de unin p-n, sino que constan de un solo bloque semiconductor (bulk). Si se representa la caracterstica tensin-corriente de estos dispositivos, se aprecia que la regin en la que aparece dicho efecto, exhibe una resistencia dinmica negativa. Dado que los dispositivos con resistencia negativa se pueden modelar como fuentes de tensin controladas por corriente, estos dispositivos se pueden utilizar para construir amplificadores de microondas. El efecto Gunn puede provocar, a su vez, oscilaciones autosostenidas, debido a que los electrones son acelerados y frenados a su paso por el diodo, lo que tambin los habilita para el diseo de osciladores de microondas: Para conseguir este modo de funcionamiento, se polariza el diodo ligeramente por debajo de la tensin de umbral V1. Si en estas condiciones, en cualquier punto del dispositivo el campo elctrico supera el umbral, entonces se produce la transferencia de electrones al valle superior, donde la movilidad acusa un descenso.

Se forma en este caso un pequeo dominio dipolar (dipole domain), al tener una regin en la que se acumula la carga, y otra de deplexin. Este pequeo dipolo crea un campo que se suma con el de polarizacin, haciendo que el campo total en el dominio dipolar se eleve. Como la tensin aplicada es constante, el campo fuera del dominio dipolar baja y se estabiliza por debajo del umbral. Cuando el dipolo alcanza el extremo del nodo, se produce un pico de corriente en los terminales del diodo, lo que eleva momentneamente el campo por encima del umbral, haciendo que se forme un nuevo dipolo en el ctodo y que el proceso se repita una vez ms. La frecuencia de oscilacin es: 1/ f = L vd , donde vd representa la velocidad de arrastre del dipolo y L la longitud del diodo. A temperatura ambiente, esta velocidad de arrastre saturada es del orden de 107 cm/s para el caso de GaAs. Por tanto, la longitud de la regin activa, para una frecuencia de operacin tpica de 10 GHz (banda X) es:

Como el diodo Gunn se comporta como un dispositivo de corriente constante, el circuito de polarizacin requiere una tensin constante, para lo que se utiliza con frecuencia la disposicin mostrada en la figura.

2.1.2. Diodos de efecto avalancha. Cuando en una unin p-n la tensin de polarizacin inversa es importante, un portador generado trmicamente se desplazar debido a la corriente de arrastre. En su movimiento, los portadores pueden adquirir tal energa que al colisionar con un ion de la red impriman suficiente energa para romper un enlace covalente. De esta forma, cada nuevo portador produce portadores adicionales (multiplicacin de avalancha). El resultado es una corriente de saturacin inversa elevada. Los diodos de microondas basados en este principio se conocen con los siguientes nombres: IMPATT (IMPact ionization Avalanche Transit Time): unin p+nin+ BARRITT (BARRier Injection Transit Time): unin p+np+ TRAPATT (TRApped Plasma Triggered Transit): unin p+nn+ El diodo IMPATT (tambin conocido como diodo Read) se suele operar en rgimen pulsante, polarizndose negativamente, con una tensin de DC prxima a la de ruptura, y una seal de RF superpuesta, de tal manera que durante los semiciclos positivos de RF se produce la avalancha.

En los semiciclos positivos de RF, el campo elctrico en la zona de avalancha aumenta, as como la tasa de generacin de nuevos portadores por efecto de la multiplicacin, as que se produce un pico en la corriente de avalancha. Incluso despus de haber alcanzado la tensin de RF su valor mximo, la corriente de avalancha sigue creciendo, ya que el nmero de portadores de carga sigue creciendo.

Tan slo una vez iniciado el semiciclo negativo de RF, el proceso de multiplicacin de avalancha se detiene. Pero los portadores de carga que se han creado durante el semiciclo anterior deben atravesar todava la regin de arrastre, lo que induce en el circuito una corriente externa que tiene un desfase superior a 90 con la seal de RF. Como tensin y corriente se encuentran prcticamente en contrafase, el diodo exhibe una resistencia negativa, comportndose como un dispositivo activo.

Como el diodo IMPATT se comporta como un dispositivo de tensin constante, el circuito de polarizacin requiere una corriente constante, para lo que se utiliza con frecuencia un transistor regulador de corriente, como el mostrado en la figura. 2.2. Transistores bipolares El transistor bipolar consiste en dos uniones p-n encapsuladas en el mismo sustrato. Se llaman bipolares por existir dos tipos de portadores: electrones y huecos. Aunque existen dos dispositivos duales, denominados npn y pnp, en microondas se prefieren los primeros, al tener mayor movilidad electrnica los electrones que los huecos. Los tres terminales se denominan emisor (E), base (B) y colector (C). En el emisor, la densidad de dopado suele ser alta, de manera que cuando la unin BE se polariza directamente, un importante flujo de difusin alcanza la base del transistor. Para que no se pierdan electrones por recombinacin en la base, el espesor de sta se hace muy pequeo (~ 0.1 m), y la unin CB se polariza inversamente.

Bajo polarizacin inversa de la unin CB, los electrones son barridos al interior del colector, contribuyendo a la corriente. Por otra parte, los electrones que se generan trmicamente en la base, por efecto de la corriente de arrastre, son barridos hacia el colector, sumndose a la corriente de inyeccin de la unin BE. En microondas, su realizacin suele ser interdigital multidedo, con el objeto de tener unos tiempos de trnsito razonables a travs de la base y suficiente rea de emisor.

A la hora de integrar un transistor de microondas en un amplificador, se suele partir de la medida de sus parmetros S a distintas frecuencias, con lo cual se puede sintetizar un modelo circuital equivalente. En el caso de los transistores bipolares, el ms frecuente es el indicado en la figura. Como figura de mrito, se suele caracterizar un transistor de microondas por su frecuencia de transicin fT, que se define como la frecuencia a la que la ganancia de corriente con salida en cortocircuito se hace la unidad. Para el caso unilateral, puede suponerse Ccb' = 0, en cuyo caso:

Se suele expresar tambin T ec f = 1 , siendo ec e b c = + + el tiempo de trnsito emisor-colector. De los tres tiempos, el ms crtico es el tiempo de trnsito a travs de la base, pues el emisor est altamente dopado.

El ruido en un transistor bipolar es de naturaleza trmica, y se genera en las resistencias de los electrodos. Tambin presenta ruido de disparo (shot), debido a la fluctuacin de los portadores al atravesar las uniones semiconductoras. El flujo de portadores de carga a travs de una unin p-n dista mucho de ser continua, sino que se asemeja a las gotas de lluvia cuando caen sobre un techo de aluminio. El ruido shot, al igual que el ruido trmico, se asemeja al ruido blanco, pero es proporcional a las corrientes de polarizacin en DC. Por este motivo, los transistores bipolares de microondas se polarizan en una regin con pequea polarizacin en DC. El mnimo factor de ruido en un BJT puede aproximarse por la expresin:

Este factor de ruido slo se puede alcanzar bajo apropiadas condiciones de polarizacin. Como redes de polarizacin se utilizan circuitos que permitan, por un lado, independencia a los cambios de temperatura y a las variaciones de los parmetros del transistor, y por otro, que el circuito de polarizacin quede aislado de los circuitos de alta frecuencia, de tal manera que las seales de microondas no fluyan por el circuito de polarizacin. El primer objetivo se puede alcanzar incorporando realimentacin DC en el circuito de polarizacin. El segundo objetivo se puede satisfacer introduciendo elementos inductivos (choke) en serie con los componentes DC, que no dejan pasar las altas frecuencias, y elementos capacitivos en paralelo (by-pass) con los componentes

DC, para que las corrientes de alta frecuencia se deriven por los elementos capacitivos y no afecten a las redes de polarizacin.

2.3. Transistores de efecto de campo Formados por un canal tipo n, se puede obligar a que los portadores mayoritarios, electrones, fluyan a lo largo del canal aplicando una diferencia de potencial entre los terminales de drenador (D) y fuente (S). El tercer terminal, llamado puerta (G), se forma conectando elctricamente dos zonas con dopado p+.

Las regiones de puerta y canal forman una unin p-n que en su funcionamiento se mantiene con polarizacin inversa mediante una tensin VGS < 0 y VDS > 0. Debido a la regin de carga espacial que se forma a ambos lados del canal cuando la unin p-n se polariza inversamente, el ancho efectivo del canal disminuye al aumentar la polarizacin inversa, pudiendo incluso llegar a obstruirse completamente. En consecuencia, para una determinada tensin VDS, la corriente que alcanza al drenador depende de la tensin que modula la anchura del canal. Si para cierta tensin VGS el canal est abierto, para valores bajos de VDS, la corriente ID depender linealmente de VDS, pero conforme aumenta VDS la unin p-n se polariza inversamente, provocando que la regin de carga espacial reduzca la anchura del canal. A medida que aumenta VDS la corriente deja de crecer con VDS y se hace independiente de esta tensin.

Los transistores de efecto de campo en microondas suelen hacerse con sustratos de GaAs, al tener mejor movilidad electrnica. La configuracin tpica es una unin metal-semiconductor (MESFET), que reemplaza la unin puerta-canal. Para alcanzar frecuencias muy altas (100 GHz) se utilizan longitudes de puerta del orden de 0.2 m. Los electrones tienen mayor energa, en promedio, en el semiconductor que en el metal. Por tanto, el contacto metal-semiconductor produce una transferencia de electrones del semiconductor al metal, el cual queda cargado negativamente. Esta presencia de carga produce un campo elctrico que atrae los electrones en sentido contrario, alcanzndose una situacin de equilibrio.

El circuito equivalente de un transistor de efecto de campo de microondas es el que se indica en la figura, junto con los valores tpicos de sus parmetros, que se ajustan a partir de las medidas de los parmetros S. La frecuencia de transicin, en el caso unilateral, se puede expresar como:

Se suele expresar tambin T s g f = v L , donde vs es la velocidad de saturacin de los electrones y Lg la longitud de la puerta.

En un MESFET, al no haber uniones p-n, no existe ruido shot, aunque s ruido trmico y ruido flicker, Este ltimo tiene una respuesta en frecuencia del tipo 1/f, por lo que en microondas no suele afectar. El minimo factor de ruido que puede alcanzarse con un transistor MESFET puede aproximarse por la siguiente expresin:

En cuanto a las redes de polarizacin, en aplicaciones de pequea seal, la mejor respuesta frente al ruido se obtiene cuando la corriente DC es un 20 % de la de saturacin para VGS = 0. No obstante, para pequeos valores de la corriente, la transconductancia se reduce, y con ella la ganancia, por lo que siempre existe un compromiso. En la figura se indican dos posibles redes de polarizacin.

2.4. Transistores HBT y HEMT HBT y HEMT son la siglas de Heterojunction Bipolar Transistor y High Electron Mobility Transistor, respectivamente. Se trata de dispositivos de tres terminales formados por la combinacin de diferentes materiales con distinto salto de banda prohibida (gap band). Las heteroestructuras que se utilizan suelen ser compuestos de GaAs AlGaAs.

En el caso del HBT, el empleo de materiales en el emisor con un salto de banda prohibida mayor que los de la base proporciona un desplazamiento de las bandas en la heterointerfaz que favorece la inyeccin de electrones en la base, mientras que se retarda la inyeccin de huecos en el emisor.

El empleo de heteroestructuras permite dotar a los transistores de efecto de campo de canales con alta movilidad electrnica. Los dispositivos resultantes reciben el nombre de HEMT. Debido al mayor salto de banda prohibida del AlGaAs comparado con las regiosnes adyacentes de AsGa, los electrones libres se difunden desde el AlGaAs en el GaAs y forma un gas electrnico bidimensional en la heterointerfaz. Una barrera de potencial confina los electrones libres en una lmina muy estrecha.