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CARACTERIZACIN DE TRANSISTORES
MOS
Autores Jairo A. Castelar Mora, Maria A. Camargo Vila
Grupo O6
Practica # 1
Ing. Javier Mier. Junio 20 de 2013.
I. INTRODUCCIN
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor
(MOS) son dispositivos de efecto de campo que utilizan un
campo elctrico para crear un canal de conduccin.
Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o
NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A su vez, estos
transistores pueden ser de acumulacin o deflexin; en la
actualidad las segundos estn prcticamente en desuso y aqu
nicamente sern descritos los MOS de acumulacin tambin
conocidos como de enriquecimiento.
Entonces
=
Ecuacin [2]
, y B=
de donde podemos
III. PROCEDIMIENTO:
Para estimar los parmetros VTH, Kn y W/L del transistor
tomamos como referencia la curva caracterstica de la
corriente ID del transistor y el Voltaje VGS cuando el
transistor esta en saturacin, es decir, para un valor fijo de
VDS igual a 8 [V] (esto para la toma de datos), para usar esta
grafica hay que tener en cuenta que la formula en regin de
saturacin es:
Ecuacin [1]
2
UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER
ESCUELA DE INGENIERAS ELCTRICA, ELECTRNICA Y DE TELECOMUNICACIONES
Ecuacin [5]
Se realizaron las respectivas regresiones lineales las cuales
generaron los datos que fueron comparados con las ecuaciones
mencionadas anteriormente y se obtuvieron los datos que se
queran estimar
A continuacin se muestran los resultados de dichos
parmetros.
IV. RESULTADOS
Parmetros VTH, Kn*W/L del transistor NMOS
Se trabaj con un VDS constante de 8V.
Vgs [V]
1,2
1,3
1,4
1,5
1,6
1,7
1,8
1,9
2,0
2,1
2,2
2,3
2,4
2,5
2,6
2,7
2,8
2,9
3,0
3,1
3,2
Ids [mA]
0,002
0,005
0,011
0,027
0,063
0,096
0,137
0,256
0,296
0,382
0,517
0,603
0,691
0,887
1,001
1,117
1,229
1,370
1,689
1,858
1,964
Raiz (Ids)
0,001
0,002
0,003
0,005
0,008
0,010
0,012
0,016
0,017
0,020
0,023
0,025
0,026
0,030
0,032
0,033
0,035
0,037
0,041
0,043
0,044
= 0,022725
= 0,00103285
B=
* VTH
Vgs [V]
1,3
1,4
1,5
1,6
1,7
1,8
1,9
2
2,1
2,2
2,3
2,4
2,5
2,6
Ids [mA]
0,006
0,013
0,043
0,111
0,141
0,213
0,283
0,409
0,496
0,574
0,666
0,813
0,931
1,077
Raiz (Ids)
0,002
0,004
0,007
0,011
0,012
0,015
0,017
0,020
0,022
0,024
0,026
0,029
0,031
0,033
3
UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER
ESCUELA DE INGENIERAS ELCTRICA, ELECTRNICA Y DE TELECOMUNICACIONES
2,7
2,8
2,9
3
3,1
3,2
1,205
1,319
1,501
1,626
1,841
1,951
0,035
0,036
0,039
0,040
0,043
0,044
0,7
0,8
0,9
1,0
1,1
1,2
1,5
0,688
0,710
0,726
0,735
0,738
0,742
0,747
2,8
3,1
3,3
3,5
3,9
4,0
0,760
0,762
0,764
0,765
0,767
0,767
Vgs=3 [V]
Vds [V]
0,0
0,1
0,2
0,4
0,6
0,7
0,8
0,9
1,0
1,2
1,4
1,5
Ids [mA]
0,055
0,097
0,359
0,665
0,978
1,081
1,206
1,259
1,328
1,422
1,447
1,454
Vds [V]
1,7
2,0
2,3
2,5
2,8
3,0
3,3
3,5
3,9
4,0
4,5
Ids [mA]
1,471
1,481
1,487
1,491
1,495
1,499
1,503
1,505
1,510
1,511
1,515
Vgs=3,5 [V]
Grfica 4. Grfica obtenida Ids vs Vgs en PMOS
A=
= 0,022315
= 0,000996
B=
* VTH
Vds [V]
0,0
0,1
0,2
0,4
0,6
Ids [mA]
0,041
0,090
0,265
0,491
0,652
Vds [V]
1,6
1,7
2,0
2,2
2,5
Ids [mA]
0,750
0,751
0,754
0,756
0,758
Vds [V]
0,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,0
1,2
Ids [mA]
0,069
0,194
0,434
0,733
0,824
1,107
1,223
1,369
1,607
1,761
1,844
2,240
Vds [V]
1,3
1,5
1,8
2,0
2,3
2,4
2,7
3,0
3,3
3,5
4,0
Ids [mA]
2,300
2,370
2,410
2,440
2,460
2,460
2,470
2,480
2,480
2,490
2,500
4
UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER
ESCUELA DE INGENIERAS ELCTRICA, ELECTRNICA Y DE TELECOMUNICACIONES
Vds [V]
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1
1,1
1,2
1,4
Ids [mA]
0,033
0,129
0,163
0,176
0,199
0,211
0,222
0,228
0,232
0,235
0,239
0,241
0,247
Vds [V]
1,5
1,7
1,9
2
2,1
2,3
2,5
2,6
2,7
2,9
3
3,1
Ids [mA]
0,249
0,253
0,257
0,260
0,261
0,266
0,269
0,270
0,272
0,276
0,277
0,280
Vgs=2,5 [V]
Vgs=2,5 [V]
A=7e-6
B=0,00072
|VA|=B/A = 102,7082
Vgs=3 [V]
A=1e-5
|VA|= 104,7554
B=0,0015
Vgs=3,5 [V]
A=2e-5
B=0,0024
|VA|= 100,1875
En resumen se tiene:
Vgs [V]
|VA|
2,5
102,70833
3
104,75540
3,5
100,18750
Prom |VA| 102,55041
0,009751302
Tabla 6. Obtencin y VA para el NMOS
Vds [V]
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,0
1,1
1,2
1,3
1,4
Ids [mA]
0,099
0,196
0,301
0,357
0,400
0,477
0,528
0,555
0,585
0,621
0,649
0,661
0,671
0,684
Vds [V]
1,5
1,7
1,9
2,0
2,1
2,3
2,4
2,5
2,6
2,7
2,9
3,0
3,1
Ids [mA]
0,693
0,711
0,719
0,725
0,731
0,743
0,746
0,752
0,759
0,766
0,771
0,774
0,780
Vgs=3 [V]
Vds [V]
0,1
0,2
0,3
0,4
Ids [mA]
0,115
0,243
0,394
0,431
Vds [V]
1,9
2,0
2,1
2,3
Ids [mA]
1,296
1,311
1,321
1,350
5
UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER
ESCUELA DE INGENIERAS ELCTRICA, ELECTRNICA Y DE TELECOMUNICACIONES
0,5
0,6
0,7
0,9
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8
0,565
0,707
0,745
0,892
0,972
1,091
1,172
1,234
1,288
2,5
2,6
2,7
2,9
3,0
3,1
3,3
3,4
1,370
1,377
1,386
1,403
1,413
1,422
1,436
1,442
A=9,3e-5
|VA|= 12,4816
B=0,00113
En resumen se tiene
Vgs [V]
2
2,5
3
Prom |VA|
|VA|
12,6011236
12,6868687
12,1568206
12,4816043
0,08011791
Vgs=2 [V]
A=2,2e-5
|VA|=12,6011
B=0,00017
Vgs=2,5 [V]
A=4,9e-5
|VA|= 12,6868
B=0,00062
Vgs=3 [V]
Vgs=2,5 [V]
Ids
Knw/L
[mA]
0,041 5,08E-05
0,090 1,11E-04
0,265 3,28E-04
0,652 8,03E-04
0,688 8,47E-04
0,710 8,73E-04
0,726 8,92E-04
0,742 9,09E-04
0,747 9,12E-04
0,750 9,15E-04
0,751 9,16E-04
0,754 9,17E-04
0,756 9,17E-04
0,758 9,17E-04
0,760 9,17E-04
0,762 9,17E-04
0,764 9,17E-04
0,765 9,17E-04
0,767 9,16E-04
0,767 9,15E-04
Prom 7,92E-04
Vgs=3 [V]
Ids
Knw/L
[mA]
0,055 3,51E-05
0,097 6,18E-05
0,359 2,29E-04
0,978 6,20E-04
1,081 6,85E-04
1,206 7,64E-04
1,259 7,96E-04
1,447 9,11E-04
1,454 9,14E-04
1,471 9,23E-04
1,481 9,27E-04
1,487 9,28E-04
1,491 9,29E-04
1,495 9,29E-04
1,499 9,29E-04
1,503 9,29E-04
1,505 9,29E-04
1,510 9,28E-04
1,511 9,28E-04
1,515 9,26E-04
Prom 7,56E-04
Vgs=3,5 [V]
Ids
Knw/L
[mA]
0,069 2,68E-05
0,194 7,52E-05
0,434 1,68E-04
0,824 3,18E-04
1,107 4,27E-04
1,223 4,72E-04
1,369 5,28E-04
1,844 7,09E-04
2,240 8,59E-04
2,300 8,81E-04
2,370 9,06E-04
2,410 9,19E-04
2,440 9,29E-04
2,460 9,34E-04
2,460 9,33E-04
2,470 9,34E-04
2,480 9,35E-04
2,480 9,32E-04
2,490 9,34E-04
2,500 9,34E-04
Prom 6,67E-04
6
UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER
ESCUELA DE INGENIERAS ELCTRICA, ELECTRNICA Y DE TELECOMUNICACIONES
Vgs [V]
2,5
3
3,5
Prom
Knw/L
7,92E-04
7,56E-04
6,67E-04
7,38E-04
Vgs=2 [V]
Ids
Knw/L
[mA]
0,033 9,22E-05
0,129 3,58E-04
0,163 4,48E-04
0,176 4,80E-04
0,199 5,39E-04
0,211 5,67E-04
0,222 5,92E-04
0,228 6,03E-04
0,232 6,09E-04
0,235 6,13E-04
0,239 6,19E-04
0,241 6,19E-04
0,247 6,25E-04
0,249 6,26E-04
0,253 6,27E-04
0,257 6,28E-04
0,260 6,31E-04
0,261 6,29E-04
0,266 6,33E-04
0,269 6,31E-04
0,270 6,29E-04
0,272 6,30E-04
0,276 6,31E-04
0,277 6,29E-04
0,280 6,32E-04
Prom 5,73E-04
Vgs=2,5 [V]
Ids
Knw/L
[mA]
0,099 1,09E-04
0,196 2,14E-04
0,301 3,26E-04
0,357 3,84E-04
0,400 4,27E-04
0,477 5,05E-04
0,528 5,55E-04
0,555 5,79E-04
0,585 6,05E-04
0,621 6,38E-04
0,649 6,62E-04
0,661 6,69E-04
0,671 6,74E-04
0,684 6,82E-04
0,693 6,86E-04
0,711 6,94E-04
0,719 6,92E-04
0,725 6,93E-04
0,731 6,94E-04
0,743 6,96E-04
0,746 6,94E-04
0,752 6,95E-04
0,759 6,97E-04
0,766 6,99E-04
0,771 6,94E-04
Prom 5,94E-04
Vgs=3 [V]
Ids
Knw/L
[mA]
0,115 6,72E-05
0,243 1,41E-04
0,394 2,27E-04
0,431 2,46E-04
0,565 3,20E-04
0,707 3,97E-04
0,745 4,15E-04
0,822 4,55E-04
0,892 4,90E-04
0,972 5,30E-04
1,091 5,86E-04
1,125 6,00E-04
1,172 6,21E-04
1,234 6,44E-04
1,288 6,63E-04
1,296 6,62E-04
1,311 6,66E-04
1,321 6,66E-04
1,350 6,71E-04
1,370 6,72E-04
1,377 6,71E-04
1,386 6,71E-04
1,398 6,73E-04
1,403 6,71E-04
1,413 6,71E-04
Prom 5,44E-04
En conclusin
Vgs [V]
2
Knw/L
5,73E-04
2,5
3
Prom
5,94E-04
5,44E-04
5,70E-04
Vgs [V]
2,5
3
3,5
Prom
Knw/L
7,92E-04
7,56E-04
6,67E-04
7,38E-04
gm [s]
1,01E-03
1,34E-03
1,51E-03
1,29E-03
Vgs [V]
2
2,5
3
Prom
Knw/L
5,73E-04
5,94E-04
5,44E-04
5,70E-04
gm [s]
4,83E-04
7,98E-04
1,00E-03
7,61E-04
Parmetro
Vtho [V]
KnW/L 1
KnW/L 2
gm [s]
NMOS
PMOS
1,22965897
1,15724
1,033E-03
9,96E-04
7,38E-04
5,70E-04
0,009751302 0,08011791
1,29E-03
7,61E-04
VI. SIMULACIONES
Se realiz la simulacin mostrada a continuacin en pspice
haciendo un modelado del transistor Mbreakn y MbreakP
acorde a los parmetros obtenidos en la prctica. Se simul
teniendo un VDS constante (8) y variando VGS entre 2,5 y 3,5
[V] para el NMOS y entre 2 y 3 [V] Para el PMOS obteniendo
los resultados encontrados en Anexos grficas. Las
configuraciones utilizadas en Orcad fueron:
7
UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER
ESCUELA DE INGENIERAS ELCTRICA, ELECTRNICA Y DE TELECOMUNICACIONES
Vds [V]
0,5
1
1,5
2
2,5
3
Vgs=3,5 [V]
Ids lab [mA]
Ids sim [mA]
1,107
1,04
1,844
1,846
2,37
2,39
2,440
2,67
2,465
2,72
2,480
2,74
%dif
6%
0%
1%
9%
10%
10%
Tabla 19. Comparacin entre las corrientes obtenidas, con Vgs= 3,5
[V] en NMOS
Vds [V]
0,5
1
1,5
2
2,5
3
Vgs=2,5 [V]
Ids lab [mA]
Ids sim [mA]
0,572
0,529
0,735
0,803
0,747
0,845
0,754
0,849
0,758
0,853
0,761
0,857
%dif
8%
9%
13%
13%
13%
13%
Vds [V]
0,5
1
1,5
2
2,5
3
Vgs=2 [V]
Ids lab [mA]
Ids sim [mA]
0,199
0,176
0,235
0,218
0,249
0,226
0,260
0,234
0,269
0,242
0,277
0,251
%dif
12%
7%
9%
10%
10%
9%
Vds [V]
0,5
1
1,5
2
2,5
3
Vgs=2,5 [V]
Ids lab [mA]
Ids sim [mA]
0,4
0,323
0,621
0,521
0,639
0,575
0,725
0,596
0,752
0,617
0,774
0,637
%dif
19%
16%
10%
18%
18%
18%
Tabla 17. Comparacin entre las corrientes obtenidas, con vgs= 2,5
[V] en NMOS
Tabla 21. Comparacin entre las corrientes obtenidas, con Vgs= 2,5
[V] en PMOS
Vgs=3 [V]
Ids lab [mA]
Ids sim [mA]
0,822
0,789
1,328
1,325
1,454
1,61
1,481
1,65
1,491
1,66
1,499
1,661
Vgs=3 [V]
Ids lab [mA]
Ids sim [mA]
0,565
0,477
0,972
0,826
1,203
1,04
1,311
1,123
1,370
1,116
1,413
1,2025
Vds [V]
0,5
1
1,5
2
2,5
3
%dif
4%
0%
11%
11%
11%
11%
Vds [V]
0,5
1
1,5
2
2,5
3
%dif
16%
15%
14%
14%
19%
15%
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ESCUELA DE INGENIERAS ELCTRICA, ELECTRNICA Y DE TELECOMUNICACIONES
VIII. CONCLUSIONES
Al polarizar un transistor es de suma importancia tener
conocimiento de la hoja de datos, pues si se excede el voltaje o
la corriente mximos especificados en la hoja de datos, el
transistor puede sufrir daos y afectar el circuito que se est
trabajando.
Todos los transistores tienen parmetros que difieren en
algunos aspectos, por lo que se debe escoger aquel que cumpla
con las especificaciones y exigencias del proyecto a realizar,
teniendo claro as los parmetros del dispositivo.
La corriente de drenador de cada uno de los MOSFET se
controla mediante la tensin Vgs. As mismo A partir de cierto
voltaje Vgs, llamado voltaje de umbral o Vt, es posible que se
forme el canal y por ende que circule corriente por el
drenador.
Los datos calculados tericamente con las ecuaciones, nos
brindan un acercamiento y una idea de los valores de
resistencia y voltaje reales que se deben aplicar, son muy
prximos pero para algunos casos se tena que replantear los
valores de resistencia y ganancia para lograr el objetivo de la
amplitud de la seal de entrada que se exiga.
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UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER
ESCUELA DE INGENIERAS ELCTRICA, ELECTRNICA Y DE TELECOMUNICACIONES
2.4mA
2.0mA
1.6mA
1.2mA
0.8mA
0.4mA
0A
0V
0.2V
ID(M1)
0.4V
0.6V
0.8V
1.0V
1.2V
1.4V
1.6V
1.8V
2.0V
2.2V
2.4V
2.6V
2.8V
3.0V
3.2V
3.4V
V_Vdsn
Grfica 9. Ids vs Vds Para diferentes Vgs (2.5, 3 y 3.5 [V]) en NMOS
2.4mA
2.0mA
1.6mA
1.2mA
0.8mA
0.4mA
0A
1.0V
1.2V
1.4V
1.6V
1.8V
2.0V
2.2V
2.4V
2.6V
ID(M1)
V_Vgsn
Grfica 10. Ids vs Vgs Para diferentes Vds constante de 8 [V] en NMOS
2.8V
3.0V
3.2V
3.6V
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UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER
ESCUELA DE INGENIERAS ELCTRICA, ELECTRNICA Y DE TELECOMUNICACIONES
1.4mA
1.2mA
1.0mA
0.8mA
0.6mA
0.4mA
0.2mA
0A
0V
0.2V
0.4V
0.6V
0.8V
1.0V
1.2V
1.4V
1.6V
1.8V
2.0V
2.2V
2.4V
2.6V
2.8V
3.0V
3.2V
IS(M2)
V_Vdsp
Grfica 11. Ids vs Vds Para diferentes Vgs (2.5, 3 y 3.5 [V]) en PMOS
2.0mA
1.6mA
1.2mA
0.8mA
0.4mA
0A
1.0V
1.2V
1.4V
1.6V
1.8V
2.0V
2.2V
2.4V
2.6V
IS(M2)
V_Vgsp
Grfica 12. Ids vs Vgs Para diferentes Vds constante de 8 [V]en PMOS
2.8V
3.0V
3.2V