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GRUPO: GR-3.
INGENIERO: Al
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1. Tema
POLARIZACIÓN Y AMPLIFICACIÓN CON FETs.
2. Objetivos
• Analizar e implementar circuitos de polarización para JFET.
3. Trabajo Preparatorio
3.1 Consultar las principales caracterı́sticas de los transistores de
efecto de campo.
Es una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para con-
trolar la conductividad de un canal en un material semiconductor. Es un dis-
positivo de 3 terminales de juntura NP, donde permite controlar una corriente
por medio de un voltaje. Existen 2 tipos: JFET (Juntura) y MOSFET:
Cuando estos transistores funcionan como amplificadores suministran una
corriente de salida que es proporcional a la tensión aplicada a la entrada.
Las caracter´ısticas principales de un JFET son [2]:
2
Polarización Fija.
VG = BAT 3 = −2[V ]
VGS = VG − VS, se considera que VS = 0[V ] por lo que VGS = VG = −2[V ]
ID = IDSS (1 − VGS 2) = 20[mA](1 − 2) 2= 12[mA]
Vp 8
VS = 0[V ]
VDS = VD = 12[V ]
12[V ]
IS = ID = 1000[Ω]
= 12[mA]
2[V ]
IG = − 1[M Ω]
= 2[uA]
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Auto-polarización.
Figure 2: Auto-polarización.
IG = 0[A]
VGS = VG − Vs considerando que VG = 0[V ] tenemos que VGS = −IDRS
ID = IDSS (1 − VGS 2) = 20[mA](1 − 10000ID 2) = 20[mA](1 − 1250ID)2donde
Vp 8
finalmente ID = 8 ∗ 10−4[A] Entonces
el valor de VGS = 2.64[V ]
Verificamos que se cumple lo siguiente: |VGS| < |Vp| VD
= VDD − IDRD = 17[V ] − 8 ∗ 10−4[A](10[kΩ]) = 9[V ] VDS =
VD − VS = 9[V ] − 3.3[kΩ](8 ∗ 10−4[A]) = 5.36[V ]
Verificamos que se cumple lo siguiente: VDS > Vp
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Polarización por Divisor de Voltaje.
10[KΩ]
VG = BAT 1 ∗ RB2
RB1+RB2
= 27[V ] ∗ 10[kΩ]+2.2[M Ω]
= 0.122[V ]
VS = IDRS = 3300ID
VGS 2
ID = IDSS(1 − )Vp = 312.5[uA](8 − 0.122 + 3300ID)2, donde finalmente
tenemos que
ID1 = −2.34[mA] , ID2 = −2.44[mA]
Adicionalmente, se tiene que VGS1 = 7.84[V ] con ID1 y con ID2 se tiene
VGS2 = 8.17[V ]
Verificamos que se cumple lo siguiente: |VGS1| < |Vp|
VS = ISRS = 7.72[V ]
VD = 27[V ] − (560[Ω] ∗ 2.34[mA]) = 25.68[V ]
VDS = VD − VS = 17.96[V ]
Verificamos que se cumple lo siguiente: VDS > Vp
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Polarización Fija.
Auto-Polarización.
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Polarización por Divisor de Voltaje.
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Figure 7: Valores obtenidos de Proteus.
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Figure 9: Valores de voltaje medidos en QUCs.
Auto-Polarización.
Nota: Al realizar la simulación en Proteus, se presenta el problema de que
este software de simulación maneja otros valores de IDSS y Vp para el JFET
2N3819, por lo cual a continuación se presenta la captura de pantalla de los
valores obtenidos en Proteus y los valores obtenidos en otro programa como es
QUCs.
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Figure 10: Valores obtenidos de Proteus
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Figure 12: Valores de voltaje medidos en QUCs.
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Figure 14: Valores de corriente medidos en QUCs.
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CARACTERÍSTICAS GENERALES
Parámetro Significado Valor Unidad
VDG Voltaje drenaje-compuerta 30 V
VGS Voltaje compuerta-fuente -30 V
IGF Corriente de compuerta delantera 10 mA
Rango de temperatura de la unión,
TJ ,TSTG -55;150 °C
operación y almacenamiento
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Parámetro Condición Mı́nimo/Máximo Unidad
Voltaje de ruptura
IG=-1.9[uA], VDS=0 -30/0 V
compuerta-fuente
Corriente inversa
VGS=-20[V], VDS=0 0/100 pA
de compuerta
Voltaje de corte
VDS=15[V], ID=1.9[nA] -2.0/-6.0 V
de fuente
Corriente de drenaje
de voltaje compuerta VDS=15[V], VGS=0 5.0/15 mA
cero
Transconductancia
VGS=0, VDS=15[V], f=1[KHz] 4500/7500 uS
delantera
Conductancia de
VGS=0, VDS=15[V], f=1[KHz] 0/50 uS
salida
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Amplificador con JFET I.
56[kΩ]
VG = 30[V ] ∗ 56[kΩ]+1[M Ω]
= 1.59[V ]
VS = ID(560)
VGS = 1.59[V ] − ID(560)
ID = 2[mA](1 + V8GS )2
VGS = 1.59 − (560)(2[mA])(1 + VGS
8
)2
VGS1 = 0.36[V ], VGS2 = −73.5[V ]
VGSQ = 0.36[V ], IDSQ = 2.18[mA]
VD = 30 − ID = (1.8[kΩ]) = 26.07[V ]
VDS = 24.85[V ]
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Análisis en AC.
Ai = 0
Av = −gmRLt
gm = 2(2[mA]) (1 + 0.36 )2 = 0.52[mS]
8 8
Av = −0.8
ZinT = ∞
Zin = Rg = R1||R2 = 53.03[kΩ]
Zout = RLt = 1.525[kΩ]
El voltaje de salida para este caso es de 4.37[V], obtenido de la
implementación del circuito en Proteus.
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IG = 0[A], ID = IS, VG = 0[V ]
VS = IS(220 + 2.7[kΩ])
VGS = −IS(2920Ω)
VGS 2
ID = − RVsGS , ID = IDSS(1 − Vp)
− VGS
Rs
= 2[mA](1 + V8GS )2
VGS1 = −2.63[V ], VGS2 = −24.4[V ]
VGSQ = −2.63[V ], IDQ = 0.9[mA]
VD = −ID(5.6[kΩ]) + 24[V ] = 18.96[V ]
VDS = 16.33[V ]
Análisis AC.
Ai = ig = o
=0
id id
id (RL t ) gm Vgs RL t
Av = Vout
Vin
= − VgsidRs
= − = − gmRLt
Vgs+gm VgsRs1 1+gm Rs1
− 2∗ IDSS
Vgs 2
gm = vp (1
− V)p
= 0.1[mS]
Av = −0.35, ZinT = ∞, Zin = 10[M Ω], Zout = 3.58[kΩ]
El voltaje de salida para este caso es de 1[V], obtenido de la implementación
del circuito en Proteus.
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A continuación se presenta los cálculos utilizados para obtener ciertas car-
acterı́sticas de este tipo de amplificación.
Para la Figura se tiene:
Análisis en DC.
Se asume ID = 2[mA] y Vp = −8[V ].
VG = 0[V ]
VS = ID(2.2[kΩ])
ID = 2[mA](1 + V8GS )2
VGS = −ID(2.2[kΩ]) = −(2.2[kΩ]) ∗ 2[mA](1 + V8GS )2
VGS1 = −2.26[V ], VGS2 = −28 − 28[V ]
VGSQ = −2.26[V ], IDQ = 1.027[mA]
VD = 10 − ID(8.2[kΩ]) = 1.58[V ]
VDS = −J .68[V ]
Análisis en AC.
Ai = 0
2.26
gm = 2(2[mA])
8
(1 − 8
) = 0.36[mS]
Av = −gmRLt = −(0.36[mS])(8.2[kΩ]) = −2.94
ZinT = ∞, Zin = 1[M Ω], Zout = 8.2[kΩ]
El voltaje de salida para este caso es de 130[mV], obtenido de la
implementación del circuito en Proteus.
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Figure 19: Circuito implementado
18
Voltajes de polarización.
19
Figure 23: Circuito implementado
20
Voltajes de polarización.
21
Figure 27: Circuito implementado
22
Voltajes de polarización.
References
[1]”Dispositivos Electrónicos”, Tarquino Sánchez, Escuela Politécnica Na-
cional, 2006.
[2]2019. [En l´ınea]. Disponible en: http://conocimientosfet.blogspot.com/2010/02/diferencias
-entre-el-jfet-y-el-bjt.html. [Acceso: 14-dic.2019].
[3]2019. [En l´ınea]. Disponible: https://pdf1.alldatasheet.es/datasheet-
pdf/view/180926/FAIRCHILD/J304.html. [Acceso: 14 de mayo de 2019].
.
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