etal
xide
emiconductor
ield
ffect
ransistor
Transistores de efecto de campo
JFET
MOSFET
1930 - Concepto basico.
1980 - Popularizacin
1960 - Comercializacin
Comparacin con los BJT
Los transistores MOS ocupan menos espacio.
Su proceso de fabricacin es tambin ms simple.
Existe un gran nmero de funciones lgicas que pueden
ser implementadas nicamente con transistores MOS
BJT(Bipolar Junction Transistor) Transistores de unin bipolar
Fue ideado tericamente por el alemn Julius Von Edgar
Lilienfeld en 1930, aunque debido a problemas de carcter
tecnolgico y el desconocimiento acerca de cmo se
comportan los electrones sobre la superficie del
semiconductor no se pudieron fabricar hasta dcadas ms
tarde.
Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales
electrnicas.
Es un arreglo de cientos de transistores integrados en un sustrato de
silicio.
Es un dispositivo controlado por tensin.
Es un dispositivo extremadamente veloz en virtud a la pequea
corriente necesaria para estrangular o liberar el canal.
Tipos
Enriquecimiento
Empobrecimiento
Se usa mucho
Tiene un uso
limitado,
principalmente en
circuitos de
radiofrecuencia.
Circuitos discretos
Interruptores de
potencia
Circuitos integrados
Conmutacin digital,
proceso bsico que
fundamenta los
ordenadores
modernos
Canal P
G
S
S
Canal N
Canal N
Canal P
MOSFET acumulacin
MOSFET deplexin
(Enriquecimiento)
(Empobrecimiento)
G - Puerta (GATE)
D - Drenador (DRAIN)
S - Surtidor o fuente (SOURCE)
Principio de funcionamiento:
Se basan en el efecto de campo entre estas dos placas separadas por un dielectrico
Capasitor
Se muestra como un corto circuito pero se regular con un voltaje positivo o negativo
Principio de funcionamiento:
S se aplica un voltaje positivo, la placa
superior se carga positivamente
S aumenta el voltaje, la densidad de campo
elctrico aumenta.
Principio de funcionamiento:
Lo mismo aplica al cargar negativamente,
la placa superior se carga negativamente
S aumenta el voltaje, la densidad de campo
elctrico aumenta.
Principio de funcionamiento:
Para entender mejor su funcionamiento, se realizarn cambios
La placa superior seguir siendo igual y la placa inferior se cambiar por un
semiconductor, en este caso un semiconductor tipo p (huecos).
Principio de funcionamiento:
S se aplica un voltaje positivo la placa superior se carga positivamente
Esta carga positiva tratar de repeler los huecos hacia la parte inferior del semicondutor
Al aumentarse el potencial aparece una regin verde llamada Regin de carga espacial
Impuresas
aceptores
Los huecos que estaban distribuidos uniformemente, estn siendo desplazados hacia la
parte inferior del semiconductor
Principio de funcionamiento:
Cuando el voltaje es muy intenso los portadores minoritarios en el semiconductor son
atraidos haca la superficie del semicondutor
Incremento de
electrones
Hace que el semiconductor pase de ser p a ser semiconductor tipo n, solamente en la
superficie del conductor.
Principio de funcionamiento:
Al incrementarse el voltaje, se enriquese el incremento de electrones (canal)
Principio de funcionamiento:
Se basan en el efecto de campo entre estas dos placas separadas por un dielectrico
Capasitor
Se muestra como un corto circuito pero se regular con un voltaje positivo o negativo
Principio de funcionamiento:
S se aplica un voltaje positivo, la placa
superior se carga positivamente
S aumenta el voltaje, la densidad de campo
elctrico aumenta.
Principio de funcionamiento:
Lo mismo aplica al cargar negativamente,
la placa superior se carga negativamente
S aumenta el voltaje, la densidad de campo
elctrico aumenta.
Principio de funcionamiento:
Para entender mejor su funcionamiento, se realizarn cambios
La placa superior seguir siendo igual y la placa inferior se cambiar por un
semiconductor, en este caso un semiconductor tipo p (huecos).
Principio de funcionamiento:
S se aplica un voltaje positivo la placa superior se carga positivamente
Esta carga positiva tratar de repeler los huecos hacia la parte inferior del semicondutor
Principio de funcionamiento:
Al aumentarse el potencial aparece una regin verde llamada Regin de carga espacial
Impuresas
aceptores
Los huecos que estaban distribuidos uniformemente, estn siendo desplazados hacia la
parte inferior del semiconductor
Principio de funcionamiento:
Cuando el voltaje es muy intenso los portadores minoritarios en el semiconductor son
atraidos haca la superficie del semicondutor
Incremento de
electrones
Hace que el semiconductor pase de ser p a ser semiconductor tipo n, solamente en la
superficie del conductor.
Principio de funcionamiento:
Al aumentarse un voltaje se ve claramente que los electrones se van a la superficie del
semicondutor y los huecos al inferior de la misma.
Puntos rojos Electrones
Cuadritos - Huecos
Para que funcione como
transistor se debe
aprovechar el canal que se
forma.
Aqu se muestra ya un diagrama ms complejo
El objetivo es unir la regin
de fuente y drenaje mediante
un canal, para que por ese
canal pueda fluir la corriente
Malla VDS
El control de la corriente se
establecer por el campo
elctrico producido por la
compuerta y el sustrato.
Entre estos dos se forma un
capasitor.
(Lo ya explicado
anteriormente)
Malla VGS
Como ya se vio
anteriormente, al
incrementar el voltaje se
forma un canal.
Este canal se forma desde los
6v, ese es nuestro voltaje
critico.
VT= Voltaje umbral
Para que pueda fluir la
corriente entre fuente y
Drenaje, se necesita una
fuente externa para que se
pueda generar corriente
El voltaje se incrementa, ms
sin embargo no es suficiente
para que pueda fluir la
corriente
Al llegar a los 6v en adelante
hay canal, por lo tanto hay
flujo de corriente
Mientras aumenta el voltaje
aumenta la corriente.
S VGS llega al maximo
En este caso a 10v la malla
ser controlada por VDS.
Hasta llegar a un punto en
que la corriente no cambiar
y solo disminuir si regulamos
V GS.
Siempre y cuando halla canal.
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulacin de canal N
Curvas caractersticas
ID (mA)
10
40
ID
30
U DS
U GS
UGS
20
6
10
Por debajo de
esta tensin no
se forma el canal
UDS (V)
A partir de un cierto valor de UGS se forma el canal entre drenador y fuente.
Por debajo de este lmite el transistor est en corte.
Dependiendo de la tensin UDS se puede tener un equivalente resistivo o de
fuente de corriente entre D y S
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulacin de canal P
Curvas caractersticas
ID (mA)
-40
ID
-30
U DS
U GS
-10
UGS
-8
-20
-6
-10
-4
-2
-4
-6
-8
UDS (V)
Canal P: comportamiento equivalente al del MOSFET de canal N pero con los
sentidos de tensiones y corrientes invertidos
Estructura y funcionamiento de un MOSFET de deplexin de canal N
G
ID (mA)
UGS
2
40
30
Difusin hecha durante
el proceso de fabricacin
20
Ya hay canal
formado
-2
10
2
UDS (V)
En los MOSFET de deplexin el canal se forma mediante una difusin adicional
durante el proceso de fabricacin
Con tensin UGS nula puede haber circulacin de corriente de drenador
Es necesario aplicar tensin negativa UGS para cerrar el canal
Bibliografa:
Principios de electrnica. Principios de Electrnica, de Albert Paul
Malvino, edit. Mc Graw Hill quinta edicin, Espaa 1994. Captulo 1
Introduccin. Captulo 14 MOSFET
Youtube, Fernando Ramirez (2014) 19.1 Funcionamiento de los
Transistores MOSFET y JFET. Recuperado de
https://www.youtube.com/watch?v=5dNvnTPTwRo
