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DIODOS DE POTENCIA Uno de los dispositivos, ms importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aun que tienen,

entre otras, las siguientes limitaciones: Son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y ctodo.

Los diodos de potencia se caracterizan por que en su estado de conduccin, deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una pequea intensidad de fugas, tal y como se muestra en su curva caracterstica.

Smbolo y caracterstica esttica corriente-tensin de un diodo de potencia Dnde: Caractersticas ms importantes de los diodos Caractersticas estticas: o Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa). o Parmetros en conduccin. o Modelo esttico. Caractersticas dinmicas: o Parmetros de encendido. o Parmetros de apagado. o Influencia del en la conmutacin.

Caractersticas de bloqueo

Tensin inversa de trabajo ( ): mxima tensin inversa que puede soportar de forma continuada sin peligro de avalancha. Tensin inversa de pico repetitivo ( ): Mxima tensin inversa que puede soportar por tiempo indefinido si la duracin del pico es inferior a 1ms y su frecuencia de repeticin inferior a 100 Hz. Tensin inversa de un pico nico ( ): Mxima tensin inversa que puede soportar por una sola vez cada 10 o ms minutos si la duracin del pico es inferior a 10 ms. Tensin de ruptura ( ): Valor de la tensin capaz de provocar la avalancha aunque solo se aplique una vez un tiempo superior a 10 ms.

Parmetros en conduccin Intensidad media nominal ( ): Es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos sinusoidales que el diodo puede soportar en forma continua. Intensidad de pico repetitivo ( )= Es aquella que puede ser soportada cada 20ms, con una duracin de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cpsula (normalmente de 25). Intensidad directa de pico no repetitiva ( ): es el mximo de pico de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms.

Modelos estticos del diodo Los modelos del diodo en su regin directa (modelos estticos) se representan en la siguiente figura. Estos modelos facilitan los clculos a realizar, para lo cual debemos escoger del modelo adecuado segn el nivel de precisin que se necesite.

Estos modelos se suelen emplear para clculos a mano, reservando modelos ms complejos para programas de simulacin como PSIPICE. Dichos modelos suelen ser proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en las libreras del programa. Caractersticas dinmicas Estas caractersticas estn referidas al proceso de conmutacin del diodo, tanto en el proceso de encendido como de apagado.

Parmetros de encendido Tensin directa : Cada de tensin del diodo en rgimen permanente para la corriente nominal. tensin de recuperacin directa : Tensin mxima durante el encendido. Tiempo de recuperacin directa : Tiempo para alcanzar el 110% de . Tiempo de subida : Tiempo en el que la corriente pasa del 10% al 90% de su valor directo nominal. Suele estar controlado por el circuito externo. Este ltimo es bastante menor que el de recuperacin inversa y no suele producir prdidas despreciables. Parmetros de apagado El paso del estado de conduccin al bloqueo (y viceversa) en el diodo no se efecta instantneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad , la zona central de la unin P-N est saturada de portadores mayoritarios con una mayor densidad de stos cuando mayor sea , si mediante la aplicacin de una tensin , resultar que despus del paso inversa forzamos la anulacin de la corriente con cierta velocidad por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus del tiempo llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unin de la zona de carga espacial. La intensidad todava tarda un tiempo (llamado tiempo de cada) en pasar de un calor de pico negativo a un valor despreciable mientras va desapareciendo el exceso de portadores.

Teniendo estas caractersticas en cuenta se definen los siguientes parmetros: (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo. (tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que sta se anula, y es debido a la carga de la capacidad de la unin polarizada en inverso. En la pragtica se uele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 25% de ste. (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de y .

Por lo tanto, representa el tiempo que durante el apagado del diodo, tarda la intensidad en alcanzar su valor mximo (negativo) y retornar hasta un 25% de dicho valor (Tpicamente 10seg para los diodos normales y 1seg para los diodos de recuperacin rpida) : se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea negativa de la caracterstica de recuperacin inversa del diodo. : es el pico negativo de la intensidad y tambin se puede encontrar representado como . es conocida como factor se suavizado SF. por el rea de un tringulo:

La relacin entre

Si observamos la grfica podemos considerar

De donde:

Para el clculo de los parmetros Para Para En el primer caso obtenemos:

podemos suponer uno de los dos siguientes casos:

Y en el siguiente caso:

Influencia del

en la conmutacin

El tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable, por lo tanto: Se limita la frecuencia de funcionamiento. Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin inversa. Por lo tanto,si operamos a altas frecuencias debemos operar con diodos de recuperacin rpida.

Los principales factores de los que dependen el tiempo de recuperacin inversa son los siguientes: ; cuando mayor sea, mayor ser , Esto se debe a que la carga almacenada ser mayor. ; cuando mayor sea, menor ser En este caso sin tensin inversa es mayor se necesita menos tiempo para evaluar los portadores almacenados. , cuando mayor sea, menor ser . No obstante, el aumento de esta pendiente aumentara el valor de la carga almacenada Q Esto producir mayores prdidas.

Diodo rectificador normal Presenta altos tiempos de recuperacin inversos y es normalmente utilizando en aplicaciones de baja frecuencias.

Diodos Schottky Se utilizan cuando se necesita una cada de tensin muy pequea (0.3 V tpicos) para circuitos con tensiones de salida pequeas. Tienen limitada su capacidad de bloquear tensin a 50 100 V.

Diodos de recuperacin rpida Son adecuados en circuitos de frecuencia elevada en combinacin de conmutadores controlables, donde se necesitan tiempos de recuperacin pequeos. Para unos niveles de potencia de varios cientos de voltios y varios cientos de amperios, estos diodos poseen un de pocos microsegundos. Un diodo con esta variacin

de corriente tan rpida necesitara circuitos de proteccin, sobre todo cuando el circuito exterior encontramos elementos inductivos.