Estructura del MOSFET de empobrecimiento

Mosfet de empobrecimiento canal N

Una placa de material tipo p se forma en una base de silicio y se le denomina
sustrato. Es el cimiento sobre el que se construir el dispositivo.
En algunos casos el sustrato se conecta internamente con la terminal fuente,
sin embargo, muchos dispositivos discretos suministran una terminal adicional
denominada SS, resultando un dispositivo de cuatro terminales, como aparece
en la figura. Las terminales de fuente y drenaje se conectan a travs de
contactos metlicos a las regiones con dopado tipo n unidas mediante un canal
n.
La compuerta tambin se conecta a una superficie de contacto metlico pero
permanece aislada del canal n por una capa muy delgada aislante de dixido
de silicio (SiO2) conocido como un dielctrico.

El hecho de que la capa de SiO2 sea una capa aislante revela el hecho
siguiente: no hay una conexin elctrica directa entre la terminal de compuerta
y el canal para un MOSFET. Adems la capa aislante de SiO2 en la construccin
del MOSFET es la que cuenta para la muy conveniente alta impedancia de
entrada del dispositivo

Mosfet de empobrecimiento canal P

La construccin de un transistor MOS-FET de tipo decremental o de
empobrecimiento de canal P es exactamente de forma inversa al de canal N,
pero cambian el sustrato que es de material tipo N y el canal drenador-fuente
que es de tipo P. como consecuencia las polaridades y direcciones de corriente

tambin estn invertidas. Las caractersticas y el modo de funcionamiento son

similares al tipo de canal N.

Smbolos

Los smbolos ms habituales utilizados para la representacin en circuitos de

los MOSFET de acumulacin son los que aparecen representados en la Figura.
El terminal de puerta no tiene conexin con el resto de terminales, ya que, est
aislado elctricamente del resto del dispositivo. Pero, a diferencia del MOSFET
de acumulacin los terminales de drenador y fuente estn unidos a travs de
una lnea continua, esta lnea hace referencia al canal que ahora s que existe
desde un principio. La flecha indica el sentido en que circulara la corriente en
el caso de que la unin pn estuviera polarizada en directa.

MOSFET de empobrecimiento canal N

MOSFET de empobrecimiento canal P

Caracterstica de transconductancia de un MOSFET de empobrecimiento

Es similar a la del JFET pero la tensin del graduador puede ser positiva. En la
figura se ve dicha caracterstica. La relacin matemtica es la misma que la del
JFET.

Ntese como la curva es dibujada en los dos cuadrantes del eje de tensiones.
Esto es debido a que puede operar tanto con tensiones positivas como
negativas. Por esto la corriente IDSS que corresponde a la interseccin de la
curva con el eje ID ya no es la de saturacin.

Bibliografia
http://www.academia.edu/5378449/201419_8
http://delegacion.etsiae.upm.es/index.php/segundo/eau-electronica-yautomatica/152-eau-apu-apuntes-transistores/file
Fundamentos de electrnica analgica
By Gustavo Camps Valls, Jos Esp Lpez, Jordi Muoz Mar