UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA

Fecha: 12/12/2018

TRANSISTORES DE POTENCIA
Llano Catota Edgar Roberto
e-mail: ellanoc@est.ups.edu.ec

1.2.1.2 MOSFET tipo

1. MARCOTEÓRICO agotamiento de canal
p.
1.1 MOSFET de Potencia
𝑉𝐺𝑆 se vuelve positivo, el canal se ensancha e 𝐼𝐷𝑆 se
Un MOSFET de potencia es un dispositivo
incrementa por la reducción de 𝑅𝐷𝑆 . Con un MOSFET tipo
controlado por voltaje y requiere sólo una pequeña
agotamiento de canal p, las polaridades de 𝑉𝐷𝑆 , 𝐼𝐷𝑆 𝑦 𝑉𝐺𝑆 se
corriente de entrada. Los MOSFET de potencia se
invierten. (Rashid, 2015, pág. 137)
utilizan cada vez más en convertidores de alta
frecuencia y baja potencia. Los MOSFET no tienen
los problemas de fenómenos de segunda ruptura
como los BJT. Sin embargo, los MOSFET tienen los
problemas de descarga electrostática y requieren un
cuidado especial en su manejo. Además, es
relativamente difícil protegerlos en condiciones de
falla por cortocircuito. (Rashid, 2015, pág. 137)
Fig .MOSFET tipo agotamiento de canal p
Fuente: (Rashid, 2015, pág. 138)

1.2.2 MOSFETS de enriquecimiento

Fig .MOSFET de Potencia
Fuente: (Perez, 2016, pág. 102) 1.2.2.1 MOSFET tipo
enriquecimiento de
1.2 Tipos de MOSFET canal n.
Aquel que no tiene un canal físico. Si 𝑉𝐺𝑆 es positivo, un
1.2.1 MOSFETS de agotamiento voltaje inducido atrae electrones del sustrato p y los
acumula en la superficie debajo de la capa de óxido. Si 𝑉𝐺𝑆
es mayor que o igual a un valor conocido como voltaje de
1.2.1.1 MOSFET tipo umbral 𝑉𝑇 , un número suficiente de electrones se acumulan
agotamiento de canal para formar un canal n virtual, como lo indican las líneas
n. sombreadas y la corriente fluye del drenaje a la fuente.
Se forma sobre un sustrato de silicio tipo p, con dos (Rashid, 2015, pág. 138)
secciones de silicio 𝑛+ fuertemente dopados para las
conexiones de baja resistencia. La compuerta se aísla del
canal con una delgada capa de óxido. Las tres terminales
se llaman, compuerta, drenaje y fuente. (Rashid, 2015,
pág. 137)

Si 𝑉𝐺𝑆 es negativo, algunos de los electrones en el área

del canal n se repelen y se crea una región de
agotamiento debajo de la capa de óxido, y el resultado es
un canal efectivo más angosto y una alta resistencia del
Fig .MOSFET tipo enriquecimiento de canal n
drenaje a la fuente, 𝑅𝐷𝑆 . Si 𝑉𝐺𝑆 se hace lo bastante Fuente: (Rashid, 2015, pág. 139)
negativo, el canal se agota por completo, ofrece un alto
valor de 𝑅𝐷𝑆 , y no fluye corriente del drenaje a la fuente,
1.2.2.2 MOSFET tipo
𝐼𝐷𝑆 = 0. (Rashid, 2015, pág. 137)
enriquecimiento de
canal p.

Las polaridades de 𝑉𝐷𝑆 , 𝐼𝐷𝑆 𝑦 𝑉𝐺𝑆 se invierten en un

MOSFET tipo enriquecimiento de canal p, Los MOSFET
tipo enriquecimiento se utilizan como dispositivos de
conmutación en la electrónica de potencia.
Fig .MOSFET tipo agotamiento de canal n
Fuente: (Rashid, 2015, pág. 138)

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Por la alta corriente de drenaje y el bajo voltaje de

drenaje, los MOSFETs de potencia se utilizan en la región
lineal para acciones de conmutación. En la región de
saturación, la corriente de drenaje permanece casi
constante para cualquier incremento del valor de 𝑉𝐷𝑆 y los
transistores se utilizan en esta región para amplificación de
voltaje. (Rashid, 2015, pág. 142)

Fig .MOSFET tipo enriquecimiento de canal p.

Fuente: (Rashid, 2015, pág. 139)

1.3 Características en estado estable

Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje y
su impedancia de entrada es muy alta. La compuerta
absorbe una corriente de fuga muy pequeña, del orden de
nanoamperes. La transconductancia, la cual es la relación
de la corriente de drenaje al voltaje de compuerta, define
las características de transferencia y es un parámetro muy
importante. (Rashid, 2015, pág. 140)
Fig .Características de salida de un MOSFET tipo enriquecimiento.
Fuente: (Rashid, 2015, pág. 141)

El modelo de conmutación en estado permanente, el cual es el

mismo tanto para MOSFETS tipo agotamiento como para tipo
enriquecimiento. (Rashid, 2015, pág. 142)

Fig .Las características de transferencia para MOSFETS de
agotamiento
Fuente: (Rashid, 2015, pág. 141)
 𝑅𝐷 : Es la resistencia de carga.
 𝑅𝐺 : Resistencia grande en el orden de megohms entre
la compuerta y la fuente para establecer el voltaje de
compuerta a un nivel definido.
 𝑅𝑆 (≪ 𝑅𝐺 ) limita las corrientes de carga mediante las
capacitancias internas del MOSFET.
 La transconductancia se define:
𝛥𝐼𝐷
𝑔𝑚 = |
𝛥𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐷𝑆=𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒

Fig .Las características de transferencia para MOSFETS de

enriquecimiento
Fuente: (Rashid, 2015, pág. 141)

𝑖𝐷 = 𝐾𝑛 (𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑣𝐺𝑆 > 𝑉𝑇 𝑦 Fig .Modelo de conmutación es estado permanente de MOSFETs.
𝑣𝐷𝑆 ≥ (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇) Fuente: (Rashid, 2015, pág. 142)

donde 𝐾𝑛 es la constante 𝑀𝑂𝑆, 𝐴/𝑉 2 1.4 Características de conmutación

𝑣𝐺𝑆 , es el votaje de compuerta a fuente, 𝑉
𝑉𝑇 es el voltaje umbral, 𝑉 El modelo de conmutación de MOSFETs con
capacitancias parásitas.
Las características de salida de un MOSFET de
enriquecimiento de canal n. Hay tres regiones de
operación:

1. Región de corte: 𝑉𝐺𝑆 ≤ 𝑉𝑇

2. Región de estrangulamiento o de saturación:
𝑉𝐷𝑆 ≥ 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇
3. Región lineal 𝑉𝐷𝑆 ≤ 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 (La corriente de
drenaje 𝐼𝐷 varia en proporción al voltaje de
drenaje a fuente 𝑉𝐷𝑆 ).

Fig .Modelo conmutación del MOSFET

Fuente: (Rashid, 2015, pág. 144)

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Las formas de onda y tiempos de conmutación DMOSFET de SiC 4H de 10 A, 10 kV, el cual es similar.
(Rashid, 2015, pág. 145)

Las estructuras generales de los MOSFET de ambas

figuras son las mismas. Sin embargo, las dimensiones y las
concentraciones de las capas 𝑛+ y 𝑝+ determinarán las
características del MOSFET, como las capacidades de
voltaje y corriente. (Rashid, 2015, pág. 145)

2. CONCLUSIONES
 Se determinó los MOSFET son dispositivos
controlados por voltaje son utilizados en la
conmutación de cargas de alta velocidad, dado a
su tiempo de respuesta mínimo y también sirven
Fig .Las formas de onda y tiempos de conmutación amplificación de señales analógicas,
Fuente: (Rashid, 2015, pág. 145)
especialmente en aplicaciones de audio.

El tiempo de retraso de encendido o conducción 3. REFERENCIAS

𝑡𝑑(𝑜𝑛) es el tiempo que se requiere para cargar la
capacitancia de entrada al nivel del voltaje de umbral. El
tiempo de subida 𝑡𝑟 es el tiempo de carga de compuerta
[1] Electrónica de Potencia. (2015). Muhammad
del nivel de umbral al voltaje de compuerta completo 𝑉𝐺𝑆𝑃 , H.Rashid, Electrónica de Potencia (4ª edición
el cual se requiere para llevar el transistor a la región ed.). México: Pearson Educación.
lineal. El tiempo de retraso de apagado o bloqueo 𝑡𝑑(𝑜𝑓𝑓)
es el tiempo requerido para que la capacitancia de entrada [2] Pérez, J. (2016). Electrónica de Potencia:
se descargue del sobrevoltaje de compuerta 𝑉1 a la región Modelado y Control de Convertidores CD-CD.
de estrangulamiento. 𝑉𝐺𝑆 debe disminuir de manera
significativa antes de que 𝑉𝐷𝑆 comience a subir. El tiempo México: Pearson Educación.
de caída 𝑡𝑓 es el tiempo requerido para que la capacitancia
de entrada se descargue de la región de estrangulamiento
al voltaje de umbral. Si 𝑉𝐺𝑆 ≤ 𝑉𝑇 , el transistor se apaga.
(Rashid, 2015, pág. 144)

1.5 MOSFETs de carburo de silicio

Los MOSFET de alto voltaje sufren dos limitaciones

importantes: (1) las bajas movilidades del canal que
ocasionan una resistencia adicional en estado de
conducción del dispositivo, y por consiguiente pérdidas de
potencia incrementadas en estado de conducción, y (2) la
falta de fiabilidad y la inestabilidad de la capa de óxido de
la compuerta, sobre durante largos periodos y a
temperaturas elevadas. (Rashid, 2015, pág. 145)

Fig .Corte Trasversal de una celda de un D MOSFET de SiC 4H

de 10 A, 10 Kv.
Fuente: (Rashid, 2015, pág. 146)

Se muestra (a) el corte transversal de una estructura

de MOSFET de SiC típica. Por lo común, el dispositivo
debe estar apagado o en estado de bloqueo debido a la
unión pn invertida entre la deriva n y la pared p. Un voltaje
de umbral de compuerta a fuente positivo debe permitir
que el dispositivo rompa la unión pn y el dispositivo debe
conducir. El corte transversal de una celda de un

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