INTRODUCCIN

El SCR tiene una cada en conduccin muy baja, pero necesita que el circuito de potencia anule su corriente andica. Esto ha reducido su empleo a circuitos de alterna (bloqueo natural con una conmutacin por ciclo). Desde los primeros aos del SCR los fabricantes han intentado conseguir que los SCR pudiesen cortarse desde la puerta A principios de los aos 80 aparecen los primeros GTOs. Porqu no puede cortarse un SCR desde puerta?
CTODO (K) PUERTA (G)

TEMA 7. TIRISTORES DE APAGADO POR PUERTA

7.1. INTRODUCCIN 7.2. ESTRUCTURA Y FUNCIONAMIENTO DEL GTO 7.3. ESPECIFICACIONES DE PUERTA EN EL GTO 7.4. CONMUTACIN DEL GTO 7.4.1. Encendido del GTO 7.4.2. Apagado del GTO 7.5. MXIMA CORRIENTE ANDICA CONTROLABLE POR CORRIENTE DE PUERTA 7.6. OTROS DISPOSITIVOS DE APAGADO DESDE LA PUERTA. 7.6.1. Tiristor Controlado por Puerta Integrada: IGCT. 7.6.2. Tiristor Controlado por Puerta MOS: MCT 7.7. COMPARACIN ENTRE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA. 7.8. ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIN DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA

VGK<0

Unin Catdica n+ n+ Capa Catdica

p
Unin de Control Unin Andica p+

Capa de Control

n-

Capa de Bloqueo Capa Andica NODO (A)

Al aplicar una tensin negativa en la puerta (VGK<0), circula una corriente saliente por la puerta. Aparece una focalizacin de la corriente ando-ctodo hacia el centro de la difusin n+ catdica debido a la tensin lateral. Esta corriente polariza directamente la zona central de la unin catdica, manteniendo al SCR en conduccin.

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ESTRUCTURA DEL GTO

Ctodo

CARACTERSTICA ESTTICA DEL GTO

iA

Puerta

n+ p

Puerta

n+

Puerta

BV2030 V

VAK
np+ n+ p+ n+ p+

nodo
nodo
Seccin de un GTO: Las principales diferencias con el SCR son: Interconexin de capas de control (ms delgada) y catdicas, minimizando distancia entre puerta y centro de regiones catdicas y aumentando el permetro de las regiones de puerta. Ataque qumico para acercar el contacto de puerta al centro de las regiones catdicas. Regiones n+ que cortocircuitan regiones andicas: Acelerar el apagado Tensin inversa de ruptura muy baja

nodo

Puerta Ctodo

Puerta Ctodo

Caracterstica esttica y smbolos de GTOs

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FUNCIONAMIENTO DEL GTO

A p1 n1 J2 G p2 n2 K J3 G p1 n1 J2 p2 n1 J2 p2 n2 K J3 G IG IB2 A IA = IE1 T1 IC1 T2 IK = -IE2 K A IB1 IC2

FUNCIONAMIENTO DEL GTO

Para conseguir cortar el GTO, con una corriente soportable por la puerta, debe ser

off =

J1

J1

2 1 + 2 1 lo mayor posible, para ello

debe ser: 2 1 (lo mayor posible) y 1 0 (lo menor posible). 2 1 implica que la base de T2 (capa de control) sea estrecha y poco dopada y que su emisor (capa catdica) est muy dopado. Estas condiciones son las normales en los SCR. 1 0 implica que la base de T1 (capa de bloqueo) sea ancha y tenga una vida media de los huecos muy corta. La primera condicin es normal en SCRs de alta tensin, la segunda no, porque ocasiona un aumento de las prdidas en conduccin. Para conseguir una buena ganancia off ser necesario asumir unas prdidas en conduccin algo mayores. Los cortocircuitos andicos evitan estas prdidas extras, al quitar corriente de base a T1 disminuyendo su ganancia sin tener que disminuir la vida media. Respecto a la velocidad de corte de T1, si la vida media de los huecos es larga, el transistor se vuelve muy lento, ya que solo pueden eliminarse por recombinacin al no poder difundirse hacia las capas p circundantes por estar llenas de huecos. Los cortocircuitos andicos aceleran la conmutacin de T1 al poder extraerlos (a costa de no soportar tensin inversa).

Al cebarlo por corriente entrante de puerta, tenemos exactamente el mismo proceso que en el SCR normal. Para bloquearlo, ser necesario sacar los transistores de saturacin aplicando una corriente de puerta negativa:

IB2=1IA-IG ; IC2= -IB1 = (1-1) IA

La no saturacin de T2 IB2< IC2 /2 dnde 2= 2 sustituyendo las ecuaciones anteriores en la desigualdad obtenemos:

/(1-2)

I B2 <

I C 2 (1 2 ) (1 1 ) (1 2 ) = I A; 2 2

< I B2 = 1 I A I G

(1 1 ) (1 2 ) I A
2
,

luego:

IG >

dnde off es la ganancia de corriente en el momento del corte y vendr expresada por:

IA off

off =

2 1 +2 1

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ESPECIFICACIONES DE PUERTA DEL GTO

GTO Conduciendo GTO Bloqueado

CIRCUITO DE EXCITACIN DE PUERTA DEL GTO

IG

dIG /dt

IGM IGON

GM

Se necesita una fuente de tensin con toma media. Formas de Onda de la Corriente de Puerta a) Para entrar en conduccin, se necesita una subida rpida y valor IGM suficientes para poner en conduccin todo el cristal. Si slo entra en conduccin una parte y circula toda la corriente, se puede daar. Ntese que si slo entra en conduccin una parte bajar la tensin nodoctodo y el resto de celdillas que forman el cristal no podrn entrar en conduccin. b) Cuando se ha establecido la conduccin se deja una corriente IGON de mantenimiento para asegurar que no se corta espontneamente. (Tiene menos ganancia que el SCR). c) Para cortar el GTO se aplica una corriente IG =IA/off muy grande, ya que off es del orden de 5 a 10. d) Esta corriente negativa se extingue al cortarse el SCR, pero debe mantenerse una tensin negativa en la puerta para evitar que pudiera entrar en conduccin espordicamente.
-

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CONMUTACIN DEL GTO

AMORTIGUADOR DE ENCENDIDO:

CONMUTACIN DEL GTO. ENCENDIDO POR CORRIENTE POSITIVA DE PUERTA

+
Df

Carga + DLC Io

Limita la velocidad de subida de la corriente andica en el encendido, evitando que IA alcance valores muy altos cuando an no puede circular por todo el cristal (podra subir mucho debido a la recuperacin inversa de Df )

IG / t, Limitada por las inductancias parsitas IG IGM I GON t I A : Sin amortiguador de encendido IA td IAmax : Limitada por el amortiguador de encendido t V AK

Turn-on snubber Lon Lon

AMORTIGUADOR DE APAGADO:

Limita la velocidad de subida de la tensin andica en el apagado, las evitando que al subir VAK corrientes por las capacidades de las uniones lo ceben de nuevo

Don

DS

Turn-off snubber

L LS Inductancia parsita de las conexiones

GTO

CS

Formas de Onda en el Encendido del GTO

Circuito para el Estudio de la Conmutacin del GTO: Al no poder hacerlo funcionar sin estos componentes auxiliares, vamos a estudiar la conmutacin del GTO sobre este circuito completo.

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CONMUTACIN DEL GTO. APAGADO POR CORRIENTE NEGATIVA DE PUERTA

IG IGON t

MXIMA CORRIENTE ANDICA CONTROLABLE POR CORRIENTE DE PUERTA EN UN GTO Ctodo

+ Puerta n

Puerta

n+

Puerta

IA

ts

tcola

nVAK Resonancia de Cs y L (Prdidas) t

Formas de Onda en el Apagado del GTO

Focalizacin de la IA debido al potencial lateral Aumento de la resistividad

Al aplicar una corriente negativa por la puerta, se produce un campo lateral, que provoca que la corriente andica se concentre en los puntos mas alejados de las metalizaciones de puerta. Esto hace que aumente la resistividad de la capa de control.
Para que circule la corriente IG requerida, se necesita ms tensin. Si sube IA se necesita an ms tensin -VGK. Se podr subir -VGK hasta la tensin de ruptura de la unin Puerta-Ctodo. Esta ruptura definir la mxima corriente controlable desde la puerta

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TIRISTOR CONTROLADO POR PUERTA INTEGRADA: IGCT

FUNCIONAMIENTO DEL IGCT

GTO y Diodo de la misma tensin de ruptura. Para integrarlos en la misma oblea, hay que hacer el diodo ms ancho Ms prdidas

IGCT y Diodo de la misma tensin de ruptura. Se integran sin problemas. Se suprimen los cortocircuitos andicos, se sustituyen por una capa andica transparente a los electrones (emisor del transistor pnp muy poco eficaz 1 muy pequea. Esto permite hacer un dispositivo PT ms estrecho con menores prdidas en conduccin. Se mejora el diseo de la puerta (muy baja inductancia) 4.000 Amp/s (con una tensin Puerta-Ctodo de slo 20V). Apagado muy rpido menores prdidas en conmutacin.

En el IGCT, se consigue transferir TODA la corriente catdica a la puerta rpidamente, de forma que la unin catdica queda casi instantneamente polarizada inversamente y el apagado del SCR queda reducido al corte del transistor npn No es necesario un amortiguador de apagado. La ganancia de puerta ser 1 ya que toda la corriente andica se transfiere a la puerta.

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ZONA DE OPERACIN SEGURA DEL IGCT

MODULO CON UN IGCT

4.500V, 3.600Amp. Dimetro Oblea: 120 mm

Ejemplo de zona de operacin Segura de un IGCT. (Anloga a la de un BJT)

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TIRISTOR CONTROLADO POR PUERTA MOS: MCT

Conductor
A

COMPARACIN ENTRE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA

G Doff n
Soff
+ +

G n+ p n pn+ K K Son p G
off-FET

A Doff Son G Soff Don

on-FET

a)

b)

(a) Seccin Transversal del p-MCT. (b) Circuito Equivalente

A A

Comparacin de la cada de tensin en conduccin.

MOS
G G

IGBT

SCR

GTO

Fcil de controlar Velocidad Bajo coste (V<150V) Salida lineal Alto coste/kVA (V>300V)

rea de silicio rea de silicio Muy alta /kVA tensin /kVA Tensiones y rea de silicio Fcil de corrientes /kVA controlar No Snubber muy altas Cada en conduccin fmax 50kHz No se apaga Circuito de desde la puerta puerta Prdidas en Conmutacin Snubbers

Smbolos del MCT: a) p-MCT

b)

Estructura formada por un SCR y dos transistores MOS (uno para encenderlo y otro para apagarlo) Estructura compleja, con muchos requerimientos contradictorios.

Comenzaron las investigaciones en 1992, en la actualidad se han abandonado al no poder alcanzar potencias elevadas y no ser competitivo con el MOS en bajas potencias (frecuencia menor y mayor complejidad de fabricacin mayor costo).

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COMPARACIN ENTRE DISPOSITIVOS DE POTENCIA

ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIN DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA: COOL-MOS

Evolucin de la mxima potencia controlable con GTO e IGBT. (Fuente ABB) IMAX (kA) 7 6 5 4 3 2 1 1 2 3 4 5 6 7 VMAX (kV) IGBT Consiguen que la resistencia en conduccin crezca casi linealmente con la tensin de ruptura del dispositivo en vez de crecer con una potencia 2.6. Esto los hace interesantes para tensiones altas (600 a 1500Voltios). Existen comercialmente (Infineon). GTO

1 log(f) (kHz) 100 50 10 5 20 3

MOS

Mximas tensiones, corrientes y frecuencias alcanzables con transistores MOS, IGBT y GTO
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ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIN DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA: IEGT

Injection Enhanced Gate Thyristor: IEGT La razn por la que la cada en conduccin de un SCR o GTO es menor que en el IGBT radica en la doble inyeccin de portadores (desde el ctodo y desde el nodo). En el IGBT la inyeccin desde la fuente es muy limitada. En el IEGT, se consigue que la capa de fuente tenga una eficiencia muy alta (optimizando los perfiles de los dopados)

ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIN DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA: HiGT

Seccin de una celdilla elemental

Fuente

Seccin de una celdilla elemental Puerta

Fuente

Puerta

SiO 2

SiO 2

xido de puerta
n
+

xido de puerta
n+ canal n+ p n
+

n+ canal

n+ p

(sustrato)

(sustrato)

n
Regin de arrastre del Drenador

Regin de arrastre del n+

Drenador

n+

Capa de Almacenamiento Capa de Inyeccin

Capa de Almacenamiento Capa de Inyeccin

p+ (oblea)
Drenador

p+ (oblea)
Drenador

a) IGBT

b)HiGT (Hitachi)

La cada en conduccin puede ser comparable a la del GTO para los dispositivos existentes de 4.500V y 1.500Amp. En investigacin (Toshiba) Existen variantes (HiGT Hitachi)

El efecto es parecido al obtenido en el IEGT.

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ULTIMAS TENDENCIAS EN LA FABRICACIN DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA: COMPARACIN ENTRE LOS DISPOSITIVOS NUEVOS Y LOS CONSOLIDADOS

Comparacin de la cada en conduccin de dispositivos nuevos y consolidados

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