AGO-DIC2020

Trabajo de investigación

Electrónica
Industrial
MC. Ezequiel Caballero Ortiz

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 TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE PUEBLA

BASES DE LA ELECTRONICA INDUSTRIAL.

ASIGNATURA: ELECTRÓNICA INDUSTRIAL.

LUNES, MIERCOLES Y VIERNES.

GARCIA ZEFERINO ANDRES MANUEL 17221667

GONZALEZ SANCHEZ ERIKA PATRICIA 18220377
MACUITL LUNA SAUL 17221774
TLATILOLPA GONZALEZ JOSE EDUARDO 17221146

INGENIERÍA ELECTRICA.

Docente M.C Ezequiel Caballero Ortiz

PERIODO: Agosto-Diciembre

Fecha de Entrega 23/09/20207

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 DIODOS
Un diodo de potencia es un dispositivo semiconductor de unión PN de dos
terminales. Cuando el potencial del ánodo es positivo con respecto al cátodo se
dice que el diodo está polarizado directo y conduce. Cuando el potencial del
cátodo es positivo con respecto al ánodo, se dice que el diodo está polarizado
inverso.
Tipos de diodos de potencia:
1. Diodo de Uso General
2. Diodo de Recuperación Rápida
3. Diodo Schottky

Diodo de Uso General

Tienen un tiempo de recuperación inversa
relativamente grande, por lo general 25 µs y se
utilizan en aplicaciones de baja velocidad donde el
tiempo de recuperación no es crítico. Estos
abarcan capacidades de corrientes de menos de 1
Amp hasta varios miles de amperes, con
capacidades de voltaje desde 50 V hasta alrededor de 5 kV.

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Diodo de Recuperación Rápida
Tiene un tiempo de recuperación bajo, normalmente de
menos de 5 µs, se utilizan en circuitos convertidores de
CD-CD y de CD-CA donde la velocidad de recuperación
suele ser de importancia crítica. Estos diodos incluyen capacidades de voltaje
desde 50 v hasta alrededor de 3 kV, y desde menos de 1 Amper hasta cientos
de amperes.

Diodo Schottky
Se utilizan en aplicaciones de alta frecuencia y conmutación rápida, se forma
uniendo una región semiconductora dopada, generalmente tipo N, con un metal
como oro, plata, platino. La carga recuperada de un diodo Schottky es mucho
menor que la de un diodo de unión PN, un diodo Schottky tiene una caída de
tensión en sentido directo relativamente baja. El voltaje máximo admisible de
este diodo se suele limitar a 100 V y sus capacidades de corriente varían de 1 a
400 Amperes.

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 TRANSISTORES DE POTENCIA
1. Transistores de Efecto de Campo Semiconductores
de Óxido Metálico (MOSFETs)
2. Transistores Bipolares de Unión (BJTs)
3. Transistor Unijuntura (UJTs)
4. Transistores Bipolares de Compuerta Aislada (IGBTs)

MOSFETs
Es un dispositivo controlado por voltaje y requiere sólo una pequeña corriente de
entrada.
A) MOSFET de Agotamiento

De canal N se forma sobre un sustrato de silicio tipo P, con dos secciones de

silicio tipo N+ fuertemente dopadas para las conexiones de baja resistencia. Las
tres terminales se llaman Compuerta (G), Drenaje (D) y Fuente (S).
El voltaje de compuerta a fuente (VGS) puede ser positivo o negativo.
Si es negativo el canal se agota por completo y ofrece un valor alto de RDS y no
fluye corriente del drenaje a la fuente, I DS=0. El valor de voltaje cuando esto
sucede se denomina como voltaje de estrangulamiento (VP).
Por otra parte si VGS se vuelve positivo, el canal se ensancha e IDS se incrementa
por la reducción de RDS. Con un MOSFET tipo agotamiento las polaridades de
VDS, IDS y VGS se invierten.

B) MOSFET de Enriquecimiento

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Si VGS es positivo y es mayor o igual a un valor conocido como voltaje de umbral
(VT), un número suficiente de electrones se acumulan para formar un canal N
virtual y la corriente fluye del drenaje a la fuente. Las polaridades de V DS, IDS, VGS
se invierten.

Las aplicaciones de MOSFET discretos más comunes son:

• Resistencia controlada por tensión
• Circuitos de conmutación de potencia (HEXEFT, FREDET, etc.)
• Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

BJTs
Aunque hay tres configuraciones posibles: colector común, base común y emisor
común, en general se utiliza emisor común para aplicaciones de conmutación.

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Regiones de Operación:
1) Corte.- El transistor se bloquea o apaga y la corriente de base no es
suficiente para encenderlo y ambas uniones se polarizan a la inversa.
2) Activa.- El transistor actúa como amplificador, donde I B se amplifica por
una ganancia y el VCE se reduce con IB.
3) Saturación.- IB es suficientemente alta de modos

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:

• Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)

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 • Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de
radiofrecuencia)
• Conmutación, actuando de interruptores
(control de relés, fuentes de alimentación
conmutadas, control de
lámparas, modulación por anchura de
impulsos PWM)

• Detección de radiación luminosa

(fototransistores)

IGBTs
Un IGBT combina las ventajas de los BJT y los MOSFET, un IGBT tiene alta
impedancia de entrada y bajas pérdidas por conducción en estado activo. Es
controlado por voltaje, cuando la compuerta se vuelve positiva con respecto al
emisor para el encendido; esto produce una polarización directa de la base del
transistor., con lo cual, por lo tanto se enciende.
A continuación se muestran las características de salida típicas de I C en función
de VCE para varios de voltajes de compuerta a emisor VGE.

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Aplicaciones
• Control de motores, sistemas de alimentación ininterrumpida, sistemas de
soldadura, iluminación de baja frecuencia y alta potencia. Están presentes en la
circuitería de los automóviles, trenes, metros, autobuses, aviones y barcos pero
también de los electrodomésticos del hogar mediante la interconexión de
diversos IGBT que controlan los motores eléctricos.

TIRISTORES
Son una familia de semiconductores de potencia, actúan como interruptores
biestables al funcionar de un estado de no conducción a un estado de
conducción.
1. Tiristores Controlados por Fase (SCRs)
2. Bidireccionales Controlados por Fase (BCTs)
3. Asimétricos de Conmutación Rápida (ASCRs)
4. Rectificadores Controlados de Silicio Activados por Luz (LASCRs)
5. De Tríodo Bidireccionales (TRIACs)
6. Apagados por Compuerta (GTOs)
7. Controlados por FET
(FET-CTHs)
8. Apagados por MOS
(MTOs)
9. Controlados por MOS
(MCTs)
10. De Apagado (Control)
por Emisor (ETOs)
11. Conmutados por Compuerta Integrada (IGCTs)

SCRs
Un tiristor comienza a conducir en sentido directo cuando se hace pasar un pulso
de corriente de disparo de la compuerta al cátodo, y de inmediato se mantiene
en conducción completa con baja caída de voltaje en sentido directo. No puede
hacer que su corriente regrese a cero con su señal de compuerta; en vez de eso,
se apega al comportamiento natural del circuito para que la corriente llegue a
cero. Cuando la corriente del ánodo llega a ser, el tiristor recupera su capacidad

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en decenas de µs de voltaje de bloque inverso y puede bloquear el voltaje directo
hasta que se aplique el siguiente pulso de encendido.

Por su bajo costo, alta eficiencia, robustez y alta capacidad de voltaje y corriente,
estos tiristores tienen un extenso uso en convertidores de CD-CA y en
aplicaciones de bajo costo donde la capacidad de apagado no es un factor
importante. Se utilizan para casi todas las aplicaciones de alto voltaje de CD
(HVDC) y en un gran porcentaje de aplicaciones industriales.
BCTs
Un BCT tiene dos compuertas: una para activar la corriente en sentido directo y
una para la corriente en sentido inverso. Este tiristor se enciende con la
aplicación de una corriente pulsante a una de sus compuertas. Se apaga si la
corriente del ánodo cae por debajo de la corriente de retención. La capacidad
máxima puede llegar hasta 6 kV a 1.8 A en voltaje y en corriente 3 kA a 1.8 kV.

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Es un dispositivo que combina las ventajas de tener dos tiristores en un paquete,
lo que permite diseñar un equipo más compacto. Son adecuados para
aplicaciones como compensadores estáticos de volt-amperes reactivos (VAR),
interruptores estáticos, arrancadores suaves y propulsores de motores.
ASCRs
Se utilizan en aplicaciones de alta velocidad de
conmutación forzada. Tienen un tiempo de apagado
rápido, en el rango de 5 a 50 µs, dependiendo del
rango de voltaje.
La caída en sentido directo en estado de encendido
varía aproximadamente como una función inversa del
tiempo de apagado. Los tiristores inversores con una
capacidad de bloqueo inverso muy limitado, por lo
común de 10 V, y en un muy rápido tiempo de apagado
de entre 3 y 5 µs, se conocen como ASCRs.
LASCRs
Este dispositivo se enciende por irradiación directa de luz sobre la oblea de
silicio. Los pares de electron-hueco que se crean por la
irradiación producen una corriente de disparo por la
influencia del campo eléctrico. La estructura de la
compuerta se diseña para que tenga una suficiente
sensibilidad y pueda activarse con fuentes luminosas
prácticas.
Los LASCRs se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y alta corriente por
ejemplo (HVDC), transmisión y potencia reactiva estática o compensación VAR.
Un LASCR ofrece un aislamiento eléctrico entre la fuente luminosa de activación
y el dispositivo de conmutación de un convertidor de potencia. La capacidad de
voltaje podría ser hasta de 4 kV a 1500 A con potencia de activación luminosa a
menos de 100 mW.

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TRIACs
Un TRIAC puede conducir en ambas
direcciones y por lo común se utiliza en
control de fases de CA (Controladores de
voltaje de CA).
Como un TRIAC es un dispositivo
bidireccional sus terminales no se pueden designar como ánodo y cátodo. Si la
terminal A2 es positiva con respecto a la terminal A1, el TRIAC se puede
encender aplicando una señal de compuerta positiva entre la compuerta G y la
terminal A1. Si la terminal A2 es negativa con respecto a la terminal A1, se
enciende aplicando una señal de compuerta negativa entre la compuerta G y la
terminal A1. No es necesario tener ambas polaridades de señal de compuerta y
un TRIAC se puede encender con una señal de compuerta ya sea positiva o
negativa.

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GTOs
Un GTO, al igual que un SCR, se puede encender
aplicando una señal positiva. Sin embargo se puede
apagar con una señal de compuerta negativa. Los
GTO tienen las siguientes ventajas sobre los SCR:
1. Eliminación de los componentes de conmutación en conmutación forzada,
que se traduce en reducción de costo, peso y volumen.
2. Reducción de ruido acústico y electromagnético por la eliminación de
reactores de conmutación.
3. Apagado más rápido que permite altas frecuencias de conmutación.
4. Eficiencia mejorada de los convertidores

FET-CTHs
Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor en paralelo. Si se
aplica voltaje suficiente a la compuerta del
MOSFET se genera internamente una corriente
de disparo para el tiristor, tiene alta velocidad
de conmutación, se puede encender como los
tiristores convencionales pero no se puede
apagar con el control de compuerta. Halla
aplicaciones donde se tiene que usar activación
óptica para proporcionar aislamiento eléctrico
entre la señal de entrada o de control y el
dispositivo de conmutación del convertidor de
potencia.
MTOs
Es una combinación de un GTO y un MOSFET, que juntos superan las
limitaciones de capacidad de apagado del GTO. Un MTO utiliza un control de
compuerta que debe suministrar solo el nivel de señal necesario para encender
y apagar los transistores MOS. Su estructura se parece a la de un GTO y
conserva las ventajas de éste alto voltaje de hasta 10 KV y alta corriente de hasta
4000 A. Los MTOs se pueden usar en aplicaciones de alta potencia que va de 1
a 20 MVA.

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ETOs
Es un dispositivo híbrido de MOS y GTO que combina las ventajas del GTO y un
MOSFET. Se muestra a continuación su símbolo y el circuito equivalente.

Se han probado ETOs con capacidad de corriente hasta de 4 kA y capacidad de

voltaje de hasta 6 kV.

IGCTs
Integra un tiristor conmutado por compuerta GCT con un circuito impreso de
múltiples capas de control de compuerta. Como un GTO, el IGCT se enciende al
aplicar la corriente de encendido s u compuerta. El IGCT se apaga con un circuito
impreso de múltiples capas de control de compuerta que pueden suministrar un

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pulse de apagado de subida rápida. Debido a un pulso de muy corta duración, la
energía de control de compuerta se reduce en gran parte y el consumo de
energía de control por compuerta se minimiza.

RTC

Un RCT se conoce también como tiristor asimétrico (ASCR). El voltaje de

bloqueo directo varia de 400 a 2000 volts y la especificación de corriente hasta
500A. El voltaje de bloque inverso es tipicamente de 30 a 40 Volts. Dada las
características de relación entre la corriente directa a través de un tiristor y la
corriente inversa del diodo, sus aplicaciones se limitan a diseños de circuitos
específicos.

UJT
El transistor uniunión o transistor unijuntura (UJT del inglés UniJuntion
Transistor) es un tipo de transistor constituido por dos zonas semiconductoras y,
por lo tanto, una juntura p-n. El nombre del dispositivo surge de esta última

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característica. Este componente electrónico posee tres terminales denominados
emisor (E), base uno (B1) y base dos (B2).

PUT

El PUT es un semiconductor de cuatro capas (pnpn) cuyo funcionamiento es

similar al del UJT. Es un tipo de tiristor y a veces se le llama “tiristor disparado por
ánodo” debido a su configuración. Al igual que el UJT, se utiliza como oscilador y
base de tiempos, pero es más flexible, ya que la compuerta se conecta a
un divisor de tensión que permita variar la frecuencia del oscilador sin modificar la
constante de tiempo RC.
Si el PUT está polarizado directamente y aplicamos Vag= 0.7 V, entra en
conducción. El PUT permanece encendido hasta que el voltaje anódico es
insuficiente, entonces, se apaga. El apagado se debe a que la corriente anódica
llega un valor ligeramente menor a la corriente de sostenimiento.

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Es un dispositivo de disparo ánodo-puerta (ánodo-compuerta) puesto
que su disparo se realiza cuando la puerta tenga una tensión más
negativa que el ánodo, es decir, la conducción del PUT se realiza por
control de las tensiones en sus terminales. Si el PUT es utilizado como
oscilador de relajación, el voltaje de compuerta VG se mantiene desde
la alimentación mediante el divisor resistivo del voltaje RB1 y RB2, y
determina el voltaje de disparo Vp. En el caso del UJT, Vp está fijado
por el voltaje de alimentación, pero en un PUT puede variar al
modificar el valor del divisor resistivo RB1 y RB2. Si el voltaje del
ánodo Va es menor que el voltaje de compuerta Vg, se conservará en
su estado inactivo, pero si el voltaje de ánodo excede al de compuerta
más el voltaje de diodo Vag, se alcanzará el punto de disparo y el dispositivo se
activará. La corriente de pico Ip y la corriente de valle Iv dependen de la
impedancia equivalente en la compuerta y del voltaje de alimentación en VBB.

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Circuitos de Disparo
El circuito de disparo o "Trigger" se encargará de indicar el comienzo de la parte
útil de la señal de entrada, básicamente cuando la señal pase a ser mayor o
menor que un nivel de referencia
El circuito de disparo debe proporcionar una señal de disparo que sea capaz de
poner en conducción a cualquier tiristor del tipo seleccionado en forma segura y
confiable.
Circuitos de disparo sin aislamiento.
El circuito de disparo es una parte integral de un convertidor de potencia, y
consiste en las salidas de un convertidor que depende de la forma de onda en
que el circuito de disparo se excita a los dispositivos de conmutación, las
características del circuito de disparo son elementos clave para obtener la salida
deseada y los requisitos de control de cualquier convertidor de potencia.
El diseño de un circuito excitador requiere conocer las características de
compuerta y las necesidades de dispositivos como tiristores apagados por
compuerta (GTO), transistores bipolares de unión (BJT), transistores de efecto
de campo metal-oxido semiconductor (MOSFET) y transistores bipolares de
compuerta aislada (IGBT).
EXCITADOR DE COMPUERTA PARA MOSFET
Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje y tienen una impedancia
de entrada muy alta. La compuerta consume una corriente de fuga muy pequeña,
del orden de los nanoamperes.

El tiempo de encendido de un MOSFET depende del tiempo de carga de la

capacitancia de entrada o de compuerta. El tiempo de encendido se puede
reducir conectando un circuito RC como se ve en la figura, para cargar con mayor
rapidez la capacitancia de compuerta.
EXCITADOR DE BASE PARA BJT
La velocidad de conmutación se puede aumentar reduciendo el tiempo de
activación y el tiempo apagado. Se puede reducir el tiempo de encendido
permitiendo un pico de la corriente de base durante la activación, dando como
resultado una B forzada baja al principio. Después de la activación puede
aumentar la B forzada baja hasta un valor suficientemente alto como para
mantener el transistor en la región de casi saturación.

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El tiempo de desactivación se puede reducir invirtiendo la corriente de base y
permitiendo un pico de la corriente de base durante la activación. Al aumentar el
valor del voltaje de pico de la corriente inversa IB2 disminuye el tiempo de
almacenamiento.

Las técnicas de uso común para optimizar la activación de la base de un

transistor
son:
1) Control de encendido
2) Control de apagado
3) Control proporcional en base
4) Control por antisaturación

Conclusión.
Para nosotros como futuros ingenieros es importante tener un amplió
conocimiento sobre los componentes electrónicos que complementan a la
ingeniería eléctrica, ya que estos son fundamentales porque se complementan
entre sí. Así que con esto pudimos saber casi a detalle sobre lo fundamental de
la electrónica industrial, sabemos que no se pudo cubrir todo, pero al menos las
bases quedaron bien sentadas, ya que con esto podemos empezar a entender
temas mas complejos o que involucren algo mas reciente como la electrónica
digital, que ahora mas que nunca es esencial en la vida cotidiana de cualquier
ingeniero.

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