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PRCTICA5 InversoresyPuertasLgicas
Elobjetivodeestaprcticaesconstruirenellaboratorio,yconelementosdiscretos,inversoresypuertas lgicascondostiposdetransistores:BJTyMOSFETs.Observaremoslascaractersticasdelosinversoresrealizados conambastecnologas,yaquesonlasestructurasbsicassobrelasqueserealizanlasfamiliaslgicasintegradas. ParalarealizacindeestaprcticautilizaremostransistoresbipolaresNPNdebajapotenciadeaplicacin general,CICA3083,yelbloqueintegradodetransistoresMOS4007UB,cuyasasignacionesdepinessemuestran enlaFigurasiguiente.

MOS4007UB B C E G S B D D B G S

Inversores
En los circuitos digitales, los dispositivos activos (transistores) trabajan entre dos estados bien diferenciados:Unoquellamamosdeconduccin(ON)yotroquedenominamosdecorte(OFF).Deacuerdocon lassealesdigitales,transitanentreellosenunprocesoqueconocemoscomoconmutacin.

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VCC=5V RC=1K Vo
1

C Q1

RB=47K 16 Vi B

E 15
Figura1:InversorconBJTysucaractersticadetransferencia La estructura ms simple, con carcter digital y en tecnologa bipolar es el inversor de la Figura 1. De acuerdoconlosvaloresdelasealdeentrada,VHyVL (5Vy0V,respectivamente),eltransistorbipolarconmuta entreunestadodeconduccin,quepuedesersaturadoono(FamiliasLgicasSaturadasonoSaturadas)aotro de corte. La caracterstica de transferencia (VO en funcin de VI) de este inversor depende de la resistencia de colector ya que ella determina la pendiente en la conmutacin (o lo que es lo mismo, la ganancia del circuito cuandoseusacomoamplificadordesealesanalgicas). Sinembargo,eltipodeinversormsutilizadoeselCMOS(bsicoenlatecnologadenuestrosdas),enel queseutilizandostransistoresMOSFET,unocanalNyotrocanalP,Figura2.Ambostransistoressonactivosy sloconducensimultneamenteduranteelprocesodeconmutacin(cuandolaentradahasuperadoelvalorde la tensin umbral del transistor N (VTN) y no ha alcanzado VSS|VTP|, para que se corte el transistor P). En este inversorlaconmutacinsehaceenunrangodetensionesdeentradamuyestrecho,loquemejorasumargende ruido.

VSS=5V
14 S

G B QP
6

D 13 V0 D 8 B Q N G
7

Vi

Figura2:InversorCMOSysucaractersticadetransferencia

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3 Con el fin de observar las caractersticas de transferencia de ambos inversores en el osciloscopio, aplicaremos a la entrada Vi una seal sinusoidal por medio del generador de funciones, en el que ajustaremos el offset y la amplitud de la seal para que la tensin aplicadavareentre0y5VyconectamoselCH1 delosciloscopioalaentradaViyelCH2alasalida VoysecolocalabasedetiemposenposicinXY. Siguiendo el criterio de la Figura 3, estimar los valores de VOH, VOL, VIH y VIL, de los inversores realizados con ambas tecnologas y comparar su mrgenes de ruido, tanto en estado 0 (MRL=VILVOL) como en estado 1 (MRH=VOHVIH). Dadoqueladistribucindecargasenlostransistoresnoesigualenelestadodeconduccinqueenelde corte,serequiereuntiempoparaacomodarlasalanuevasituacin,yaquelascargasnosemuevenenuntiempo nulo. Este tiempo de conmutacin est en la base de la rapidez de los circuitos lgicos. La velocidad de conmutacindependedemuchosfactores,perobsicamentepodemosdecirquelaconmutacinestantoms rpida cuanto ms capaz sea la seal de modificar la estructura de cargas del dispositivo y, en su caso, de los elementosquelerodean.Dehecho,laconmutacinenlostransistoresMOSFETes,intrnsecamente,muchoms rpidaqueenlostransistoresbipolares. EnlaFigura4seobservalaformadeondadelasalidadeuninversorcuandoalaentradaseaplicauna sealcuadrada.Compararlostiemposdepasoacorteydepasoaconduccindelosinversoresrealizadoscon ambastecnologas. Indicaraproximadamentehasta qu frecuencia, podran funcionar ambostiposdeinversor. Figura3

VI
VCC

V0
VCC

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tON

tOFF
Figura 4

tON

tOFF

PuertasLgicas
Analizados los inversores, es ya fcil construir puertas ms complejas. Aqu realizaremos las correspondientespuertasNOR,cuyosesquemassepresentanenlasFiguras5y6.Comprobarlatabladeverdad deestaspuertasconlaayudadelosinterruptoresdeentradasituadosenlaparteinferiordelentrenador(para generarlasentradas,0Vy5V,correspondientesalosvaloresbinarios0y1respectivamente)ylosLEDsdela partesuperior(cuyasituacinencendido/apagadonospresentaelvalordelasalidacuandotenemos5V/0V,olo queeslomismo1/0).

VSS=5V

13 11 14

QP2

VCC=5V RC=1K
2 3 16 1

6 10

QP1

8

Vo

V2

V1 V0
12

V2 RB=47K

Q2
4

V1 RB=47K

Q1
15

QN2

QN1

Figura5Figura6 Finalmente,comprobarlatabladeverdaddelapuertasintegradassiguientes(AND,OR,NANDyNORde dosentradas):

4011

4001

Paraelloprimerohayquepolarizarlas,esdeciraplicarleslafuentedealimentacin5Valpin14y0Valpin7,y despusintroducirlastensionesdeentradaycomprobarlasalidaaquedanlugar.

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