PROBLEMAS DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES Problema 1: Determinar los puntos de funcionamiento de los dispositivos semiconductores de los siguientes circuitos:

+12V +12V +12V 2K 3K 1K 3K =100 33K =100 15V 6V 100 =100 =100 100 6V

3K

2K

5V

(a)

(b)

(c)

(d)

Problema 2: Determinar el punto de funcionamiento del transistor MOSFET del siguiente circuito:
+15V

10K

1K D G S ID(mA) 30 20 10 5 UGS(V) 15 10 5 UDS(V)

10V

Problema 3: Se desea utilizar una salida de un sistema digital para gobernar un rel. Se ha dispuesto para ello del circuito de adaptacin que se muestra en la figura. Determinar los valores de R1 y R2 que aseguran que ambos transistores trabajan siempre en corte o saturacin sabiendo que Q1 y Q2 presentan una tensin de codo baseemisor de 0,6V y que la salida digital puede tomar cualquier tensin entre 0 y 0,4V para el 0 lgico y entre 3,8 y 5V para el 1 lgico.
+15V Q2 2=100

R2 SMA. DIGITAL R1 Q1 REL 50mA/15V 1=100

Problema 4: En el circuito de la figura el interruptor se encuentra inicialmente cerrado. Determinar de forma razonada la evolucin de la tensin en el condensador a partir del instante de apertura del interruptor S.

S 10k 100 10V

=100

1F

VZ=8V

Problema 5: El circuito de la figura corresponde a un cargador de bateras, se pide: - Determinar la evolucin en el tiempo de la tensin y la corriente por la inductancia. - Determinar la evolucin de la corriente de carga y el valor medio de la misma. - Calcular RB de forma que el transistor trabaje en conmutacin. Datos: el transistor trabaja en conmutacin, la corriente inicial por la bobina es nula, L=100H, VCC=80V y VBAT=160V.
IL BATERIA

VBAT VCC

VE
10V

RB

=50

+
VE

10

20

30

40 t(s)

Problema 6: Para el circuito de la figura determinar: 1. Evolucin de UC1 e ib. 2. Evolucin de UC2 y UCE. Nota: todos los dispositivos son ideales y C1 y C2 se encuentran inicialmente descargados.
+Ucc=15V

R=1K Ig=100A UC2 C1=200n ib UC1 Vz=5V =100 C2=20

Problema 7: Para el circuito de la figura y considerando todos los componentes ideales determinar de forma razonada la evolucin de la tensin en el condensador UC y en el MOSFET UDS. La bobina y el condensador se encuentran inicialmente descargados.
UC 5 F 20 =200 UD S 20k 10mH 10V ID (mA) 200 100 2V UG S 10 5 UD S

Problema 1

a
+12V +12V +12V 2K 3K 2K

6V

3K

2K//3K

6V

b=100

3K

2K

Suponiendo que el transistor se encuentra en saturacin:

3K

6V

2K

2K//3K

6V

El reparto de corrientes por el circuito resulta por tanto::

+12V

2K

6V 1mA

3K

3mA 2mA
3K

2mA 3mA

En resumen: iB = 1mA iC = 2mA iE = 3mA Se cumple: iC < biB

6V

2K

b
3K 33K

Unin B-E polarizada en inversa. Transistor en corte

15V 5V 33K

3K

b=100

15V
uCE = 15V

5V

uBE = -5V

c
+12V +12V

El transistor tiene tensin uCE = 6V, est en zona activa.

1K

Suponiendo que el Zener se encuentra en zona Zener:

b=100

1K
iR1 iZ

6V

iE =
b=100
uCE = 6V

iB =

iB

iE = 594 mA b +1

6 = 60mA 100

6V

100

6V

100
iE

6V

i Z = i R1 - i B = 5,4mA > 0
Hiptesis correcta

iC = 59,4mA

d
+12V +12V

iE = 60 mA
100 6V b=100

El transistor tiene tensin uCE = 6V, est en zona activa.

Suponiendo que el Zener conduce:

100 6V

6V

iB =

iE = 594 mA b +1

b=100

6V

iE = 60 mA

Se tiene entonces: iB = iZ =594mA iC = 59,4mA iE = 60mA

Problema 2
+15V

10K

1K D G S

ID(mA) 30 20 10 5 UGS(V) 15 10 5 UDS(V)

10V

Teniendo en cuenta que la impedancia de entrada del MOSFET es idealmente infinita la corriente iG es nula y el Zener se encuentra en conduccin:
+15V

10K

5V

1K D G S

Conociendo la tensin uGS se determina la curva de la caracterstica uDS - iD del MOSFET sobre la que se encuentra el punto de funcionamiento:

ID(mA) 30 20 10 5 UGS(V) 15 10 5 UDS(V)

10V

uGS=10

Suponiendo funcionamiento en zona de fuente de corriente se tiene:

+15V

uDS = 15 - 20 10 -3 10 3 = -5 < 5 V
10K 1K

No trabaja en zona de fuente de corriente.

D 20mA S

10V

uGS=10

Suponiendo funcionamiento en zona resistiva se tiene:

+15V

10K

1K

La tensin uDS se calcula mediante:

uDS = 15
-3

rDS=5/2010 = 250W
10V

250 = 3 < 5V 250 + 1000

uGS=10

Problema 3
+15V Q2 b2=100 Con nivel lgico alto ambos transistores debern de estar en saturacin. Con nivel bajo ambos estarn en corte. REL 50mA/15V b1=100 Q1 Funcionamiento a nivel bajo: Q1 b1=100 uBE=0,6 Observando el transistor Q1 vemos que la tensin de entrada es insuficiente para hacerlo conducir.

R2 SMA. DIGITAL R1

R1 00,4

Con el transistor Q1 en corte, Q2 no tiene corriente de base por lo que tambin se encuentra en corte. Funcionamiento a nivel alto: +15V uBE=0,6 b2=100 iB2 R2 uCE1=0 iC2=50mA Para que Q2 est saturado se debe cumplir:

iC < b i B
R2 < b 2

iB =

15 - uBE R2

15 - uBE = 28,8k iC 2

Tomamos: R2 = 27k

Para conseguir que el transistor Q1 se encuentre tambin en saturacin:

R1 3,85

Q1

iB2 b1=100

iC < b i B

La situacin ms desfavorable se tiene para la tensin de entrada de 3,8V

uBE=0,6

iB2 =

15 - 0,6 = 533 mA 27 10 3

R1 < b 1

3,8 - 0,6 = 600k iB2

Tomamos: R1 = 560k

Problema 4
Este circuito corresponde a la situacin inicial antes de la apertura de S.
100W 10V

S 10k

b=100

1 mF

VZ=8V

El condensador se encuentra conectado a la fuente de 10V, por lo que sta es la tensin inicial a considerar.

Una vez abierto el interruptor el circuito resultante se puede representar como:

100W 10k 10V

La corriente de base es de 10/10000 = 1mA

VZ=8V

b=100

1 mF

Siendo la tensin inicial en el condensador superior a los 8V que soporta el Zener ste estar inicialmente en conduccin.

Por otra parte, al ser la tensin colector emisor mayor que cero, el transistor se encuentra inicialmente en zona activa, por lo que el circuito equivalente inicial visto por el condensador es:
100W 8V 100W -2V

biB 100mA

uC

1 mF

uC
Thevenin

1 mF

Con este circuito equivalente la evolucin de la tensin en el condensador se obtiene mediante la expresin:

uC (t ) = uC (t )+ [ uC (t = 0 )- uC (t )] e R C uC (t ) = -2 + 12 e 10010
-t
-6

-t

uC
10

-2

Para que este circuito equivalente sea vlido es necesario que se cumplan las siguientes condiciones: - La tensin colector-emisor debe ser mayor que cero para que el transistor se mantenga en zona activa. - Debe circular corriente inversa por el Zener. Para que esto se cumpla la tensin uC debe ser mayor de 8V. Obviamente, es esta segunda condicin la que se dejar de cumplir en primer lugar:

t a = -100 10 -6 Ln

10 = 18,2ms 12

Para t > 18,2ms el Zener deja de conducir y el circuito equivalente de descarga del condensador pasa a ser: Tomando t = t -18,2ms se tiene:
biB 100mA

uC

1 mF

uC (t ') = uC (t ' = 0 )+

1 iC dt = 8 - 100 10 3 t ' C 0
En este punto el transistor se sale de zona activa

t'

uC
10 8 t=0
8 - 10 010 3 t

Cuando la tensin en el condensador se anula, el transistor sale de zona activa y entra en zona de saturacin. El tiempo que tarda se calcula:

t 'b =

8 = 80 ms 100 10 3
Equivalente final

uC
10 8 18,2 98,2

uC

1 mF

t (ms)

Problema 5
IL BATERIA

VBAT VCC

El transistor va a trabajar en conmutacin, es decir alternando entre corte y saturacin. La tensin VE toma dos valores: 0 y 10V. Durante los intervalos en que VE es de 0V el transistor permanecer en corte. Cuando VE sea de 10V el valor de RB deber ser tal que asegure el funcionamiento en saturacin.

RB

+
VE

b=50

Durante los 10 primeros microsegundos VE es de 10V, por lo que el transistor estar saturado:
iL

VBAT uL=VCC L VCC+VBAT uCE = 0

La carga de la bobina se produce a tensin fija:

VCC

80V

VCC = L

di L (t ) dt

i L (t ) = i L (t = 0 )+

1 VCC dt = 800 10 3 t L 0

Representando grficamente esta evolucin: iL 8A Pasados 10ms la corriente de base desaparece y el transistor pasa a zona de corte, por lo que el circuito equivalente se convierte en:

10ms
iL

VBAT uL=-VBAT L
iL

160V

VCC

En el instante en que se produce el corte del transistor la corriente por la bobina es de 8A. Esta corriente no puede interrumpirse de forma brusca, por lo que hace entrar al diodo en conduccin.

80V

VCC+VBAT

Por comodidad cambiamos la base de tiempos a: t = t -10 ms

- VBAT

di (t ') =L L dt '

1 i L (t ') = i L (t ' = 0 )+ - VBAT dt ' = 8 - 1,6 10 6 t ' L0

t'

Representando la evolucin de iL obtenida hasta el momento: iL 8A 8-1,610 t

6

Durante esta fase, la corriente de la bobina tambin circula a travs del diodo, por lo que no puede hacerse negativa. El circuito equivalente cambiar cuando la corriente se anule (o bien cuando t = 10 ms y comience un nuevo periodo de VE). El tiempo que tarda en anularse la corriente es:

t = 0

ta

t 'a =

8 = 5 ms 1,6 10 6

Por lo que al pasar 5ms el circuito equivalente pasa a ser:

iL= 0 VBAT uL= 0 L VBAT VCC VCC

Una vez anulada la corriente por la bobina, la tensin uL tambin se hace cero.

uL = L

di L =0 dt

La evolucin en el tiempo de la corriente y la tensin por la bobina son por tanto: iL 8A

uL
80

10

15

20

t (ms)

15 10 20

t (ms)

-160 La corriente por la batera es la misma que atraviesa el diodo:

iBAT
El valor medio de esta seal se calcula: 8A

iBAT
0 10 15 20

t (ms)

1 1 5 10 -6 8 = i BAT (t ) dt = = 1A T 0 20 10 -6 2

El clculo de la resistencia de base necesaria para que el transistor trabaje en conmutacin se hace sabiendo que la corriente mxima de colector es de 8A.

iC
8A

biB
iC< biB
uCE
iB =

VE RB

RB <

VE b 10 50 = = 62,5W iC 8

Problema 6
UCC =15V

1k 100mA 20mF 200n b=100 5V

Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo con uBE =0. Por otra parte, al estar el condensador de 200n inicialmente descargado el Zener no conduce para t = 0.

El equivalente de carga inicial del condensador C1 corresponde por tanto al siguiente circuito: La evolucin de la tensin uC1 en este circuito viene determinada por la expresin. 200n

100mA

uC1

ib

1 uC1 (t ) = uC1 (0 )+ i b dt =500 t C1 0

Cuando la tensin en el condensador alcanza 5V entra a conducir el Zener. Esto ocurre en el instante: ta = 10ms.

Para t > 10ms el circuito equivalente visto por C1 pasa a ser: 100mA 200n i =0 b 100mA 5V Al entrar el Zener en conduccin la tensin uC1 queda fijada en 5V por lo que la corriente ib se anula:

uC1

i b = C1

duC1 =0 dt

La evolucin de la corriente de base ib y de la tensin uC1 corresponden a:

ib
100mA

uC1
5V

10ms

10ms

Una vez conocida la forma de onda de la corriente de base se puede determinar la evolucin de la tensin del condensador C2.

UCC =15V

En el instante inicial la corriente de base es de 100mA. El transistor puede por tanto encontrarse en saturacin o en zona activa. 1k Suponiendo que se encuentra inicialmente en zona activa:

100mA

uC2
200n

20mF b=100

i c = b i b = 10 mA

uCE = 15 - 10 3 10 10 -3 - uC 2
Hiptesis correcta.

uCE (t = 0 ) = 15 - 10 3 10 10 -3 = 5 > 0

ib
5V

El circuito equivalente inicial de carga del condensador C2 resulta por tanto: UCC =15V La evolucin de la tensin uC2 para este circuito se calcula mediante la siguiente expresin: 1k

1 uC (t ) = uC (t = 0 )+ iC dt = 500 t C2 0
La tensin colector - emisor en el transistor se puede determinar a partir de la expresin anterior:

uC2 uCE

20mF

uCE (t ) = 15 - 10 - uC (t ) = 5 - 500 t
10mA Este circuito equivalente dejar de ser vlido si el transistor alcanza la zona de saturacin o si la corriente de base cambia. Verificamos cul de estos dos cambios sucede primero.

El tiempo que tardara el transistor en alcanzar la zona de saturacin se calcula mediante:

0 = 5 - 500 t a

t a = 10 ms

Que coincide exactamente con el tiempo en el que la corriente de base se anula, por lo que ambos cambios se producen de forma simultnea y el equivalente para t>10 ms resulta: UCC =15V

1k

Cuando la corriente de base se interrumpe el transistor entra en corte y el condensador C2 deja de cargarse..

uC2

20mF

uC2
5V

uCE

uCE
10V

10ms

5V

10ms

Problema 7
Por la puerta del transistor MOSFET no circula corriente, por lo que el funcionamiento del transistor bipolar se puede analizar de forma independiente del resto del circuito. De este modo, la corriente de base resulta:

iE

iB =
10V

10 = 500 m A 20000

b=200 iB

La corriente inicial por la bobina es nula, por lo que el estado inicial del transistor bipolar es saturacin. iC

20k iC 10mH t=0 uCE

El circuito equivalente que determina la evolucin de la corriente por la bobina en los primeros instantes es por tanto:. iE 10V iB 20k iC uL 10mH Este equivalente da lugar a una evolucin lineal de la corriente por la bobina:

uL = L

di L dt

i L (t ) = i L (0 )+

1 uL dt = 1000 t L 0

Durante el intervalo en que es vlido este circuito equivalente, la tensin UGS del MOSFET es: UGS=UL=10V

Este circuito equivalente deja de ser vlido cuando el transistor sale de saturacin:.

iC < b i B

1000 t < 200 500 10 -6

t < 100 ms

Para t > 100 ms.el transistor bipolar entra en zona activa y el equivalente visto por la bobina pasa a ser: iE Al quedar fijada la corriente por la bobina la tensin UL se anula: uCE iB 20k iL=iC La forma de onda de la tensin de puerta del MOSFET resulta por tanto: uL 100mA 10V

uL = L

di L dt

uL = 0

Para este equivalente la tensin UCE queda fijada en 10V, por lo que el transistor permanece en zona activa de forma indefinida.

uGS
10V

100ms

Partiendo de este dato se determina la evolucin del estado del transistor MOSFET. El circuito equivalente visto por el condensador es el siguiente:

uC
20W iD

5 mF

Para t < 100ms la tensin UGS es de 10V. Durante este intervalo, la relacin entre iD y UDS est marcada por la curva siguiente: 10V

iD
200mA

uGS
2V

uDS

Suponiendo, por ejemplo, que el MOSFET se encuentra inicialmente en zona de fuente de corriente se tiene:

uC
20W iD 200mA

5 mF

U DS = 10 - UC - 20 i D
U DS (t = 0 ) = 10 - 20 200 10 -3 = 4V
10V Inicialmente la tensin UDS es mayor que 2 por lo que la suposicin de funcionamiento como fuente de corriente para t=0 es vlida.:

uDS

Para este circuito equivalente la tensin en el condensador y en el MOSFET se calculan:

iD = C

t duC 1 uC (t ) = uC (t = 0 )+ i D dt = 40000 t dt C0 uDS (t ) = 6 - 40000 t

Hay dos motivos que pueden hacer que el circuito equivalente de carga del condensador cambie: 1.- El MOSFET entra en zona resistiva 2.- Pasan 100 ms y la tensin uGS deja de ser 10V Es necesario verificar cul de los cambios se produce primero.

2 = 6 - 40000 t a
uC
20W iD 5 mF

t a = 100 ms

Ambos cambios se producen simultneamente. El circuito equivalente final es por tanto: Al tomar uGS el valor 0 la corriente de carga del condensador se anula y ste mantiene su tensin. 10V

uDS
Las evoluciones de uDS y uC desde el instante t = 0 son por tanto:

uC
4V

uDS
6V

2V

100ms

100ms