PRIMERA PRACTICA CALIFICADA

CURSO: DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

DOCENTE: ING JUAN FRANCISCO MADRID CISNEROS

1.- a)
b)
2.- Cuando un semiconductor de ancho de banda prohibida EG = 1,1 eV se
calienta desde una temperatura de 27 ºC hasta una temperatura T se duplica
su conductividad, ¿Cuál es el valor de T?
3.- Resolver:

a) Supóngase que la masa efectiva de los huecos en un material es 4 veces la

de los electrones. A que temperatura el nivel de Fermi estará un 10% por
encima del punto medio de la banda prohibida. Sea Eg  = 1 eV.

b) Resolver

1) Menciona la característica de los materiales semiconductores tipo “N”:

 Tienen dopaje con átomos pentavalente donadores
 Los electrones son mayoritarios
 Todos los átomos donadores ionizados “+”
 Aceptan impurezas del grupo V donadores
2) Señala las características de los materiales semiconductores tipo “P”:
 Conducen casi exclusivamente por huecos.
 Los huecos son mayoritarios
 Electrones minoritarios
 Todos los átomos aceptadores son ionizados “-“
 Aceptan impurezas del grupo III aceptador
 3) ¿Cómo se establece una corriente eléctrica dentro de un semiconductor
“N”?
Cada impureza donadora genera un e libre y se transforma en un ion
positivo fijo en la red, origina un semiconductor tipo “n”.
4) ¿Cómo se denominan los portadores eléctricos en un semiconductor tipo
“P”?
Cada impureza aceptara generar un h+ y se transforma en un ion negativo
fijo en la red, origina un semiconductor tipo “p”.

4.-Resolver lo siguiente:
a) La banda de energía en el germanio es 0.67 eV. Las masas efectivas de
electrones y huecos son 0.12 me y 0.23 me, respectivamente, donde me  es la
masa del electrón libre. Calcular (a) la energía de Fermi, (b) la densidad de
electrones en la banda de conducción, (c) la densidad de huecos en la banda
de valencia, a T = 300 K.
b) En una muestra de Si tipo N, en equilibrio térmico y a 300K, se conoce la
resistividad,  =5 m,  n = 1600 cm2/Vs,  p = 600 cm2/Vs, ni =1.4·1010cm-3 y la densidad
efectiva de estados en la BC, NC= 1019cm-3. Con estos datos, determinar: (a) la
concentración de electrones y huecos a partir de las expresiones de la
conductividad y de la ley de acción de masas; (b) la localización del nivel de
Fermi a partir de la expresión: n = NC  exp[(EF–EC)/(kT)]; (c) la probabilidad de
que un estado del nivel donador esté ocupado y la probabilidad de que no lo
esté, sabiendo que EC–ED = 0.05 eV.

5.-