Benemérita Universidad Autónoma de

Puebla
Facultad de Ciencias de la Electrónica

”TAREA MOS DC”

INGENIERÍA MECATRÓNICA
Dispositivos Electrónicos, ISAM, IER, LIM, LCE

Erick Silvano Otañez Jimenez

Profesor:
José Miguel Rocha Pérez
NÚMERO TOTAL DE PROBLEMAS: 10 .
NÚMERO DE PROBLEMAS QUE CONCUERDAN CON SPICE:10
AUTOEVALUACIÓN de la Tarea 2: 10
November 3, 2021
Erick Silvano Otañez Jimenez 1

Índice General
1 DETERMINACIÓN DEL VOLTAJE VGS PARA EL CANAL NMOS Y EL VOLTAJE VSG
PARA EL CANAL P 3

2 CURVAS DEL TRANSISTOR NMOS Y PMOS 5

3 PRIMER PROBLEMA 7

4 SEGUNDO PROBLEMA 9

5 TERCER PROBLEMA 11

6 CUARTO PROBLEMA 13

7 QUINTO PROBLEMA 15

8 SEXTO PROBLEMA 17

9 SÉPTIMO PROBLEMA 19

10 OCTAVO PROBLEMA 21

11 NOVENO PROBLEMA 23

12 DÉCIMO PROBLEMA 25

13 CONCLUSIÓN 27

1
Erick Silvano Otañez Jimenez 2

Tarea 1, Dispositivos Electrónicos, Otoño 2021.

Fecha de entrega: 23 de Octubre del 2021.
Prof. José Miguel Rocha Pérez.
PUNTO DE OPERACIÓN DEL MOS (Análisis de DC)

PATERNO: OTAÑEZ MATERNO: JIMENEZ NOMBRE(S): ERICK SILVANO

Auto Evaluación:10

1. Objetivo.

“Análisis del punto de Operación del BJT y del MOS y su verificación en SPICE”

2. Introducción. Esta sección es opcional. Agregar teorı́a en esta sección si lo considera adecuado.
Se recomienda agregar teorı́a que verse sobre el principio de funcionamiento del MOS, sus modelos, ecuaciones
importantes, etc).
SI DECIDE AGREGAR TEORIA TOMELA SOLAMENTE DE LIBROS. NO REALICE UN COPY/PASTE DE
PAGINAS DE INTERNET. Mencione las referencias dentro del texto y agréguelas en la bibliografı́a al final de su
tarea.

3. Desarrollo.
Es la solución de la tarea en sı́.

4. Conclusiones.
Discuta sus resultados y mencione sus conclusiones.

2
Erick Silvano Otañez Jimenez 3

1 DETERMINACIÓN DEL VOLTAJE VGS PARA EL CANAL

NMOS Y EL VOLTAJE VSG PARA EL CANAL P
En todos los ejercicios que siguen se toma en cuenta lo siguiente:

(1.) El modelo más simple es el Modelo Nivel 1. Para el transistor canal N y canal P son:

.MODEL MyNMOS NMOS ( LEVEL = 1 VTO = 1 KP = 300E-06 )

.MODEL MyPMOS PMOS ( LEVEL = 1 VTO = -1 KP = 100E-06 )

A
Los parámetros en el modelo corresponden a: V T O = VT H [V olts] y KP = µCox .
V2

W 10µm
(2.) En todos los ejercicios tomaremos un transistor de dimensiones L = 1µm = 10, voltaje de encendido del
transistor N, VT HN = 1 y voltaje de encendido del transistor P, VT HP = −1 de modo que podemos escribir las
ecuaciones del transistor MOS de manera más simple:

Ecuaciones importantes para el MOSFET de enriquecimiento

1 W ˙ + λVDS ) ≈ 1 µCox W (VGS − VT H )2

ID = µCox (VGS − VT H )2 (1
2 L 2 L
W
gm = µCox (VGS − VT H )[A/V ]
L
r
W
gm = 2µCox ID
L
2ID
gm =
VGS − VT H
Que se simplifican a:
Para el transistor canal N:

1
ID = (300[µA/V 2 ])(10)(VGS − 1V )2 = 1.5[mA/V 2 ](VGS − 1V )2
2
gm = (300[µA/V 2 ])(10)(VGS − 1V ) = 3[mA/V 2 ](VGS − 1V )
√
p
2
p mA p
gm = (2)(300[µA/V ])(10) ID = 2.45 ID
V
2ID [A]
gm =
VGS − 1V

Debido a que conocemos el valor de ID = 1mA, sustituimos en la primera ecuación, para ası́ obtener VGS
r
1A
VGS = + 1V
1.5mA V 2

3
Erick Silvano Otañez Jimenez 4
√
6
VGS = V + 1V VGS = 1.8165V
3
Por lo tanto, en el cálculo de los ejercicios con canal N, se contemplara dicho voltaje obtenido.

Para el transistor canal P:

1
ID = (100[µA/V 2 ])(10)(VSG − 1V )2 = 0.5[mA/V 2 ](VSG − 1V )2
2

gm = (100[µA/V 2 ])(10)(VSG − 1V ) = 1[mA/V 2 ](VSG − 1V )

√
p
2
p mA p
gm = (2)(100[µA/V ])(10) ID = 1.4142 ID
V
2ID [A]
gm =
VSG − 1V

Dado que los ejercicios descritos a continuación nos dan el valor de la corriente ID = 1mA, sustituimos este valor
en la primera ecuación para el canal P, para ası́ obtener VSG
r
1A
VSG = + 1V
√ 0.5mA V2
VSG = 2V + 1V VSG = 2.4142V
Por lo tanto, en el cálculo de los ejercicios con canal P, se contemplara dicho voltaje obtenido.

4
Erick Silvano Otañez Jimenez 5

2 CURVAS DEL TRANSISTOR NMOS Y PMOS

TRANSISTOR NMOS

Para el cálculo de las curvas del transistor NMOS se obtuvieron en cuenta los siguientes parámetros:

ˆ LEVEL 1. Es el nivel de simulación. Usualmente es el nivel más bajo para cálculos a mano.

ˆ VTO=1 es el voltaje de encendido del transistor.

ˆ KP = 300E − 06 es el coeficiente de transconductancia igual a KP=µCox [ VA2 ]

En los problemas del 1 al 5 se trabaja con un transistor NMOS , se obtiene la curva resultante del transistor con
las siguientes caracteristicas :

ID igual a 1mA. VGS igual a 1.8165 V.

Figure 1: CURVAS DEL TRANSISTOR NMOS EN SPICE

Para este gráfico se utilizó un barrido de VGS = [1.5V, 1.9V ] con pasos de 50mV . Como es mostrado por las
etiquetas del lado izquierdo de la pantalla, la curva más proxima a el voltaje VGS = 1.8165V y ID = 1mA es la
curva en color café.

5
Erick Silvano Otañez Jimenez 6

TRANSISTOR PMOS

Para el cálculo de las curvas del transistor PMOS se obtuvieron en cuenta los siguientes parámetros:

ˆ LEVEL 1. Es el nivel de simulación. Usualmente es el nivel más bajo para cálculos a mano.

ˆ VTO=−1 es el voltaje de encendido del transistor.

ˆ KP = 300E − 06 es el coeficiente de transconductancia igual a KP=µCox [ VA2 ]

En los problemas del 6 al 10 se trabaja con un transistor PMOS , se obtiene la curva resultante del transistor con
las siguientes caracteristicas :

ID igual a 1mA. VGS igual a -2.4142 V.

Figure 2: CURVAS DEL TRANSISTOR PMOS EN SPICE

Para este gráfico se utilizó un barrido de VGS = [−2V, −3V ] con pasos de 200mV . Como es mostrado por las
etiquetas del lado izquierdo de la pantalla, la curva más proxima a el voltaje VGS = −2.4142V y ID = 1mA es la
curva en color verde.

6
Erick Silvano Otañez Jimenez 7

3 PRIMER PROBLEMA
a. Proponga valores de los resistores de modo que el punto de operación sea Q = (5V, 1mA). Se califica el
procedimiento para llegar al valor de los resistores.
b. Compruebe sus cálculos con una simulación SPICE.
c. ¿Concuerdan sus cálculos con la simulación SPICE? R=SI/NO

VDD = 10V

RD

ID
IG = 0 +
RG
VDS
+ −
IS = ID
VGG VGS −

Figure 3: Configuración simple

Considerando VGS = 1.8165V dado que es un transitor MOS canal N

Tomando de referencia el punto de operación del transistor sabemos VDS = 5V y ID = 1mA

CALCULANDO RG
Desarrollamos una expresión que involucre RG :
VGG = VRG + VGS VGG = IG RG + VGS
Dado que IG tiene corriente igual a CERO, concluimos lo siguiente:
VGG = VGS y R6 puede tomar cualquier valor.
Por lo tanto: VGG = 1.8165V y RG = 2KΩ

APLICAMOS LVK A LA MALLA DE SALIDA PARA EL CÁLCULO DE RD

VDD − VDS
VDD = VRD + VDS RD =
ID

10V − 5V
RD = , Por lo tanto RD = 5KΩ
1mA

7
Erick Silvano Otañez Jimenez 8

SIMULACIÓN Y TABLA DE VALORES EN TopSpice

PARÁMETRO MAGNITUD UNIDADES

VGS 1.8165 V
VDS 5.0000 V
ID 1.0000E-03 A
IS -1.0000E-03 A
VTH 1.0000 V
GM 2.4495E-03 0
VSAT 0.8165 V

Figure 4: CIRCUITO 1 EN SPICE

Los cálculos realizados con el análisis de mallas propuesto fue correcto. Por lo tanto, el valor óhmico de las
resistencias RG y RD satisface el punto de operación deseado (5V, 1mA). En conclusión SE COINDIDE
TOTALMENTE CON TOPSPICE

8
Erick Silvano Otañez Jimenez 9

4 SEGUNDO PROBLEMA
a. Proponga valores de los resistores de modo que el punto de operación sea Q = (5V, 1mA). Se califica el
procedimiento para llegar al valor de los resistores.
b. Compruebe sus cálculos con una simulación SPICE.
c. ¿Concuerdan sus cálculos con la simulación SPICE? R=SI/NO

VDD = 10V

R1 RD

ID
IG = 0 +
VDS
+ −
IS = ID
VGS −

R2

Figure 5: Problema 2. Polarización por divisor resistivo

Considerando VGS = 1.8165V dado que es un transitor MOS canal N

Tomando de referencia el punto de operación del transistor sabemos VDS = 5V y ID = 1mA

CALCULANDO R1 Y R2
Se propone una ecuación que involucre R1 :
R1
VDD = VR1 + VGS VDD − VGS = VDD
R1 + R2

10V R1 10V R1
10V − 1.8165V = 8.1835V =
R1 + R2 R1 + R2
R1 8.1835V + R2 8.1835V = R1 10V 8.1835V R2 = 1.8165V R1
Por lo tanto: R1 = 4.505R2

Dada la proporcion anterior, proponemos los siguientes valores:

R2 = 1KΩ y R1 = 4.505KΩ

9
Erick Silvano Otañez Jimenez 10

APLICAMOS LVK A LA MALLA DE SALIDA PARA EL CÁLCULO DE RD

VDD − VDS
VDD = VRD + VDS RD =
ID

10V − 5V
RD = , Por lo tanto RD = 5KΩ
1mA

SIMULACIÓN Y TABLA DE VALORES EN TopSpice

PARÁMETRO MAGNITUD UNIDADES

VGS 1.8165 V
VDS 4.9996 V
ID 1.0001E-03 A
IS -1.0001E-03 A
VTH 1.0000 V
GM 2.4496E-03 0
VSAT 0.8165 V

Figure 6: CIRCUITO 2 EN SPICE

Los cálculos realizados con el análisis de mallas propuesto fue correcto. Por lo tanto, el valor óhmico de las
resistencias R1 , R2 y RD satisface el punto de operación deseado (5V, 1mA). En conclusión SE COINDIDE
TOTALMENTE CON TOPSPICE

10
Erick Silvano Otañez Jimenez 11

5 TERCER PROBLEMA
a. Proponga valores de los resistores de modo que el punto de operación sea Q = (5V, 1mA). Se califica el
procedimiento para llegar al valor de los resistores.
b. Compruebe sus cálculos con una simulación SPICE.
c. ¿Concuerdan sus cálculos con la simulación SPICE? R=SI/NO

VDD = 10V

R1 RD

ID
IG = 0 +
VDS
+ −
IS = ID
VGS −

R2 RS

Figure 7: Problema 3. Polarización por divisor resistivo con degeneración de fuente

Considerando el valor de VGS = 1.8165V dado que es un transitor MOS canal N

Tomando de referencia el punto de operación del transistor sabemos VDS = 5V y ID = 1mA

DESARROLLAMOS UNA ECUACIÓN QUE INVOLCRE A R1 y R2

R1
VDD = VR2 + VGS + VRS VDD − VGS = VDD + RS IS Sabiendo que IS = ID
R1 + R2

10V R1
Obtenemos la ecuación [1]: 8.1835V = + (1mA)RS
R1 + R2

APLICAMOS LVK A LA MALLA DE SALIDA PARA EL CÁLCULO DE RD Y RS

VDD = VRD + VDS + VRS VDD − VDS = ID RD + IS RS Sabiendo que IS = ID

VDD − VDS 10V − 5V

VDD − VDS = ID (RD + RS ) RD + RS = RD + RS =
ID 1mA

Obtenemos la ecuación [2]: 5000Ω = RD + RS

Por lo tanto, planteamos RD = 1KΩ: RS = 5KΩ − 1KΩ = 4KΩ
Es ası́ como obtenemos que RD = 1KΩ y RS = 4KΩ

11
Erick Silvano Otañez Jimenez 12

SUSTITUYENDO RS EN LA ECUACIÓN [1] PARA OBTENER EL VALOR DE R1 Y R2

10V R1 10V R1
8.1835V = + (1mA)RS 8.1835V = + (1mA)(4KΩ)
R1 + R2 R1 + R2
10V R1 10V R1
8.1835V − 4V = 4.1835V =
R1 + R2 R1 + R2
Desarrollando: 4.1835V R1 + 4.1835V R2 = 10V R1 4.1835V R2 = 5.8165R1
Por lo tanto : R2 = 1.39R1
Dada la proporcion anterior, proponemos los siguientes valores:
R1 = 1KΩ y R2 = 1.39KΩ

SIMULACIÓN Y TABLA DE VALORES EN TopSpice

PARÁMETRO MAGNITUD UNIDADES

VGS 1.8164 V
VDS 5.0007 V
ID 9.9987E-04 A
IS -9.9987E-03 A
VTH 1.0000 V
GM 2.4493E-03 0
VSAT 0.8164 V

Figure 8: CIRCUITO 3 EN SPICE

Los cálculos realizados con el análisis de mallas propuesto fue correcto. Por lo tanto, el valor óhmico de las
resistencias R1 , R2 , RS y RD satisface el punto de operación deseado (5V, 1mA). En conclusión SE
COINDIDE TOTALMENTE CON TOPSPICE

12
Erick Silvano Otañez Jimenez 13

6 CUARTO PROBLEMA
a. Proponga valores de los resistores de modo que ID = 1mA. VDS es arbitrario. Se califica el procedimiento para
llegar al valor de los resistores.
b. Compruebe sus cálculos con una simulación SPICE.
c. ¿Concuerdan sus cálculos con la simulación SPICE? R=SI/NO

VDD = 10V

RD

RG

ID
IG = 0 +
VDS
+ −
VGS −

Figure 9: Problema 4. Autopolarización. En este ejercicio solo se debe cumplir ID = 1mA. VDS es arbitrario.

Conociendo el valor de VGS = 1.8165V dado que es un transitor MOS canal N

Antes de comenzar con el análisis de mallas, podemos afirmar que la caı́da de voltaje en la resistencia RG es
CER0, ya que, la corriente IG igual a CERO circula por esta resistencia. Por lo tanto:
RG Toma cualquier valor positivo

De igual manera, es relevante mencionar, que en un transistor MOS con configuración en autopolarizado
VGS = VDS

DESARROLLAMOS LVK A LA MALLA DE SALIDA PARA OBTENER EL VALOR DE RD

VDD = VDS + VRD VDD = VDS − ID RD Recordando que VGS = VDS

VDD − VGS 10V − 1.8165V

RD = RD = Por lo tanto, RD = 8.1835KΩ
ID 1mA
Finalmente, proponemos un valor para RG : RG = 5KΩ

13
Erick Silvano Otañez Jimenez 14

SIMULACIÓN Y TABLA DE VALORES EN TopSpice

PARÁMETRO MAGNITUD UNIDADES

VGS 1.8165 V
VDS 1.8165 V
ID 1.0000E-03 A
IS -1.0000E-03 A
VTH 1.0000 V
GM 2.4493E-03 0
VSAT 0.8165 V

Figure 10: CIRCUITO 4 EN SPICE

Los cálculos realizados con el análisis de mallas propuesto fue correcto. Por lo tanto, el valor óhmico de las
resistencias RG y RD satisfacen el valor de la corriente ID = 1mA. Mientras VGS = VDS dado que el transistor
esta autopolarizado. En conclusión SE COINDIDE TOTALMENTE CON TOPSPICE

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Erick Silvano Otañez Jimenez 15

7 QUINTO PROBLEMA
a. Proponga valores de los resistores de modo que ID = 1mA. VDS es arbitrario. Se califica el procedimiento para
llegar al valor de los resistores.
b. Compruebe sus cálculos con una simulación SPICE.
c. ¿Concuerdan sus cálculos con la simulación SPICE? R=SI/NO

VDD = 10V

RD

RF

ID
IG = 0 +
VDS
+ −
VGS −

RS

Figure 11: Problema 5. Autopolarización + degeneración de fuente. En este ejercicio solo se debe cumplir ID =
1mA. VDS es arbitrario.

Es sabido el valor de VGS = 1.8165V dado que es un transitor MOS canal N

Semejante al caso anterior, se puede afirmar que la caı́da de voltaje en la resistencia RF es CER0, ya que, la
corriente IG igual a CERO circula por la resistencia antes mencionada. Por lo tanto:
RF Toma cualquier valor positivo

De igual manera, es relevante mencionar, que en un transistor MOS con configuración en autopolarizado
VGS = VDS

APLICANDO LVK A LA MALLA DE SALIDA PARA EL CÁLCULO DE RD Y RS

VDD = VRD + VDS + VRS VDD − VDS = ID RD + IS RS Sabiendo que IS = ID y VGS = VDS

VDD − VGS
VDD − VGS = ID (RD + RS ) RD + RS =
ID

10V − 1.8165V
Por lo tanto: RD + RS = = 8.1835KΩ
1mA

15
Erick Silvano Otañez Jimenez 16

Suponiendo que RD = 4KΩ, RS = 8.1835KΩ − 4KΩ = 4.1835KΩ

Por lo tanto: RD = 4KΩ , RS = 4.1835KΩ y se propone que RF = 10KΩ

SIMULACIÓN Y TABLA DE VALORES EN TopSpice

PARÁMETRO MAGNITUD UNIDADES

VGS 1.8165 V
VDS 1.8165 V
ID 1.0000E-03 A
IS -1.0000E-03 A
VTH 1.0000 V
GM 2.4495E-03 0
VSAT 0.8165 V

Figure 12: CIRCUITO 5 EN SPICE

Nota: En la simulación se observan los voltajes VD Y VS . Por lo que, VD − VS = 1.816V

Los cálculos realizados con el análisis de mallas propuesto fue correcto. Por lo tanto, el valor óhmico de las
resistencias RF , RD , y RS satisfacen el valor de la corriente ID = 1mA. Mientras VGS = VDS dado que el
transistor esta autopolarizado. En conclusión SE COINDIDE TOTALMENTE CON TOPSPICE

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Erick Silvano Otañez Jimenez 17

8 SEXTO PROBLEMA
a. Proponga valores de los resistores de modo que el punto de operación sea Q = (5V, 1mA). Se califica el
procedimiento para llegar al valor de los resistores.
b. Compruebe sus cálculos con una simulación SPICE.
c. ¿Concuerdan sus cálculos con la simulación SPICE? R=SI/NO

VSS = 10V

+
IG = 0 VSG +
RG −
VSD
−
ID
VGG

RD

Figure 13: Problema 6. Configuración simple Canal P

Considerando VSG = 2.4142V dado que es un transitor MOS canal P

Tomando de referencia el punto de operación del transistor sabemos VSD = 5V y ID = 1mA

Antes de comenzar con el análisis de mallas, podemos afirmar que la caı́da de voltaje en la resistencia RG es
CER0, ya que, la corriente IG igual a CERO circula por esta resistencia. Por lo tanto:
RG Toma cualquier valor positivo

Para este problema, escogemos que RG sea igual a 10KΩ . Por lo tanto, RG = 1KΩ

CALCULANDO VGG
Desarrollamos una expresión que involucre VGG :
VSS = VSG + VRG + VGG VSS − VSG = IG RG + VGG
Dado que IG tiene corriente igual a CERO, concluimos lo siguiente:
VSS − VSG = VGG 10V − 2.4142V = VGG Por lo tanto: VGG = 7.5858V

APLICAMOS LVK A LA MALLA DE SALIDA PARA EL CÁLCULO DE RD

VSS − VSD
VSS = VRD + VSD RD =
ID

10V − 5V
RD = , Por lo tanto RD = 5KΩ
1mA

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Erick Silvano Otañez Jimenez 18

SIMULACIÓN Y TABLA DE VALORES EN TopSpice

PARÁMETRO MAGNITUD UNIDADES

VGS -2.4142 V
VDS -5.0001 V
ID -9.9998E-04 A
IS 9.9998E-04 A
VTH -1.0000 V
GM 1.4142E-03 0
VSAT -1.4142 V

Figure 14: CIRCUITO 6 EN SPICE

Nota: En la simulación se observan los voltajes VS Y VG . Por lo que, VG − VS = −2.414V

Dada la comprobación de los resultados en TOPSPICE, se puede concluir satisfactoriamente que el valor de las
resistencias RG y RD cumplen con el punto de operación solicitado en el problema (5V, 1mA). Por lo tanto,
LOS VALORES OBTENIDOS COINCIDEN CON SPICE.

18
Erick Silvano Otañez Jimenez 19

9 SÉPTIMO PROBLEMA
a. Proponga valores de los resistores de modo que el punto de operación sea Q = (5V, 1mA). Se califica el
procedimiento para llegar al valor de los resistores.
b. Compruebe sus cálculos con una simulación SPICE.
c. ¿Concuerdan sus cálculos con la simulación SPICE? R=SI/NO

VSS = 10V

R1

+
IG = 0 VSG +
−
VSD
−
ID

R2 RD

Figure 15: Problema 7. Polarización por divisor resistivo, canal P

Considerando VSG = 2.4142V dado que es un transitor MOS canal P

Tomando de referencia el punto de operación del transistor sabemos VSD = 5V y ID = 1mA

CALCULANDO R1 Y R2
Se propone una ecuación que involucre R2 y VSG , dado que se conoce el valor de dicho voltaje:

R2
VSS = VSG + VR2 VSS − VSG = VSS
R1 + R2

10V R2 10V R2
10V − 2.4142V = 7.5858V =
R1 + R2 R1 + R2
R1 7.5858V + R2 7.5858V = R2 10V 7.5858V R1 = 2.4142V R2
Por lo tanto: R2 = 3.142R1

Dada la proporcion anterior, proponemos los siguientes valores:

R1 = 1KΩ y R2 = 3.142KΩ

19
Erick Silvano Otañez Jimenez 20

APLICAMOS LVK A LA MALLA DE SALIDA PARA EL CÁLCULO DE RD

VSS − VSD
VSS = VRD + VSD RD =
ID

10V − 5V
RD = , Por lo tanto RD = 5KΩ
1mA

SIMULACIÓN Y TABLA DE VALORES EN TopSpice

PARÁMETRO MAGNITUD UNIDADES

VGS -2.4143 V
VDS -4.9994 V
ID -1.0001E-03 A
IS 1.0001E-03 A
VTH -1.0000 V
GM 1.4143E-03 0
VSAT -1.4143 V

Figure 16: CIRCUITO 7 EN SPICE

Dada la comprobación de los resultados en TOPSPICE, se puede concluir satisfactoriamente que el valor de las
resistencias R1 , R2 y RD cumplen con el punto de operación solicitado en el problema (5V, 1mA). Por lo tanto,
LOS VALORES OBTENIDOS COINCIDEN CON SPICE.

20
Erick Silvano Otañez Jimenez 21

10 OCTAVO PROBLEMA
a. Proponga valores de los resistores de modo que el punto de operación sea Q = (5V, 1mA). Se califica el
procedimiento para llegar al valor de los resistores.
b. Compruebe sus cálculos con una simulación SPICE.
c. ¿Concuerdan sus cálculos con la simulación SPICE? R=SI/NO

VSS = 10V

R1 RS

+
IG = 0 VSG +
−
VSD
−
ID

R2 RD

Figure 17: Problema 8. Polarización por divisor resistivo y degeneración de fuente, canal P.

Es sabido el valor de VSG = 2.4142V dado que es un transitor MOS canal P

Tomando de referencia el punto de operación del transistor sabemos VSD = 5V y ID = 1mA

DESARROLLAMOS UNA ECUACIÓN QUE INVOLCRE A R1 y R2

R2
VSS = VRS + VSG + VR2 VSS − VSG = VDD + RS IS Sabiendo que IS = ID
R1 + R2

10V R2
Obtenemos la ecuación [1]: 7.5858V = + (1mA)RS
R1 + R2

APLICAMOS LVK A LA MALLA DE SALIDA PARA EL CÁLCULO DE RD Y RS

VSS = VRS + VSD + VRD VSS − VSD = IS RS + ID RD Sabiendo que IS = ID

VSS − VSD 10V − 5V

VSS − VSD = ID (RS + RD ) RS + RD = RS + RD =
ID 1mA

Obtenemos la ecuación [2]: RD + RS = 5000Ω

Por lo tanto, planteamos RD = 2KΩ: RS = 5KΩ − 2KΩ = 3KΩ
Es ası́ como obtenemos: RD = 2KΩ y RS = 3KΩ

21
Erick Silvano Otañez Jimenez 22

SUSTITUYENDO RS EN LA ECUACIÓN [1] PARA OBTENER EL VALOR DE R1 Y R2

10V R2 10V R2
7.5858V = + (1mA)RS 7.5858V = + (1mA)(3KΩ)
R1 + R2 R1 + R2
10V R2 10V R2
7.5858V − 3V = 4.5858V =
R1 + R2 R1 + R2
Desarrollando: 4.5858V R1 + 4.5858V R2 = 10V R2 4.5858V R1 = 5.4142R2
Por lo tanto : R1 = 1.181R2
Dada la proporcion anterior, proponemos los siguientes valores:
R2 = 1KΩ y R1 = 1.181KΩ
SIMULACIÓN Y TABLA DE VALORES EN TopSpice

PARÁMETRO MAGNITUD UNIDADES

VGS -2.4144 V
VDS -4.9990 V
ID -1.0002E-03 A
IS 1.0001E-02 A
VTH -1.0000 V
GM 1.4144E-03 0
VSAT -1.4144 V

Figure 18: CIRCUITO 8 EN SPICE

Nota: En la simulación se observan los voltajes VS Y VD . Por lo que, VD − VS = −4.999V

Dada la comprobación de los resultados en TOPSPICE, se puede concluir satisfactoriamente que el valor de las
resistencias R1 , R2 , RD y RS cumplen con el punto de operación solicitado en el problema (5V, 1mA). Por lo
tanto, LOS VALORES OBTENIDOS COINCIDEN CON SPICE.

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11 NOVENO PROBLEMA
a. Proponga valores de los resistores de modo que ID = 1mA. VDS es arbitrario. Se califica el procedimiento para
llegar al valor de los resistores.
b. Compruebe sus cálculos con una simulación SPICE.
c. ¿Concuerdan sus cálculos con la simulación SPICE? R=SI/NO

VSS = 10V

+
IG = 0 VSG +
−
VSD
−
ID

RG
RD

Figure 19: Problema 9. Autopolarización + degeneración de fuente. En este ejercicio solo se debe cumplir ID =
1mA. VSD es arbitrario.

Es sabido el valor de VSG = 2.4142V dado que es un transitor MOS canal P

De igual manera, es relevante mencionar, que en un transistor MOS de canal P con configuración en
autopolarizado, cumple la siguiente condición: VSG = VSD

Semejante a casos anteriores, se puede afirmar que la caı́da de voltaje en la resistencia RG es CER0, ya que, la
corriente IG igual a CERO circula por este resistor. Por lo tanto:
RG Toma cualquier valor positivo

Dado que RG no tiene caı́da de voltaje, proponemos el siguiente valor óhmico: RG = 4K

DESARROLLAMOS LVK A LA MALLA DE SALIDA PARA OBTENER EL VALOR DE RD

VSS = VSD + VRD VSS = VSD − ID RD Recordando que VSG = VSD

VSS − VSG 10V − 2.4142V

RD = RD = Por lo tanto, RD = 7.5858KΩ
ID 1mA

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SIMULACIÓN Y TABLA DE VALORES EN TopSpice

PARÁMETRO MAGNITUD UNIDADES

VGS -2.4142 V
VDS -2.4142 V
ID -1.0000E-03 A
IS 1.0000E-02 A
VTH -1.0000 V
GM 1.4142E-03 0
VSAT -1.4142 V

Figure 20: CIRCUITO 9 EN SPICE

Nota: En la simulación se observan los voltajes VS Y VD . Por lo que, VD − VS = −2.414V

Dada la comprobación de los resultados en TOPSPICE, se puede concluir satisfactoriamente que el valor de las
resistencias RG , y RD cumplen con el valor de la corriente ID = 1mA. Mientras VSG = VSD dado que el
transistor esta autopolarizado. Por lo tanto, LOS VALORES OBTENIDOS COINCIDEN CON SPICE.

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12 DÉCIMO PROBLEMA
a. Proponga valores de los resistores de modo que ID = 1mA. VDS es arbitrario. Se califica el procedimiento para
llegar al valor de los resistores.
b. Compruebe sus cálculos con una simulación SPICE.
c. ¿Concuerdan sus cálculos con la simulación SPICE? R=SI/NO

VSS = 10V

RS

+
IG = 0 VSG +
−
VSD
−
ID

RG
RD

Figure 21: Problema 10. Autopolarización + degeneración de fuente. En este ejercicio solo se debe cumplir
ID = 1mA. VSD es arbitrario.

Considerando VSG = 2.4142V dado que es un transitor MOS canal P

Es relevante mencionar que, en un transistor MOS de canal P con configuración en autopolarizado, cumple la
siguiente condición: VSG = VSD

Semejante a casos anteriores, se puede afirmar que la caı́da de voltaje en la resistencia RG es CER0, ya que, la
corriente IG igual a CERO circula por este resistor. Por lo tanto:
RG Toma cualquier valor positivo

APLICANDO LVK A LA MALLA DE SALIDA PARA EL CÁLCULO DE RD Y RS

VSS = VRS + VSD + VRD VSS − VSD = IS RS + ID RD Sabiendo que IS = ID y VSG = VSD

VSS − VSG
VSS − VSG = ID (RS + RD ) RS + RD =
ID

10V − 2.4142V
Por lo tanto: RS + RD = = 7.5858KΩ
1mA

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Suponiendo que RD = 2KΩ, RS = 7.5858KΩ − 2KΩ = 5.5858KΩ

Por lo tanto: RD = 2KΩ , RS = 5.5858KΩ y se propone que RG = 5KΩ

SIMULACIÓN Y TABLA DE VALORES EN TopSpice

PARÁMETRO MAGNITUD UNIDADES

VGS -2.4142 V
VDS -2.4142 V
ID -1.0000E-03 A
IS 1.0000E-02 A
VTH -1.0000 V
GM 1.4142E-03 0
VSAT -1.4142 V

Figure 22: CIRCUITO 10 EN SPICE

Nota: En la simulación se observan los voltajes VS Y VD . Por lo que, VD − VS = −2.414V

Dada la comprobación de los resultados en TOPSPICE, se puede concluir satisfactoriamente que el valor de las
resistencias RS ,RG y RD cumplen con el valor de la corriente ID = 1mA. Mientras VSG = VSD dado que el
transistor esta autopolarizado. Por lo tanto, LOS VALORES OBTENIDOS COINCIDEN CON SPICE.

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13 CONCLUSIÓN
Fue logrado exitosamente la solución de los ejercicios pertenecientes al tema de Transistores MOS. De esta
manera, el estudiante puso en práctica la teorı́a suministrada por el catedrático a lo largo de las sesiones en lı́nea.

A manera personal, debido a que la corriente de compuerta IG es igual a cero, facilitó el cálculo de las resistencias.
Por otro lado, la auto polarización del transistor dio menos complejidad a los problemas porque el voltaje VGS es
igual al voltaje VDS para el transistor NMOS y el voltaje VSG es igual al voltaje VSD para el transistor PMOS.

La obtención de las curvas del transistor fue una labor interesante, debido a que el alumno desarrolló la habilidad
de reconocer ciertas funciones en el simulador TopSpice, tal como el barrido de un parámetro. En este caso se hizo
un barrido del voltaje entre compuerta - fuente, y viceversa.

En conclusión, la realización de esta tarea fue obtenida de manera satisfactoria. Es relevante mencionar que dada
la ayuda del profesor en la obtención de los voltajes VGS y VSG , facilitó el tiempo de resolución de esta actividad.
Por otro lado , los valores propuestos para cada una de las resistencias de los 10 problemas fueron correctos, dado
que se coincidia en su totalidad con los valores suministrados por TopSpice en referencia al punto de operación del
transistor o corriente ID según fuese el caso..

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