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DISEÑO ELECTRÓNICO II
LABORATORIO I. CURVAS CARACTERÍSTICAS DEL MOSFET

OBJETIVOS

OBJETIVO GENERAL.
Obtener las curvas características de un Mosfet y compararlas con los datos dados por el fabricante.

OBJETIVOS ESPECÍFICOS
 Entender los parámetros básicos de un transistor Mosfet a partir de la lectura de la hoja de
especificaciones dadas por el fabricante.
 Obtener por medición directa las curvas características de un transistor Mosfet y
compararlas con las dadas por el fabricante

PROCEDIMIENTO.

Preinforme (deberá ser presentado antes de iniciar la práctica de laboratorio)

1. Obtener directamente de la página del fabricante la hoja de especificaciones completa
(“datasheet”) del transistor que va a utilizar.
2. Determinar valores máximos de voltaje y de corriente en los terminales dados por el
fabricante. Tabular los datos claves.

Informe. Debe ser presentado en formato IEEE. Debe incluir los datos anteriores y los obtenidos en
las mediciones de laboratorio junto con los demás elementos del formato IEEE.
1. Montar el siguiente circuito. Los valores de R, de VG y de Vcc deberá escogerlos de acuerdo
con los datos obtenidos en el punto anterior. Justificar valores por medio de ecuaciones de
diseño.

𝑰𝑫
𝑫 𝑹
𝑮
𝑺
𝑽𝒄𝒄
𝑽𝑮𝑮

2. Colocar el voltaje de VGG en pasos de 0.2 voltios desde 0.2 hasta el valor que le permita el
transistor de acuerdo con datos de fabricante en cuanto a voltaje de compuerta y corriente
del drenador. Manteniendo ese valor constante variar Vcc desde 0 hasta el máximo que le
permita el transistor en voltaje VDS y la corriente de drenador. Medir la corriente de
drenador ID y VDS para cada variación de VGG. Tabular los datos y presentarlos para cada
valor de VGG=VGS.
3. Con los datos tabulados graficar las curvas características de ID vs VDS para cada valor de VGS.
4. Analizar y sacar conclusiones.
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CUESTIONARIO

1. ¿Para qué sirven las curvas características VDS vs Id de un MOSFET?

2. ¿Por qué existe la región óhmica en las curvas características de un MOSFET?
3. ¿Cuáles parámetros se pueden medir en las curvas características VDS vs Id de un MOSFET?
4. Comparar el transistor BJT con el Mosfet. Tabular.
5. ¿Qué precauciones se deben tomar al manipular los dispositivos con tecnología MOS?
¿Por qué?