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  • 4pcee411n 2020 1

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    El documento presenta 3 problemas sobre dispositivos electrónicos para una prueba práctica. El primer problema pide calcular el punto de operación y la ganancia de tensión de un circuito con JFET para dos valores de resistencia. El segundo problema pide calcular el punto de operación y parámetros de ganancia de un circuito con dos transistores con señal senoidal de entrada. El tercer problema pide calcular la ganancia, resistencia de entrada y máxima señal de entrada de un circuito con transistor BJT.

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    Título original

    4PCEE411N-2020-1

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    El documento presenta 3 problemas sobre dispositivos electrónicos para una prueba práctica. El primer problema pide calcular el punto de operación y la ganancia de tensión de un circuito con JFET para dos valores de resistencia. El segundo problema pide calcular el punto de operación y parámetros de ganancia de un circuito con dos transistores con señal senoidal de entrada. El tercer problema pide calcular la ganancia, resistencia de entrada y máxima señal de entrada de un circuito con transistor BJT.

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    UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA Ciclo Académico: 2020-I

    FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA Fecha: 23-09-20


    DEPARTAMENTOS ACADÉMICOS Duración: 115 m.

    CURSO: Dispositivos Electrónicos COD. CURSO: EE411N

    TIPO DE PRUEBA: PRACTICA No. 4 Ex. PARCIAL EX. FINAL EX. SUST.

    Apellidos y Nombres:………………………………………………………………………..

    Nota: Son tres problemas dura 115 minutos incluyendo la subida a Moolde pasado este
    tiempo no podrán entregar el problema. (subir fotografía del celular legible o escaneado)

    Problema 1.- (6 Puntos)


    En el siguiente circuito todos los condensadores figura2 su valor tienden al infinito calcular:
    a) El punto de operación IDS; VDS. (1pts)
    b) La ganancia de tención en pequeña señal, AV = Vo/Vi ; Zo y Zi (2pts)
    c) Efectuar los cálculos anteriores a) y b) si la resistencia R2 cambia a 400 KΩ. (3pts)

    22V
    Vcc
    20V
    10k
    1M
    2M 5k 3.6k Vo
    C3 C

    C2 Vo RL 10k
    10uF
    Q1
    Vi Zo 10uF

    Zi 150k 100k
    R2 Datos: β=100; Silicio
    +
    1k C1
    100mV 1.1k JFET: IDSS=10mA;
    Figura2 - VP= -4V
    Figura2

    Problema 2.- (7 Puntos)


    En el siguiente circuito Figura2 la señal de entrada es senoidal de 100mV:
    a) El punto de operación de los dos transistores. (3 puntos).
    b) La ganancia de tensión (Av), la ganancia de corriente(A
    Características I), la impedancia de salida (Z0) y la impedancia
    del JFET:
    de entrada (ZI) (4 puntos) I = 15 mA.
    DSS
    │VT│= 2.5 V. rds= ∞
    Problema 3.- (7 Puntos)
    En el circuito de la figura 3 mostrado, el transistor tiene Vt= 1.5 V, K´n(W/L)= 0.25 mA/V2 y VA= 50V, suponga
    que los condensadores de acoplamiento son los suficientemente grandes como para actuar como
    cortocircuitos a las frecuencias de señal que resultan de interés. Calcular AV=Vo/Vi (3 puntos); su resistencia
    de entrada Rent (2 puntos). y la máxima señal de entrada permisible. (2 puntos).

    15V

    10k

    C2
    10M Vo
    C1
    Q1
    10k
    +
    Vi
    -
    Figura3

    El Profesor

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