4.3.1.

2 Modelo de Ebers-Moll

1. EL MODELO DE EBERS-MOLL
MicroCap utiliza para la simulación de los transistores BJT un modelo de Ebers-Moll
ampliado para tener en cuenta multitud de efectos de segundo orden. Las decenas de
parámetros de este modelo se utilizan para aprovechar la enorme capacidad de cálculo de
los computadores para efectuar la simulación y obtener resultados que se aproximan en
gran medida a los que se obtendrían con el elemento real. Esta precisión, que resulta de
gran utilidad cuando se quiere ensayar un circuito real antes de construirlo, es innecesaria e
incluso contraproducente para los objetivos didácticos que persigue esta obra.

En esta sección se presentará el modelo de Ebers-Moll que subyace en las simulaciones de

MicroCap, que es en realidad una pequeña parte del modelo completo. Sin embargo, tal y
como sucedió con los diodos, en adelante se utilizarán modelos del transistor aún más
sencillos; aptos para el cálculo manual.

Tal y como se mostró en la parte teórica, la expresión analítica del modelo de Ebers-Moll
para el transistor NPN es:

⎧ ⎡ ⎛ u ⎞ ⎤ I ⎡ ⎛ u ⎞ ⎤
⎪iC = I S ⎢exp⎜⎜ BE ⎟⎟ − 1⎥ − S ⎢exp⎜⎜ BC ⎟⎟ − 1⎥
⎪ ⎣ ⎝ n FVT ⎠ ⎦ α R ⎣ ⎝ n RVT ⎠ ⎦
⎨
⎪i = I S ⎡exp⎛⎜ u BE ⎞⎟ − 1⎤ − I ⎡exp⎛⎜ u BC ⎞ ⎤
⎟⎟ − 1⎥
⎪ E α F ⎢ ⎜⎝ n FVT ⎟⎠ ⎥ S ⎢ ⎜⎝ n RVT ⎠ ⎦
⎩ ⎣ ⎦ ⎣

Todos los parámetros de estas ecuaciones están incluidos en el modelo del transistor
utilizado por el simulador. Los parámetros nF, nR e IS lo están directamente a través de NR,
NF e IS, respectivamente; sin embargo los parámetros “alfa” lo están indirectamente a
través de los “beta” (BF y BR), ya que, como se vio en la parte teórica, existe una relación
directa entre ambos:

⎧ αF ⎧ 1 1
⎪⎪ β F = 1 − α ⎪⎪α = β + 1
⎨
F
⇒ ⎨ F F
αR 1 1
⎪β R = ⎪ = +1
⎪⎩ 1−αR ⎪⎩α R β R

1.1. Circuito
La Figura 1 muestra el circuito que se simulará. Consta de un transistor Q1, de una fuente
de corriente constante IB, que será la encargada de proporcionar una variación en la
corriente durante la simulación y de una fuente de tensión constante VC, en cargada de
proporcionar la polarización. Se trata de un montaje en configuración de emisor común.

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 4.3.1.2 Modelo de Ebers-Moll

Figura 1

La Figura 2 muestra el cuadro de diálogo del transistor, en el que se ha utilizado la

definición:
.MODEL NPN NPN ()
es decir, con todos los valores de sus parámetros tomados por defecto.

Figura 2

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 4.3.1.2 Modelo de Ebers-Moll

La Figura 3 muestra la ventana de diálogo para la fuente de corriente constante. Dado que
su misión es variar la corriente durante la simulación, su valor es arbitrario.

Figura 3

La Figura 4 muestra la ventana de diálogo para la fuente de tensión constante.

Figura 4

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 4.3.1.2 Modelo de Ebers-Moll

2. VARIACIÓN EN LA CORRIENTE DE SATURACIÓN

En primer lugar se hará variar el valor del parámetro IS para observar sus efectos sobre el
trazado de las características del transistor.

2.1. Característica base-emisor

La Figura 5 muestra los parámetros del trazado que se va a realizar, introducidos en la
ventana de diálogo del análisis de corriente continua, que aparece al seleccionar el menú:
Analysis/DC...

Figura 5

Pulsando el botón Stepping... de esta ventana, aparece la ventana de diálogo mostrada en la

Figura 6, donde se introducen los valores para la variación escalonada del parámetro IS
del modelo NPN. Se trata de un trazado logarítmico con una variación de 1000 veces en el
valor del parámetro entre escalones, desde 1 fetmo hasta 1.

Figura 6

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 4.3.1.2 Modelo de Ebers-Moll

La Figura 7 muestra la gráfica obtenida con los parámetros anteriores. Puede observarse
que la tensión de codo se aproxima a cero progresivamente según crece el valor de IS. El
comportamiento0 es análogo al ya visto del diodo, como corresponde a la unión P-N.

Figura 7

2.2. Característica colector-emisor

La Figura 8 muestra la ventana de selección de parámetros para el trazado de la
característica colector-emisor. La Figura 9 muestra la ventana del análisis escalonado. En
este caso se hará variar el parámetro IS del modelo de transistor, linealmente entre 1f y
1m.

Figura 8

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 4.3.1.2 Modelo de Ebers-Moll

Figura 9

La Figura 10 muestra la gráfica obtenida. Como se puede observar, el aumento de IS hace

que aumente la ganancia del transistor.

Figura 10

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 4.3.1.2 Modelo de Ebers-Moll

3. VARIACIÓN DEL COEFICIENTE DE EMISIÓN DIRECTO

En este caso se hará variar nF para observar sus efectos sobre el trazado de las
características del transistor.

3.1. Característica base-emisor

La Figura 11 muestra los parámetros del trazado que se va a realizar, introducidos en la
ventana de diálogo del análisis de corriente continua, que aparece al seleccionar el menú:
Analysis/DC...

Figura 11

Pulsando el botón Stepping... de esta ventana, aparece la ventana de diálogo mostrada en la

Figura 12, donde se introducen los valores para la variación escalonada del parámetro NF
del modelo NPN. Se trata de un trazado según unja lista de valores.

Figura 12

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La Figura 13 muestra la gráfica obtenida. Puede como el trazado se aproxima al eje

vertical según se reduce NF, de forma idéntica a como lo hacía en el diodo. Con valores
muy bajos del parámetro, la unión P-N se comporta aproximadamente como un diodo ideal.

Figura 13

3.2. Característica colector-emisor

La Figura 14 muestra la ventana de selección de parámetros para el trazado de la
característica colector-emisor y la Figura 15 la ventana del trazado escalonado. Se hará
variar el parámetro NF del modelo de transistor según una lista de valores.

Figura 14

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 4.3.1.2 Modelo de Ebers-Moll

Figura 15

La Figura 16 muestra la gráfica obtenida. La disminución de NF hace que el trazado se

desplace hacia valores negativos de VCE.

Figura 16

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4. VARIACIÓN DEL COEFICIENTE DE EMISIÓN INVERSO

En este caso se hará variar nR para observar sus efectos sobre el trazado de las
características del transistor.

4.1. Característica base-emisor

Para esta polarización, la variación de el coeficiente de emisión inverso nR no tiene efectos
apreciables sobre esta característica.

4.2. Característica colector-emisor

Se utilizarán los mismos valores para el trazado que en el apartado anterior. La variación
escalonada será en este caso del parámetro NR del modelo de transistor. La Figura 17
muestra el resultado, que es simétrico con la variación de NF.

Figura 17

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 4.3.1.2 Modelo de Ebers-Moll

5. VARIACIÓN DEL COEFICIENTE BETA DIRECTO

En este caso se hará variar βF para observar sus efectos sobre el trazado de las
características del transistor.

5.1. Característica base-emisor

La Figura 18 muestra los parámetros del trazado que se va a realizar, introducidos en la
ventana de diálogo del análisis de corriente continua, que aparece al seleccionar el menú:
Analysis/DC...

Figura 18

Pulsando el botón Stepping... de esta ventana, aparece la ventana de diálogo mostrada

en la Figura 19, donde se introducen los valores para la variación escalonada del
parámetro BF del modelo NPN. Se trata de un trazado logarítmico.

Figura 19

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 4.3.1.2 Modelo de Ebers-Moll

La Figura 20 muestra la gráfica obtenida. Puede verse como el trazado se aproxima al eje
vertical según se reduce BF.

Figura 20

5.2. Característica colector-emisor

La Figura 21 muestra la ventana de selección de parámetros para el trazado de la
característica colector-emisor y la Figura 15 la ventana del trazado escalonado. Se hará
variar el parámetro BF del modelo de transistor según una lista de valores.

Figura 21

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Figura 22

La Figura 16 muestra la gráfica obtenida. Se observa como aumenta con BF la tensión de

salida en el estado activo directo para una misma corriente de base.

Figura 23

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 4.3.1.2 Modelo de Ebers-Moll

6. VARIACIÓN DEL COEFICIENTE BETA INVERSO

En este caso se hará variar βR para observar sus efectos sobre el trazado de las
características del transistor.

6.1. Característica base-emisor

No se producen modificaciones significativas en esta característica cuando se varía el valor
de βR.

6.2. Característica colector-emisor

La Figura 24 muestra la ventana de selección de parámetros para el trazado de la
característica colector-emisor y la Figura 25 la ventana del trazado escalonado. Se hará
variar el parámetro BR del modelo de transistor según una lista de valores.

Figura 24

Figura 25

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La Figura 26 muestra la gráfica obtenida. Se observa como disminuye con BR la tensión de

salida en el estado activo directo para una misma corriente de base.

Figura 26

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