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PRCTICA3 Transistores:polarizacinyaplicaciones
El objetivo de esta prctica es observar las caractersticas corriente tensin de un transistor bipolar, comprobar su punto de operacin estacionario y mostrar su aplicacin en la realizacin de circuitos amplificadores. Un transistor bipolar (BJT) est formado por tres regiones de semiconductor dopadas alternativamente, en cadaunadelascualesseestableceuncontactometlico.Existendostipos:

TransistorpnpTransistornpn

Tomaremoscomoreferenciaparaaplicarlastensioneselterminaldeemisor.Cuandolastensionesaplicadas a la base y al colector son negativas en los transistores pnp o positivas en los transistores npn, decimos que el transistor est trabajando/polarizado en la zona activa directa. En estas condiciones de polarizacin, al estar la unin baseemisor en directa y la basecolector en inversa, se cumple que la corriente de colector, IC, prcticamentenodependedelatensinaplicadaalcolectoryesproporcionalalacorrientedebase,IB:

IC=FIB
siendoFlagananciaencorrientedeltransistor.

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2 Si la corriente de base no es suficientemente alta el transistor no conducir (IC=0), es lo que se llama regin decorte,mientrasqueparapequeastensionesaplicadasalcolectorestamosenlaregindesaturacin(ICnoes constanteconVCE)

En esta prctica utilizaremos el transistor bipolar 2N2222, de tipo npn cuyas caractersticas de salida y configuracindeterminalessemuestranenlafigurasiguiente.

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+ + + IB Tierrasdel IC + osciloscopio RB BB RC CC C Transistor B 2N2222 E CH1=VCE Con este circuito, utilizando dos generadores de funciones, uno para la barrer la polarizacin de colector y otroparaladelabase(amuybajafrecuencia),sepuedeobservalaformadelascaractersticasdesalidaICVCEdel transistor.DadoqueelCH1delosciloscopionosepuedeinvertir,estassemostrarancomosiVCEfuesenegativo.

CH2=VRc=ICRC

VCC=6.6V RB=120K
C B
Transistor 2N2222

RC=390

E
Montar este circuito utilizando una de las fuentes de alimentacin variables del entrenador. Con ayuda de las caractersticas del transistor de la Figura anterior y sabiendo que la diferencia de tensin en la unin baseemisor (polarizada en directa) es alrededor de VBE=0.6 V, calcular grficamente el punto de operacin estacionario y comprobarlo con las medidas de VBE VCE, IB e IC (calcular las corrientes a partir de los valores de tensinproporcionadosporelmultmetroentrelosextremosdelasresistenciasRByRC). CalcularfinalmenteelvalordeF Si ahora aplicamos una tensin variable a la base del transistor (a travs de un condensador que slo deja pasar las variaciones de tensin) podemos utilizar este circuito como amplificador de tensiones AC (de alterna) si tomamoscomosalidalatensinenelcolectordeltransistor.

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4 Paracalcularelvalordelagananciaentensinvo/videlcircuitoesnecesarioutilizarelcircuitoequivalente deltransistorparasealesalternas.Deestaformaseobtiene Circuitoequivalente parasealesalternas

VCC=6.6V RB=120K RC=390

C B
SALIDAvo: CH2del osciloscopio

C=5F
+ R=10K

ENTRADAvi: CH1delosciloscopio

vi

ic r
E

vo

ib

ibF

RC

ic=ibF voicRC viibr voviFRC/r

voviFRC/r
Utilizar una seal sinusoidal de frecuencia 1 KHz en el generador de funciones para proporcionar la entrada y observar que la salida est invertida con respecto a la entrada (ganancia negativa). Medir con el osciloscopio la gananciaentensinvo/vicomococientedelasamplitudesdelassealesdesalidayentradayestimarelvalorde lardeltransistor. Paramejorapreciarlasamplitudesdelassealesvariable,utilizarelacoplamientoACdelosciloscopio.

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