Fundamentos de Electrónica.

Relación de problemas

1. Dado un circuito de polarización por divisor de tensión de un transistor

bipolar NPN, se pide:
a. Determinar el valor de los elementos de polarización para que
el transistor trabaje en el punto Q(12V, 30mA) y sabiendo que
está en el centro de la recta de carga. Además, RE = 220Ω.
b. Modificar el valor de los elementos de la polarización
(manteniendo la recta de carga), para que el transistor trabaje
en la zona de saturación con IB = 2*IBumbral.
Datos del transistor: VBEon = 0.7V; VBEsat = 0.8V; VCEsat = 0.2V; VBEoff = 0.5V; β = 100.
Considerad IC≈IE

2. En el circuito de polarización de la figura, donde Vcc = 12V, R1 = 150K,

R2 = 300K, RC = RE = 6K, se pide:
a. Determinar el punto de trabajo del transistor, justificando la
respuesta.
b. Modificar la polarización, manteniendo la recta de carga, de forma que:
i. Si está en RAD, polarizar en Saturación con Ib=2*Icsat/ β.
ii. Si está en saturación, polarizar en el centro de la recta de carga.
iii. Si está en corte, polarizar en el centro de la recta de carga.
Datos adicionales: VBEon = 0.7V; VBEsat = 0.8V; VCEsat = 0.2V; VBEoff = 0.5V; β = 100

3. Repetir el ejercicio anterior, si:

a. VCC = 12V, R1 = 200K, R2 = 200K, RC = RE = 6K

4. En el circuito de la figura:
a. Definir la recta de carga.
b. El transistor está operando en la región de saturación. Justifícalo.
c. Modificar R1 y R2 para que trabaje en el centro de la recta de carga.
d. Modificar R1 y R2 para que trabaje en la región de corte.
Datos del circuito de polarización: Vcc = 12V, R1 = 150K, R2 = 300K, RC = RE = 6K
Datos del transistor: VBEon = 0.7V; VBEsat = 0.8V; VCEsat = 0.2V; VBEoff = 0.5V; β = 100.

5. En el circuito de polarización por divisor de tensión que aparece en la figura anterior, se

pide:
a. Polarizar el transistor en el punto Q(6V, 0,5mA). Determinar la recta de carga.
b. Modificar R1 y R2 para que trabaje en la región de corte.
c. Modificar R1 y R2 para que trabaje en el umbral entre RAD y saturación.
Datos del circuito de polarización: Vcc = 12V
Datos del transistor: VBEon = 0.7V; VBEsat = 0.8V; VCEsat = 0.2V; VBEoff = 0.5V; β = 100.

6. Dado el circuito de la figura,

a) Polarizar el transistor para conseguir un punto de trabajo:
Q=(6V,2mA)
b) Modificar la polarización para que el transistor trabaje en
el umbral de la RAD y saturación.
c) Modificar el valor de la polarización para situar al
transistor en la zona de corte.
Datos del transistor: VEBon = 0.7V; VEBsat = 0.8V; VECsat = 0.2V; VEBoff = 0.5V; β = 100.

Transistor Bipolar de Unión (BJT) 1

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7. En el circuito de la figura, se pide:

a. Polarizar el transistor en el punto Q=(7.5V,20mA), estando
este punto en el centro de la recta de carga.
b. Dibujar la recta de carga.
c. Modificar la polarización para que trabaje en saturación,
manteniendo la recta de carga.
d. Modificar la polarización para que trabaje en la zona de corte,
manteniendo la recta de carga.
Datos: VEBon = 0.7V; VEBsat = 0.8V; VECsat = 0.2V; VEBoff = 0.5V; β = 100.

8. Dado el siguiente circuito de polarización, se pide:

a. Determinar, justificadamente, la recta de carga y el punto de
trabajo (Q).
b. Modificar la polarización de la base para que el transistor
trabaje en el umbral de las regiones activa directa y
saturación.
Datos: VBEon = 0.7V; VBEsat = 0.8V; VBEoff = 0.5V; VCEsat = 0.2V; β = 100; IE ≈ IC

9. Dado el siguiente circuito, se pide:

a. Determinar, justificadamente, la recta de carga y el punto de
trabajo (Q).
b. Modificar la polarización de la base para que el transistor
trabaje en el centro de la recta de carga.
Datos: VEBon = 0.7V; VEBsat = 0.8V; VECsat = 0.2V; VEBoff = 0.5V; β = 100; IE ≈ IC

Transistor Bipolar de Unión (BJT) 2