PROBLEMAS

01:
Dado el circuito de la figura, responde a las siguientes cuestiones:

Datos:

VCC = 15 V
VBB = 3 V
RC = 3.9 kΩ
RE = 1 kΩ
RB = 56 kΩ

VCE,sat = 0.2 V
VBE,on = 0.7 V
β = 100

Nota: En los cálculos NO se puede despreciar la Intensidad de Base IB

(a) ¿Cuál será el punto de polarización?

(b) Dibuja la recta de carga en el circuito del colector y sitúa en ella el punto de
polarización
(c) ¿Para qué rango de valores de VBB el transistor se encuentra en zona
activa (lineal)

SOLUCIÓN:
(a) Suponiendo que el transistor se encuentra en activa:

𝐼𝐶 = 𝛽 · 𝐼𝐵 = 1.46 𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝛽𝐼𝐵𝑅𝐶 − (𝛽 + 1)𝐼𝐵𝑅𝐸 = 7.8 𝑉 > 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡

 Por tanto, el transistor se encuentra en activa y el punto de polarización es:

IB = 14.65 µA, IC = 1.465mA, VCE = 7.8 V, VBE = 0.7 V

V
(b) Recta de carga:

La ecuación de la recta de carga en el

circuito del colector viene dada por: Ic

𝑉𝐶𝐶 ≅ 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐶 · (𝑅𝐸 + 𝑅𝐶) 3.1mA

La intersección de esta ecuación con Q

los ejes es: 1.46mA

𝐼𝐶 = 0 → 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 = 15𝑉

7.8V 15V VCE
(c) Límite de corte:

V BB −V BE
I B= >0 →V BB >0.7 V
R BB+(β +1) R E

Límite de saturación:

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝛽𝐼𝐵𝑅𝐶 − (𝛽 + 1)𝐼𝐵𝑅𝐸 > 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡

Dado que:

𝑉𝐵𝐵 < 𝐼𝐵,𝑚𝑎𝑥 · [𝑅𝐵𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸] + 𝑉𝐵𝐸 = 5.43𝑉

Por tanto:

0.7V < VBB < 5.43V

02:
Sea el siguiente circuito:

Circuito Datos del circuito:

VCC = 15 V.
R1=R2=10 K

Datos del BJT:

 = 100.
IC MAX = 500 mA.
VCE MAX = 45 V.
Tj MAX = 175 ºC.
VBE = 0.7 V.
PMAX = 500 mW.
IB MAX = 100 mA.
VCE SAT = 0.2 V.
Rth=100ºC/W
Tamb=20ºC
(a) Para RC=RE=1 K. Indique los valores de VCE e IC en los que estará ubicado el
punto de polarización del transistor sobre la recta de carga.
(b) Para RC= 10 K y RE=0 . Indique cuánto vale la corriente que circula por el
emisor del transistor.

SOLUCIÓN:
(a) Los valores de la fuente de la fuente de tensión y resistencia del equivalente Thevenin
de la base son RB=5K y VBB=7.5(V). A partir de estos valores se calcula la corriente
que circula por la base:

VBB  VBE
IB   64,15A
RB   
1RE
Y a partir de ella la corriente que circula por el colector es IC=6,42mA.
Del análisis de la malla de colector se obtiene la tensión VCE:
(b) Los valores de la fuente de la fuente de tensión y resistencia del equivalente Thevenin
de la base son RB=5K y VBB=7.5(V).

Si suponemos que el transistor está en activa,

La tension VCE será, por tanto:

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝛽 · 𝐼𝐵 · 𝑅𝐶 = −1.34 kV

Lo cual no es posible para el estado activa. El transistor se encontrará, por tanto,

saturado. Por tanto:
V  VBE
I  CC  1,36mA
B
RB
VCC  VCE
I   1,48mA
C
RC
I E  IC  I B  2,84mA

03:
Calcular que VI hace que el BJT se sature.

RC
Datos :
RB
SAT= 60,
VCE SAT =0.2 V,
V VBE SAT = 0.7 V.
VI
CC VCC = 18 V
RC = 1 K
RB = 10
K
SOLUCIÓN:
De la malla de colector tenemos la ecuación:

VCC  ICsat ·RC VCEsat

Si despejamos ICsat tendremos:

VCC VCEsat 18 V  0.2

ICsat    17.8 mA
RC V
1000 
De la ecuación del transistor tendremos que:

Con este valor en la malla de base obtenemos:

VI  RB ·IBsat VBEsat  10000 ·296.66 A  0.7 V  3.666 V

Resultado:
VI = 3.666 V
 04:
Datos del circuito:
VCC = 9 V.
RC = 1 K.
RE = 100 .

Datos del BJT:

 = 100.
IC MAX = 200 mA.
VCE MAX = 20 V.
Tj MAX = 175 ºC.
VBE = 0.7 V. (en la zona lineal)
PMAX = 1 W.
IB MAX = 100 mA.
VCE SAT = 0.2 V.

Calcular:

Nota: No se puede despreciar la IB para los cálculos de los apartados a), b) y c).

(a) El valor de R1 y R2 para que VCE = 4.5 V. (Tomar como criterio de diseño que la
intensidad que pasa por R2 es 10 veces la IB).
(b) Si R2 vale 100 KΩ y R1 vale 100 KΩ ¿Cuál será el nuevo punto Q de
funcionamiento del BJT?. (Para dar el punto Q hay que dar los valores de VCE,
IC, IB y VBE).
(c) Si R2 vale 100 KΩ y R1 vale 100 KΩ y además sustituimos el transistor del
circuito por otro cuya  = 400. ¿Cuáles serán los valores de VCE y VBE?
(d) Dibujar la recta de carga del circuito de colector con los datos del apartado c).
(e) Dibujar el SOA (área de operación segura) del transistor.

SOLUCIÓN:
a) Como VCE = 4.5 V  que el BJT está en zona lineal (VCE sat < VCE < VCC), podemos aplicar
las fórmulas:

IC   ·IB y I E  (  1)·I B (1) y (2)

Si nos fijamos en la malla de colector tendremos lo siguiente:
 IC ·RC VCE  IE ·RE  (3)
VCC
Si sustituimos (1) y (2) en (3) tendremos:

 ·IB ·RC VCE  (  1)·IB ·RE  VCC

Si despejamos IB entonces:

Para el cálculo de R2 hallaremos la tensión entre la Base del BJT y la masa del circuito.

VR 2  VBE VRE  VBE  IE ·RE  VBE  IB (  1)·RE  1.1128 V

Si tomamos como criterio de diseño que IR2 = 10·IB , podemos calcular R2 mediante la
aplicación de la ley de Ohm.

VR 2
R  V
2 I R 2  R 2  1.1128 V  2722.66 
10·IB 10·40.87
A
Para el cálculo de R1 también aplicamos la ley de Ohm.

Resultado:

R1 = 17543.03 ; R2 = 2722.66 
b) Para el análisis del circuito deberemos hacer el equivalente de Thevenin del circuito de
base. Si calculamos VT y RT con los nuevos valores de R1, R2 tendremos:

RC
R1 RC
VCC
RT

VT VCC
R2 RE
RE

 VT  R2
·VC  100 K ·9 V  4.5 V
R2  C
100 K  100
R1 K

R2
·R
R 1 100 K·100 
T
K

R2  R1 100 K  100 K
Como VT es mayor que 0.7 V, el BJT estará en conducción, aunque no sabemos si estará en
la zona lineal o en la zona de saturación. Si suponemos que el BJT está en la zona lineal
entonces en la malla de base tendremos:

VT  IB ·RT VBE  IE ·RE  IB ·RT VBE  IB ·(  1)·RE  IB ·(RT  (  1)·RE ) VBE

Si despejamos IB:

VT VBE
IB   63.22 A
RT  ( 
1)·RE
Si este valor lo pasamos a la malla de colector tendremos:

 ·IB ·RC VCE  (  1)·IB ·RE  VCC

Despejando VCE:

VCE  VCC   ·IB ·RC  (  1)·IB ·RE  2.038 V

Como VCE > 0.2 V implica que el BJT está en la zona lineal, la suposición ha sido
acertada. Falta calcular IC, lo haremos con la fórmula (1).

IC   ·IB  100·63.22 A  6.322 mA

Resultado:
IC = 6.322mA; IB = 63.22µA; VCE = 2.038 V; VBE = 0.7 V;
c) Para el análisis del circuito deberemos hacer el equivalente de Thevenin del circuito de
base. Como R1 , R2 y Vcc no han cambiado, los valores son los mismos que en el apartado
b). Como VT es mayor que 0.7 V, el BJT estará en conducción, aunque no sabemos si estará
en la zona lineal o en la zona de saturación. Si suponemos que el BJT está en la zona lineal
entonces en la malla de base tendremos:
VT  I B ·RT VBE  I E ·RE  I B ·RT VBE  I B ·(  1)·RE  I B ·(RT  (  1)·RE ) VBE
Si despejamos IB:
 IB  VT VBE
 42.17 A
RT  ( 
1)·RE
Si este valor lo pasamos a la malla de colector tendremos:

 ·IB ·RC VCE  (  1)·IB ·RE  VCC

Despejando VCE:

VCE  VCC   ·IB ·RC  (  1)·IB ·RE  9.56 V

Como VCE < 0.2 V implica que el BJT está en saturación. La I B no es la calculada
anteriormente, tendremos que modificar nuestros criterios. La VCE será la de saturación
(VCE sat = 0.2 V) y además IC < ·IB . En el circuito equivalente las ecuaciones de malla
serán:

VCC  RC ·ICsat VCEsat  RE ·(ICsat  I B ) (4)

VT  RT ·IB VBE  RE ·(ICsat  I B )

Aquí tenemos un sistema de ecuaciones con 2 incógnitas, si despejamos tendremos que:

VT VBE  RE
I   59.89 A
·IBCsat
RT  RE
Resultado:
IC = 7.994 mA; IB = 59.89 µA; VCE = 0.2 V; VBE = 0.7 V;
Podemos simplificar los cálculos si en (4) hacemos la siguiente aproximación:
VCC  RC ·ICsat VCEsat  RE ·(ICsat  I B )  RC ·ICsat VCEsat  RE ·ICsat  VCEsat  (RE  RC )·ICsat
Si despejamos ICsat entonces:
 VCC VCEsat
I   9 V  0.2 
V
Csat
RE  RC 1 K  100 
Si con este valor despejamos en (5) el valor de IB tendremos:
 VT VBE  RE ·ICsat
  59.88 A
RT  RE
Resultado aproximado:
IC  8 mA; IB  59.88 µA; VCE = 0.2 V; VBE = 0.7 V;
d) Para la dibujar la recta de carga partimos de la ecuación:

IC ·RC VCE  IE ·RE  VCC

Si hacemos la aproximación de IC  IE entonces:

VCC  IC ·RC VCE  IC ·RE  IC ·(RC  RE ) VCE

Si calculamos los puntos de corte con los ejes:

IC (mA)

Si 6

Si IE  0  VCE  VCC  9 V
4

VCE (V)

2 4 6 8 9 10

e) Para dibujar la SOA tendremos que fijarnos en los límites del BJT que son:
IC = IC max = 200 mA.
VCE = VCE max = 20 V
Pmax = 1 W
Para dibujar la hipérbola de máxima disipación de potencia, debemos dibujar la curva
dando valores a VCE e IC.
Pmax = VCE · IC = 1 W.

VCE (V) 4 8 12 16 20 24
IC (mA) 250 125 83.33 62.5 50 41.66
Al dibujarlo nos queda:
IC (mA)

200

160

120

80

40

VCE (V)

4 8 12 16 20

05:
En el siguiente circuito:

Datos del circuito:

VCC = 10 V.
R1 RC RC = 1 K.
RE = 100 .
VCC
(apartado d) Datos del BJT:
 = 100.
IC MAX = 500 mA.
VCE MAX = 45 V.
Tj MAX = 175 ºC.
R2 RE
VBE = 0.7 V.
IB MAX = 100 mA.
VCE SAT = 0.2 V.

Datos del LED:

VAK = 1.5 V.
ID = 20 mA

Calcular:

Nota: No se puede despreciar la IB en los cálculos de los apartados a), b) y d).

 (a) El valor de R1 y R2 para que VCE = 5 V. (Tomar como criterio de diseño que la
intensidad que pasa por R2 es 10 veces la IB). ¿Cuál será el punto Q (VCE, IC, VBE,
IB) de funcionamiento del BJT?
(b) Con las resistencias calculadas en el apartado anterior, si el BJT cambia su  a un
valor de 200. ¿Cuál será el nuevo punto Q (VCE, IC, VBE, IB) de funcionamiento del
BJT?
(c) Dibujar la recta de carga del circuito de colector y demostrar en que punto de la
recta de carga el transistor disipa la máxima potencia. (para este apartado se puede
despreciar la contribución de la IB).
(d) Si R1 tiene un valor de 10 k, R2 tiene un valor de 470  y sustituimos RC por un
diodo LED ¿Qué intensidad pasará por el LED?.

SOLUCIÓN:
a) Como VCE = 5 V  que el BJT está en zona lineal (VCE sat < VCE < VCC), podemos aplicar
las fórmulas:

IC   ·IB y I E  (  1)·I B (1) y (2)

Si nos fijamos en la malla de colector tendremos lo siguiente:

IC ·RC VCE  IE ·RE 

(3)
VCC
Si sustituimos (1) y (2) en (3) tendremos:

 ·IB ·RC VCE  (  1)·IB ·RE  VCC

Si despejamos IB entonces:

Para el cálculo de R2 hallaremos la tensión entre la Base del BJT y la masa del circuito.

VR 2  VBE VRE  VBE  IE ·RE  VBE  IB (  1)·RE  1.158 V

Si tomamos como criterio de diseño que IR2 = 10·IB , podemos calcular R2 mediante la
aplicación de la ley de Ohm.

VR 2 10·I B
R  V 1.158 V
2 IR 2  R 2  10·45.41 A
 2551.40 
 Para el cálculo de R1 también aplicamos la ley de Ohm.
VR1 VCC VR 2 VCC VR
R   10 V 1.158  17698.72 
V

 
2

11·45.41 A
1
IR1 I R  IB 10·IB  IB
2
Resultado:
R1 = 17698.72 ; R2 = 2551.40 
b) Para el análisis del circuito deberemos hacer el equivalente de Thevenin del circuito de
base. Si calculamos VT y RT con los valores de R1, R2 tendremos:

RC
R1 RC
VCC
RT

VT VCC
R2 RE
 RE

R2 2551.40 
VT  ·VC  ·10 V  1.259 V
R2  C
2551.40   17698.72
R1 

R2
·R
R 1 2551.40 ·17698.72  
T 
R2  R1 2551.40  17698.72 
Como VT es mayor que 0.7 V, el BJT estará en conducción, aunque no sabemos si estará en
la zona lineal o en la zona de saturación. Si suponemos que el BJT está en la zona lineal
entonces en la malla de base tendremos:
VT  I B ·RT VBE  I E ·RE  I B ·RT VBE  I B ·(  1)·RE  I B ·(RT  (  1)·RE ) VBE

Si despejamos IB: IB 
 VT VBE  25.07 A
RT  (  1)·RE
Si este valor lo pasamos a la malla de colector tendremos:
  ·IB ·RC VCE  (  1)·IB ·RE  VCC
Despejando VCE:

VCE  VCC   ·IB ·RC  (  1)·IB ·RE  4.48

V
Como VCE > 0.2 V implica que el BJT está en la zona lineal, la suposición ha sido
acertada. Falta calcular IC, lo haremos con la fórmula (1).

IC   ·IB  200·25.07 A  5.015 mA

Resultado:
IC = 5.015mA; IB = 25.07 µA; VCE = 4.48 V; VBE = 0.7 V;
c) Para la dibujar la recta de carga partimos de la ecuación:

IC ·RC VCE  IE ·RE  VCC

Si hacemos la aproximación de IC  IE entonces:

VCC  IC ·RC VCE  IC ·RE  IC ·(RC  RE ) (4)

VCE
Si calculamos los puntos de corte con los ejes:
IC (mA)

Si
6

Si I E  0  VCE  VCC  10 V

VCE (V)

2 4 6 8 10

Vamos a ver cuál es la disipación de potencia del BJT.

PBJT
 VCE ·IC VBE ·I B  VCE (5)
·IC
De la malla de colector (4) podemos calcular cuanto vale IC:
VCC VCE
I  (6)
C
RC  RE
 Si sustituimos (6) en (5) tendremos:

Si derivamos la potencia con respecto a VCE e igualamos a 0 tendremos:

d) Para el análisis del circuito deberemos hacer el equivalente de Thevenin del circuito de
base.

R1 LED LED
VCC

RT


VT VCC

R2 RE
RE

Si calculamos VT tendremos:

VT  R2
·VC  470  ·10 V  0.4489 V
R2  C
470   10000
R1 

Como VT es menor que 0.7 V, el BJT estará en corte.

Por lo tanto IB = IC = IE = ILED =0.
Resultado:
ILED =0 A
06:
Dados los siguientes circuitos:

Circuito 1 Circuito 2
RC R1 RC
R1 VCC VCC

R2 R2
RE

Datos de los circuitos 1 y 2:

Vcc = 20 V
R1 = 8.2 KΩ
VBE = 0.7 V
R2 = 330 Ω
VCEsat = 0.2 V
RE = 100 Ω
ß = 50

Nota: No despreciar Ib si no se indica lo contrario.

(a) Calcule el valor de RC para que VCE=VCC/2, en el circuito 1.
(b) Calcule el valor mínimo de RC necesario para que el BJT del circuito 1 esté en
saturación.
(c) Al cambiar los BJTs de los circuitos 1 y 2, la ß pasa de valer 50 a valer 120. Para
ver cómo afecta esto al funcionamiento del circuito, rellene la siguiente tabla
utilizando para ambos circuitos un valor de RC = 150 Ω.

Circ. 1 Circ. 1 Circuito 1 Circ. 2 Circ. 2 Circuito 2

ß = 50 ß = 120 % Variación ß = 50 ß = 120 % Variación
Situación inicial Situación inicial
ß 50 120 140 % 50 120 140 %
Ic
VCE
 (d) Para el circuito 1, demuestre de manera teórica que el mayor consumo de potencia
se produce cuando Vce = Vcc/2. Nota: Considere despreciable la contribución de
Ib al cálculo de la potencia.

SOLUCIÓN:
a) Para calcular RC debemos fijarnos en la malla del circuito de colector:

IC ·RC VCE  VCC

Si despejamos RC tendremos:

VCC VCE (1)

RC 
IC
De esta ecuación desconocemos IC, deberemos hallarla mediante la malla del circuito de
base, para ello realizaremos el circuito equivalente de Thevenin.

R1 RC RC
VCC
RT

VT VCC

R2 

VT  R2
·VC  330  ·20 V  0.7737 V
R2  C
330   8200
R1 

R2
·R
R 1 330 ·8200 
T


R2  R1 330   8200 
Como VT es mayor que 0.7 V, el BJT estará en conducción, además sabemos que estará en
la zona lineal. Entonces en la malla de base tendremos:

VT  I B ·RT VBE
 Si despejamos IB:

VT VBE
IB   0.2324 mA
RT
Si este valor lo pasamos a la malla de colector tendremos:

I C   ·I B  11.62 mA
Aplicando la ecuación (1) tendremos:

VCC VCE 20 V 10

RC    860.41 
IC V
11.26 mA
Resultado:
RC = 860.41 
b) Para este apartado nos valen los cálculos realizados en el apartado a), como seguiremos en
zona lineal la IB seguirá siendo la misma y por lo tanto la IC también.

VCC VCE 20 V  0.2

RC    1703.66 
IC V
11.26 mA
Resultado:
RC = 1703.66 
c) Para este apartado debemos analizar cada circuito por separado, empezaremos por el
circuito 1 y suponemos que estamos en zona lineal.
Si =50 la IB = 0.2324 mA y la IC = 11.62 mA (ambos valores calculados en a) ).
Para calcular VCE debemos fijarnos en la malla del circuito de colector:

IC ·RC VCE  VCC

Si despejamos VCE tendremos:

VCE  VCC  RC ·IC  20 V 150 ·11.62 mA  18.257 V

Si =120 la IB = 0.2324 mA (valor calculado en a) ).

IC  ·IB  120·0.2324 mA  27.879 mA

Para calcular VCE debemos fijarnos en la malla del circuito de colector:
 IC ·RC VCE  VCC
Si despejamos VCE tendremos:

VCE  VCC  RC ·IC  20 V 150 · 28.104 mA  15.78 V

Ahora toca analizar el circuito 2, empezaremos por hacer el equivalente de Thevenin.

RC
R1 RC
VCC
RT

VT VCC
R2 RE
 RE

R2 330 
VT  ·VC  ·20 V  0.7737 V
R2  C
330   8200
R1 

R2
·R
R 1 330 ·8200 
T


R2  R1 330   8200 
Como VT es mayor que 0.7 V, el BJT estará en conducción, aunque no sabemos si estará en
la zona lineal o en la zona de saturación. Si suponemos que el BJT está en la zona lineal
entonces en la malla de base tendremos:
VT  I B ·RT VBE  I E ·RE  I B ·RT VBE  I B ·(  1)·RE  I B ·(RT  (  1)·RE ) VBE

Si =50 1)·RE
Si despejamos IB:

VT VBE
IB 
R T  ( 
  13.61 A
Si este valor lo pasamos a la malla de colector tendremos:

 ·IB ·RC VCE  (  1)·IB ·RE  VCC

 Despejando VCE:

VCE  VCC   ·IB ·RC  (  1)·IB ·RE  19.828 V

Como VCE > 0.2 V implica que el BJT está en la zona lineal, la suposición ha sido
acertada. Falta calcular IC, lo haremos con la fórmula (1).

IC   ·IB  50·13.61 A  680.6 A

Si =120
Si despejamos IB:

VT VBE
IB   5.938 A
RT  ( 
1)·RE
Si este valor lo pasamos a la malla de colector tendremos:

 ·IB ·RC VCE  (  1)·IB ·RE  VCC

Despejando VCE:

VCE  VCC   ·IB ·RC  (  1)·IB ·RE  19.821V

Como VCE > 0.2 V implica que el BJT está en la zona lineal, la suposición ha sido
acertada. Falta calcular IC, lo haremos con la fórmula (1).

IC   ·IB  50·13.61 A  712.62 A

Resultados:

Circuito 1 Circuito 1 Circuito 1 Circuito 2 Circuito 2 Circuito 2

ß = 50 ß = 120 % Variación ß = 50 ß = 120 % Variación
ß 50 120 140 % 50 120 140 %
Ic 11.62 mA 27.88 mA 141.8 % 680.6 µA 712.62 µA 4.705 %
VCE 18.27 V 15.78 V -13.63 % 19.828 V 19.821 V -0.035 %
d) Vamos a ver cual es la disipación de potencia del BJT.

PBJT
 VCE ·IC VBE ·I B  VCE (2)
·IC
De la malla de colector podemos calcular cuanto vale IC:
 VCC VCE
IC  (3)
RC
Si sustituimos (3) en (2) tendremos:

Si derivamos la potencia con respecto a VCE e igualamos a 0 tendremos:

07:
Datos del transistor a 20 ºC:
A
R1 RC VBE= 0.7 V
ICMAX=0.5 A
VCC =100
B C PMAX=0.5W
VCESAT=0.2 V
Rthj-a= 100 K/W

Nota: Rthj-a es la resistencia térmica entre

RE
R2 la unión del transistor y el ambiente.

Datos del circuito:

RC = 1 K
RE = 100 
R2 = 10 K;
VCC = 12 V.
(a) R1 es una resistencia variable. ¿Qué valor óhmico debe tener entre sus terminales
A y B para que la tensión VCE del transistor sea de 6 V? Si se dispone de
potenciómetros cuyas resistencias nominales son de 1 k, 10 k, 100 k y 1M
con Pn= 500 mW? ¿Qué potenciómetros podrían usarse?
(b) Si cambiamos la resistencia variable por una resistencia de 10 k, determinar cuál
es punto Q de funcionamiento del transistor. (VCE, IC, VBE, IB) y la temperatura que
alcanza en la unión si la temperatura ambiente es de 20 ºC
 SOLUCIÓN:
a) Como VCE = 6 V  que el BJT está en zona lineal (VCE sat < VCE < VCC), podemos aplicar
las fórmulas:

IC   ·IB y I E  (  1)·I B (1) y (2)

Si nos fijamos en la malla de colector tendremos lo siguiente:

IC ·RC VCE  IE ·RE 

(3)
VCC
Si sustituimos (1) y (2) en (3) tendremos:

 ·IB ·RC VCE  (  1)·IB ·RE  VCC

Si despejamos IB entonces:

Para el cálculo de R1 hallaremos la tensión entre la Base del BJT y la masa del circuito.

VR 2  VBE VRE  VBE  IE ·RE  VBE  IB (  1)·RE  1.2504 V

Necesitamos averiguar la IR2:

VR 1.2504 V
IR 2   10 K  125.04 A
2

R2
Para el cálculo de R1 aplicamos la ley de Ohm.
VR1 VCC VR 2
R   12 V 1.2504 
 
V
125.04 A  54.49 A
1
IR1 I R 2  IB
Podemos usar potenciómetros cuyo valor de resistencia nominal sea mayor a este valor.
Resultado:
Potenciómetros de 100 K  y 1 M 
b) Ahora tenemos un sencillo circuito con un BJT y 4 resistencias. Para el análisis del circuito
deberemos hacer el equivalente de Thevenin del circuito de base.
 R1 RC
VCC
RC
RT

VT VCC
R2 RE

 RE

R2 10 K
VT  ·VC  ·12 V  6 V
R2  C
10 K  10
R1 K

R2
·R
R 1 10 K·10 
T
K

R2  R1 10 K  10 K
Como VT es mayor que 0.7 V, el BJT estará en conducción, aunque no sabemos si estará en
la zona lineal o en la zona de saturación. Si suponemos que el BJT está en la zona lineal
entonces en la malla de base tendremos:
VT  I B ·RT VBE  I E ·RE  I B ·RT VBE  I B ·(  1)·RE  I B ·(RT  (  1)·RE ) VBE

Si despejamos IB:

VT VBE
IB   0.3509 mA
R T  ( 
1)·RE
Si este valor lo pasamos a la malla de colector tendremos:

 ·IB ·RC VCE  (  1)·IB ·RE  VCC

Despejando VCE:

VCE  VCC   ·IB ·RC  (  1)·IB ·RE  26.64 V

Como VCE < 0.2 V implica que el BJT está en saturación. La I B no es la calculada
anteriormente, tendremos que modificar nuestros criterios. La VCE será la de saturación
(VCE sat = 0.2 V) y además IC < ·IB . En el circuito equivalente las ecuaciones de malla
serán:
 VCC  RC ·ICsat VCEsat  RE ·(ICsat  I B ) (4)

VT  RT ·IB VBE  RE ·(ICsat  I B ) (5)

Aquí tenemos un sistema de ecuaciones con 2 incógnitas, si despejamos tendremos que:

VT VBE  RE
I  
·IBCsat
RT  RE

La potencia disipada por el BJT será:

PBJT  VCE ·IC  VBE ·IB  2.711 mW

La temperatura alcanzada será de:

TJ  Tamb  PBJT ·Rth  20 º C  2.711 mW ·100 º C /W  20.27 º C

Resultado:
IC = 10.65 mA; IB = 0.8304 mA; VCE = 0.2 V; VBE = 0.7 V; Tj = 20.27 ºC
Podemos simplificar los cálculos si en (4) hacemos la siguiente aproximación:
VCC  RC ·ICsat VCEsat  RE ·(ICsat  I B )  RC ·ICsat VCEsat  RE ·ICsat  VCEsat  (RE  RC )·ICsat
Si despejamos ICsat entonces:
VCC VCEsat
I   12 V  0.2 
V
Csat
RE  RC 100   1000 
Si con este valor despejamos en (5) el valor de IB tendremos:
VT VBE  RE
I  
·ICsat
B
RT  RE
Resultado aproximado:
IC = 10.72 mA; IB = 0.8289 mA; VCE = 0.2 V; VBE = 0.7 V; Tj = 20.19 ºC
08:
RC

RB
1K

VI
VCC
10 K

VI es una señal cuadrada de niveles comprendidos entre 0 V y +12V y una frecuencia de 1

MHz. Representa sincronizadamente en función del tiempo VI, IC y VCE.

SOLUCIÓN:
Como VI es una señal cuadrada, tendrá dos posibles valores, un valor será 0V y el otro será
12 V.
Para VI = 0 V el BJT estará en corte, con lo cual IB = 0 A; IC = 0 A y VCE = VCC = 12 V.
Para VI = 12 V el BJT estará en conducción, bien en la zona lineal o bien en saturación,
debemos analizar el circuito para averiguarlo. Como primera hipótesis de trabajo,
supondremos que el BJT está en la zona lineal, por lo tanto el circuito será:
RC

RB
1K

VI
VCC
10 K

VI  I B ·RB VBE
Si despejamos IB:
Si este valor lo pasamos a la malla de colector tendremos:

IC   ·IB  113 mA
Aplicando las ecuaciones de colector tendremos:

VCE  VCC  IC ·RC  101 V

Como VCE < 0.2 V  que el BJT está en saturación por lo tanto VCE = VCEsat.=0.2 V

VCC VCEsat
ICsat   11.8 mA
RC
Para VI = 12 V el BJT estará en saturación, con lo cual IC = 11.8 mA y VCE = 0.2 V.

VIN 12 V

VCE 0.2 V
12 V

IC 11.8 mA
 09:
Sea el siguiente circuito:

Datos:
LED AZUL. (modelo aproximado)
VT= 2.5 V, IDmax = 20 mA
LED ROJO. (modelo aproximado)
VT= 1.5 V, IDmax = 20 mA
DIODO SCHOTTKY (modelo aproximado)
VT= 0.2 V a IDmáx = 1000 mA
BJT
Beta =100, VBE=0.6 V, VCEsat= 0.2 V
Circuito
Vcc= 5 V, R2= 44 kΩ
Nota: En los cálculos NO se puede despreciar la Intensidad de base

Se pide:

(a) Calcular la IC, VCE y la intensidad que pasa por el diodo Schottky.
(b) Si ahora conectamos el diodo schottky al revés. Calcular la IC, VCE y la intensidad
que pasa por el diodo Schottky.

SOLUCIÓN:
a) El diodo Schottky está polarizado en inversa. Por tanto, no circulará corriente a través de él
y será como si no estuviera conectado al resto del circuito.

Suponemos que el transistor está en activa:

 𝐼𝐶 = 𝛽 · 𝐼𝐵 = 10 𝑚𝐴

Como IC>0, los diodos estarán encendidos:

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐴𝐾(𝑎𝑧𝑢𝑙) − 𝑉𝐴𝐾(𝑟𝑜j𝑜) = 5 − 2.5 − 1.5 = 1𝑉

Como VCE>VCESat, se cumple la suposición de que el transistor está en activa. Por tanto:

VCE =1V IC = 10 mA, 𝐼𝑆𝑐ℎ𝑜𝑡𝑡𝑘𝑦 = 0𝐴

1𝑉,
b) El diodo Schottky está polarizado en directa. Por tanto, la diferencia de tensión entre ánodo
y cátodo será de 0.2V. Como el diodo está en paralelo con la unión base emisor del
transistor, éste estará en corte. Por tanto:

IB=0 A, IC= 0 A

La tensión colector-emisor será:

VCE = VCC = 5V

La corriente por el diodo Schottky será:

La solución será:

VCE = 5V, IC= 0 A, 𝐼𝑆𝑐ℎ𝑜𝑡𝑡𝑘𝑦 = 0.109 𝑚𝐴

10:
En un transistor BJT NPN en la configuración de emisor común medimos la IC y la IE
obteniéndose los siguientes valores IC = 1.035 A e IE = 1.042 A, en estas condiciones
¿Cuánto valdrán los parámetros  y  del transistor?

SOLUCIÓN:
Resultado:  = 147.85 ;  = 0.9932
 11:
Sea el siguiente circuito:
DATOS:

R1 RC
Datos del circuito:
VCC Vcc = 12 V

Datos del BJT:

 = 100
VBE = 0.7 V
R2 RE
VCE sat = 0.2 V

Se pide:

(Nota: No hay que despreciar la contribución de IB en ningún apartado.)

(a) Si RE = 100 Ω. Calcular los valores de RC, R1 y R2 para que la VCE sea 6 V y la IC
sea 1 mA. ¿En qué estado estará el BJT?
(b) Para RC= 10 K y RE=0 . Indique cuánto vale la corriente que circula por el
emisor del transistor.

SOLUCIÓN:
a) Si nos fijamos en la malla de colector tendremos lo siguiente:

IC ·RC VCE  IE ·RE  (1)

VCC

Como el BJT está en la zona lineal (0.2 V < VCE < VCC) podemos aplicar las ecuaciones:

IC   ·IB y I E  (  1)·I B (2), (3)

Si aplicamos estas fórmulas para calcular IB e IE tendremos:
 1)·0.01 mA  1.01 mA
IE  (  1)·IB  (100 

Si sustituimos (2) y (3) en (1) tendremos:

 ·IB ·RC VCE  (  1)·IB ·RE  VCC

Despejando RC:

VCC VCE  (  1)·IB ·RE 12 V  6 V  (100  1)·0.001 mA·100 


R   5899
C
 ·IB 100·0.001 mA

Para el cálculo de R2 hallaremos la tensión entre la Base del BJT y la masa del circuito.

VR 2  VBE VRE  VBE  IE ·RE  0.7 V  1.01 mA·100   0.801 V

Si tomamos como criterio de diseño que IR2 = 10·IB , podemos calcular R2 mediante la
aplicación de la ley de Ohm.

VR 2 VR 2
R  0.801V  8010 
2 IR 2   10·10
10·IB
A
Para el cálculo de R1 también aplicamos la ley de Ohm.

VR1 VCC VR VCC VR

R    12 V   101809.09 
2
0.801V

2

11·10 A
1
I R1 I R  IB 10·IB  IB
2

Resultado:
RC = 5899 ; R2 = 8010 ; R1 = 101809.09 ;
Estado BJT = Zona Lineal

b) Para este apartado hay que analizar el circuito, lo más sencillo es calcular el circuito
equivalente Thevenin de la malla de base, con esto tendremos:
 R1 RC RC
VCC
RT

 VT VCC

R2 RE
RE

Si calculamos VT tendremos:

VT 
R2 1000 
·VC  ·12 V  0.1188 V
R2  C
1000   100000
R1 

Como VT es menor que 0.7 V, el BJT estará en corte. Por lo tanto IB = IC = IE = 0, para
saber cuanto vale VCE tendremos que usar la ecuación de la malla de colector.

IC ·RC VCE  IE ·RE  VCC

Si despejamos VCE tendremos:

VCE  VCC  IC ·RC  IE ·RE  VCC  0·RC  0·RE  VCC  12 V

Para saber cuanto vale VBE tendremos que usar la ecuación de la malla del circuito de base.

I B ·RT VBE  I E ·RE  VT

Si despejamos VBE tendremos:

VBE  VT  IB ·RT  IE ·RE  VT  0·RT  0·RE 

 0.1188 V
VT
Resultado:
IC = IB = 0 A; VCE=12 V; VBE = 0.1188 V;
Estado BJT = CORTE
c) El circuito en este apartado tendrá la siguiente configuración:
 R1
RC

Aquí podemos calcular la IB fácilmente:

I I VR1 VCC VBE 12 V  0.7  113 A

  V

B R1
R1 R1 100 K
Para el cálculo de IC podríamos hacer el supuesto de que el BJT esté en zona lineal,
entonces:

IC   ·IB  100·113 A  11.3 mA

De la malla de colector sacaríamos el valor de VCE de la forma:

VCE  VCC  IC ·RC  12 V 11.3 mA·6500   51.28 V

Como VCE < 0.2 V implica que el BJT está en saturación. La IC no es la hallada
anteriormente, tendremos que calcular la IC de saturación mediante la fórmula:

IC sat ·RC VCE sat  VCC

Despejando ICsat tendremos:

VCC VCEsat 12 V  0.2

ICsat    2.107 mA
RC V
5600 
Resultado:
IC = 2.107 mA; IB = 113 µA; VCE = 0.2 V; VBE = 0.7 V;
Estado BJT = SATURACIÓN
 12:
En el siguiente circuito:

Datos del circuito:

VCC = 5 V.
RC = 10 K.
R1 RC RE = 1 K.
VCC
Datos del BJT:
 = 100.
IC MAX = 200 mA.
VCE MAX = 20 V.
Tj MAX = 175 ºC.
R2 RE
VBE = 0.7 V. (en la zona lineal)
PMAX = 250 mW.
IB MAX = 100 mA.
VCE SAT = 0.2 V.

Calcular:

Nota: No se puede despreciar la IB para los cálculos de los apartados a), b) y c).

(a) El valor de R1 y R2 para que VCE = 2.5 V. (Tomar como criterio de diseño que la
intensidad que pasa por R2 es 10 veces la IB).
(b) Si R2 vale 10 KΩ y R1 vale 100 kΩ ¿Cuál será el nuevo punto Q (VCE, VBE, IB, IC)
de funcionamiento del BJT?
(c) Si R2 vale 100 KΩ y R1 vale 100 kΩ y además sustituimos el transistor del
circuito por otro cuya  = 300. ¿Cuál será el nuevo punto Q (VCE , VBE, IB, IC) de
funcionamiento?

SOLUCIÓN:
a) Como VCE = 2.5 V  que el BJT está en zona lineal (VCE sat < VCE < VCC), podemos aplicar
las fórmulas:

IC   ·IB y I E  (  1)·I B (1) y (2)

Si nos fijamos en la malla de colector tendremos lo siguiente:
 IC ·RC VCE  IE ·RE 
VCC (3)

Si sustituimos (1) y (2) en (3) tendremos:

 ·IB ·RC VCE  (  1)·IB ·RE  VCC

Si despejamos IB entonces:

Para el cálculo de R2 hallaremos la tensión entre la Base del BJT y la masa del circuito.

VR 2  VBE VRE  VBE  IE ·RE  VBE  IB (  1)·RE  0.9233 V

Si tomamos como criterio de diseño que IR2 = 10·IB , podemos calcular R2 mediante la
aplicación de la ley de Ohm.

VR 2
R  V
2 I R 2  R 2  0.9233 V  40928 
10·IB 10·2.2706
A
Para el cálculo de R1 también aplicamos la ley de Ohm.
VR1 VCC VR VCC VR
R   5 V  0.9233 
2
 V

2

11·2.2706 A
1
IR1 I R  IB 10·IB  IB
2
Resultado:
R2 = 40928 ; R1 = 162974.54 
b) Para el análisis del circuito deberemos hacer el equivalente de Thevenin del circuito de
base.

R1 RC
RC
VCC

RT

VT VCC

R2 RE

RE
 Si calculamos VT tendremos:

VT  R2
·VC  10000  ·5 V  0.4545 V
R2  C
10000   100000
R1 

Como VT es menor que 0.7 V, el BJT estará en corte. Por lo tanto IB = IC = IE = 0, para
saber cuanto vale VCE tendremos que usar la ecuación de la malla de colector.

IC ·RC VCE  IE ·RE  VCC

Si despejamos VCE tendremos:

VCE  VCC  IC ·RC  IE ·RE  VCC  0·RC  0·RE  VCC  5 V

Para saber cuánto vale VBE tendremos que usar la ecuación de la malla del circuito de base.

I B ·RT VBE  I E ·RE  VT

Si despejamos VBE tendremos:

VBE  VT  IB ·RT  IE ·RE  VT  0·RT  0·RE 

 0.4545 V
VT
Resultado:
IC = IB = 0 A; VCE = 5 V; VBE = 0.4545 V;
c) Para el análisis del circuito deberemos hacer el equivalente de Thevenin del circuito de
base. Si calculamos VT y RT con los nuevos valores de R1, R2 y  tendremos:

VT  R2
·VC  100 K ·5 V  2.5 V
R2  C
100 K  100
R1 K

R2
·R
R 1 100 K·100 
T
K

R2  R1 100 K  100 K
Como VT es mayor que 0.7 V, el BJT estará en conducción, aunque no sabemos si estará en
la zona lineal o en la zona de saturación. Si suponemos que el BJT está en la zona lineal
entonces en la malla de base tendremos:
VT  I B ·RT VBE  I E ·RE  I B ·RT VBE  I B ·(  1)·RE  I B ·(RT  (  1)·RE ) VBE
Si despejamos IB:

IB 
VT VBE
 5.1282 A
RT  ( 
1)·RE
Si este valor lo pasamos a la malla de colector tendremos:
  ·IB ·RC VCE  (  1)·IB ·RE  VCC
Despejando VCE:

VCE  VCC   ·IB ·RC  (  1)·IB ·RE  11.928 V

Como VCE < 0.2 V implica que el BJT está en saturación. La I B no es la calculada
anteriormente, tendremos que modificar nuestros criterios. La VCE será la de saturación
(VCE sat = 0.2 V) y además IC < ·IB . En el circuito equivalente las ecuaciones de malla
serán:

VCC  RC ·ICsat VCEsat  RE ·(ICsat  I B ) (4)

VT  RT ·IB VBE  RE ·(ICsat  I B ) (5)

Aquí tenemos un sistema de ecuaciones con 2 incógnitas, si despejamos tendremos que:

Resultado:
IC = 433.93µA; IB = 26.78µA; VCE = 0.2 V; VBE = 0.7 V;
Podemos simplificar los cálculos si en (4) hacemos la siguiente aproximación:
VCC  RC ·ICsat VCEsat  RE ·(ICsat  I B )  RC ·ICsat VCEsat  RE ·ICsat  VCEsat  (RE  RC )·ICsat
Si despejamos ICsat entonces:
VCC VCEsat
I  5 V  0.2  436.36 A
Csat V
RE  RC 1 K  10 K
Si con este valor despejamos en (5) el valor de IB tendremos:
VT VBE  RE
I   26.738 A
·ICsat
B Resultado aproximado:
RT  RE
 IC  436.36 µA; IB  26.73 µA; VCE = 0.2 V; VBE = 0.7 V;

13:
Sea el siguiente circuito:

Datos de las resistencias:

R1 RC R1 = 4.7 K, R2 = 1 K, RC = 100 

VCC Datos del Transistor a 25 ºC de temperatura
ambiente:
VCEsat = 0.2 V, VBE = 0.7 V,  = 100,
IBMAX = 100 mA, ICMAX = 1A
R2 PMAX = 0.5 W, VCEMAX = 30 V
RTH = 200 ºC/W.
Temperatura máxima en la unión B-C del transistor =
125 ºC

(a) Si VCC = 4.5 V y la temperatura ambiente es de 25 ºC. ¿Cuánto valdrá el punto Q

de polarización? (Para el punto Q hay que hallar los valores de VCEQ, ICQ, IBQ y
VBEQ).
(b) Si VCC = 20 V ¿A qué temperatura ambiente máxima podrá trabajar el
transistor en régimen permanente?
(c) Si VCC = 20 V y la temperatura ambiente es de 25 ºC. ¿Estará toda la recta de
carga dentro de la zona de funcionamiento seguro? En caso contrario especificar
que zonas de la recta de carga están fuera de la zona de operación segura (SOA)
del transistor. (En este apartado se puede despreciar la contribución de la IB)
(d) Si VCC= 12 V y la temperatura ambiente es de 25 ºC. ¿Cuánto debe valer R2 para
que la VCE sea de 5 V?
(e) En las condiciones del apartado d). ¿En qué punto o puntos de la recta de carga el
transistor disipa más potencia? ¿En qué punto o puntos de la recta de carga el
transistor disipa menos potencia?

Nota: Para calcular los puntos de polarización NO se debe despreciar la IB

 SOLUCIÓN:
a) Resultado:

IC = 10.85 mA; IB = 108.51 µA; VCE = 3.414 V; VBE = 0.7 V;

BJT = Zona lineal

b) Resultado:

Pdisipada = 55.98 mW; T amb max = 113.8 ºC.

BJT = Zona saturación

c) Resultado:

IC (mA)

200

160

120

80

40

VCE (V)

4 8 12 16 20
2.92 17.07

Rango fuera de la SOA: VCE = [2.92 V  17.07 V]

d) Resultado:

R2 = 410.73 

e) Resultado:

VCE = 6 V
 14:
En el siguiente circuito:

Datos del circuito:

VCC = 12 V.
R1 RC RC = 1 K.
VCC RE = 100 .
Datos del BJT:
 = 100.
IC MAX = 500 mA.
RE
R2 VCE MAX = 45 V.
Tj MAX = 175 ºC.
VBE = 0.7 V.
PMAX = 500 mW.
IB MAX = 100 mA.
VCE SAT = 0.2 V.
Calcular:

(a) El valor de R1 y R2 para que VCE = 6 V. (Tomar como criterio de diseño que la
intensidad que pasa por R2 es 10 veces la IB).
(b) Si R1 tiene un valor de 1 K. ¿entre qué valores de R2 el BJT estará en corte?
(c) Si R2 tiene un valor de 1 K. ¿entre qué valores de R1 el BJT estará en saturación?
(d) En el apartado a). ¿Estará el punto Q de funcionamiento dentro del área de
funcionamiento seguro (S.O.A) del BJT? Dibujar la recta de carga del circuito de
colector, situar el punto Q y dibujar la S.O.A.

Nota: No se puede despreciar la IB en los cálculos de los apartados a), b) y c).

SOLUCIÓN:
a) Resultado:

R1 = 17932.27 ; R2 = 2294.5 

b) Resultado:
 0  <R2< 61.94 

c) Resultado:

0  <R1< 5407.11 

d) Resultado:

Pd = 32.69 mW < Pmax = 500 mW

VCE = 6 V < VCE max = 45 V
IC = 5.44 mA < IC max = 500 mA

IC (mA)

20

16

12
10.89

5.44
4

VCE (V)

4 8 12 16 20
6
15:

SOLUCIÓN:
16:

17:

a)
is very large, we can assume es 0

b)
 18:

Para encontrar el valor de , debemos encontrar las tres

corrientes

19:
20:

21:

i)

ii)
22:
23:
24:
25:
26:
27:
28:
29:
30:
31:
Calcular las corrientes IE ; IC ;IB.
RC

IC 10 V
IB
RB
hfe=100
100 kΩ
5V IE

V − V BE IC = (hfe)* IB
IB = IC = 100 * 43 uA
RB
V CE =V2 - Ic * Rc IC = 4.3 mA
5 v − 0.7 v
IB =
V CE = 100 kΩ
10v - (43 mA ∗ 100 Ω)
IB = 43 uA
V CE = 9.57 v

IE = 43 uA +¿ 4.3 mA
IE = 4.343 mA
 32:
Calcular Ie, Ic, Ib y Vce

+
Ic (12)
12 kΩ 13 v
-

Ib +
+ 330 Ib - VCE
-
330 k Vγ

7V Ie (1)
1

7=I b ∗ 330+V γ + I e 4 pero V γ =0.7 Λ I e =(β+1) I b

7 − 0.7
I b= =8.58 m A
330+404

I e =101∗ 8.58=893.85 mA
I c =I b ∗ β=8.58 mA ∗100=858 mA

(I ¿¿ c) 12+V ce +(I ¿¿ e) 1=13 ¿ ¿

V ce =¿ 1.810 V
 33:
Calcular el punto de operación PQ = (Vce , Ic )

12 v

8.6 6 kΩ
kΩ 2.86
B = 100 kΩ
TRANSFORMAN
Si Vγ
DO
3.8 v
4 kΩ
6 kΩ

6 kΩ
12 v
2.86 * (1/101)

0.7
3.8 v
6 kΩ
Ie

3.8 − 0.7 2.86

I e= mA pero ≪ 6 entonces
2.86 101
+6
101

3.8 − 0.7
I e= mA =0.51 mA
6

V ce =12 −6 ( 0.51 ) − 6 ( 0.51 )=5.88 V

PQ=(5.88 v , 0.51mA )
 34:
Calcular el punto de operación PQ= ( VCE , IC)
+15v

4k 3k

10uF B = 100
Si

Vi 5k 4k 10uF

implificando el circuito, donde los condensadores son considerados circuito abierto y las bobinas como corto

+15v +15v 15v

3k Ic(3)
4k 3k 1.33k

Vce
Ib
8.3v 4k

Ie
5k 4k

8.3=I b ∗ 1.33+V γ + I e 4 pero V γ =0.7 y I e =(β +1)I b

7.6
I b= =0.0187 A
404 +1.33

I e =101∗ 0.0187 ≅ 1 mA puesto que 1 ,33 ≪ 404

como I e ≅ I c ≅ 1mA por lotanto
(I ¿¿ c) 3+V ce +(I ¿¿ e)4=15 ¿ ¿
V ce ≅ 8 v
 35:
Calcular el punto de operación PQ=(VCE , IC)
15 v 15 v

10.6 kΩ
16 kΩ 2 kΩ

+ Vγ -
TRANSFORMAN
B= 100
DOSi 5.76

10 kΩ
4 kΩ

2 kΩ
15 v
0.1056 k

+ 0.7 -

5.76 4 kΩ

Ie

5.76 − 0.7
I e= mA pero 0.1056 ≪ 4 entonces
0.1056 +4

5.76 − 0.7
I e= mA=1.265 mA
4

V ce =15 − 2 ( 1.256 ) − 4 ( 1.256 )=7.464 V

PQ=(5 v ,2 mA )
36:
Calcule el punto de operación del siguiente circuito.

+40v

10k 1k

30k
5k

Como 30k + 10k =40k, VCC= 40 V . Se puede aplicar la siguiente propiedad.

V CC
 =K , donde V CC =40 V , a=30 kΩ y b=10 kΩ
(a +b)

a− V γ
 I e= , Re = 5kΩ
ℜ
Hallando I e :
30 − 0.7
I e= =5.86 mA
5k
Hallando Vce:
Vce = Vcc - I e ( ℜ+ Rc )
Vce = 40 - 5.86( 5+1 )=4.84 V

PQ=(4.84 v ,5.86 mA )
37:
Calcule el punto de operación del siguiente circuito.

+14v +10v

7.5 kΩ 8 kΩ

B = 150
Si

6.5 kΩ
4 kΩ

Como se cumple que β>40 , 6.5 kΩ + 7.5 kΩ = 14 kΩ , VCC= 14 V , Re =4 kΩ y Rc = 8

kΩ. Se puede aplicar la siguiente propiedad.
a− V γ
 I e= , Re = 4kΩ , a=6.5 kΩ
ℜ
Hallando I e :
6.5 − 0.7
I e= =1.16 mA
5k
Hallando Vce:
Vce = Vcc - I e ( ℜ+ Rc )
Vce = 10 - 1.16( 4 +8 )=−3.92 V

PQ=(−3.92 v , 1.16 mA )
 38:
Calcular las resistencias del siguiente circuito.

Vcc = 12

R4 R1

B= 100
Si

R3 R2

n este caso el transistor debe de tener la máxima amplificación sin destorció entonces debe de tener un V ce =
cc/2.
demás, el voltaje Re = Vcc/4
ntonces se tiene lo siguiente:
V cc V cc
Re = =V Rc y V ce = , V R 1=V ℜ +V γ , si R1=( V ℜ+V γ ) kΩ , R2 =( V cc + R1 )
4 2

15 V
ea R1=R 2 → V ce ¿ =7.5 v ,V R 2=¿ V R 1=¿ cc =¿ 3 v
2 4

c1 ∗ R 2=3 v si I c1=1 mA → R 2=3 kΩ

uego R3= V γ + I c ∗ R 2=0.7+3=3.7 kΩ

4= V cc − ( V γ + I c ∗ R2 )=12 −(0.7+3)=8.3 kΩ
 39:
Calcule IE , Vce si β = 150.

5 kΩ
40 Ω

120V

IB
5V

5 −0.7
I B= =143.3 mA
40
I C =¿ β * I B = 150 * 143.3 mA =¿ 21.49 mA

I E =I B + I C
I E =143.3+21.49
I E =164.45 mA

V CE =120 −5 k ( 21.49 m )
V CE =120 −107.45
V CE =12.55
 40:
Calcular IB para que el circuito funcione correctamente en la saturación

3 kΩ

19 kΩ

100 kΩ B = 115
V115
CP 5V

1.8 kΩ
8 kΩ
IB 15.8 kΩ
20V

ƩV = 0
( 1.8+15.8 ) 8
−20+ 100 k ∗ I B +0.7+ I B=0
( 20+ 8 )
20 −0.7
I B=
17.8(8)k
100 k +
28
I B=171.41 MA

V CC 5
I C(sat) = = =0.22 mA
RC 22 kΩ

0.22 mA
→ 171.41 MA >
115
→ 171.41 MA >¿ 1.91 uA
 41:
Calcule la corriente de colector Ic y la tensión colector-emisor VCE.

VBEon = 0.7 V
VCEsat = 0.2 V
β = 10 VCC = +5V

RC 8k

C
VBB = +1 RB B
V
5k
E

VEE = -
10V
Suponiendo que el transistor BJT esta en activa se tiene:
V BB − V B V BB −(V E + V BEon ) 1 −(−10+ 0.7)
I B= = = =2.06 mA
RB RB 5k
Si se ha supuesto activa Ic = β * Ib = 20.6 mA , la tensión Vce, será:
V CE =V C −V E=( V CC − I C RC ) − ( V EE ) =( 5 −2.06 ∗ 10−3 ∗8 k ) − ( −10 )=−1.48 V

Se observa que la hipótesis inicial que la conducción en activa no es cierta. El transistor

funciona en saturación.

VCC = +5V

RC 8k

VBB = +1V RB

5k 0.7
V

VEE = -
 42:
Calcule IB , IC , VCE . Hallar el punto Q. (β=60)

4 kΩ

150
kΩ
210 V

IB IC
80 V

ƩV = 0
− 80+150 k I B +0.7=0
I B=528uA

I C =¿ β * I B = 60 * 528 uA=31.68 mA

V CE =V C −V E
V CE =V C
V CE =210 − 4 k (31.68 mA )
V CE =83.28 V

→ PQ =(83.28 V , 31.68 mA )
 43:
Calcule IB , IC , VCE . Hallar el punto Q. (β=45)

50kΩ

300
kΩ
300 V

IB IC
80 V

ƩV = 0
− 80+30 k I B +0.7=0
I B=8.81uA

I C =¿ β * I B = 45 * 8.81uA=39.6 mA

V CE =V C −V E
V CE =V C
V CE =300 −5 k (39.6 mA )
V CE =102 V

→ PQ =(102 V ,39.6 mA)

 44:
Calcule IE , Vce si β = 50.

10 kΩ
2kΩ

300 V

IB
15V

15 −0.7
I B= =7.15 mA
2
I C =¿ β * I B = 50 * 7.15 mA=¿ 357.5 mA

I E =I B + I C
I E =7.15+375.5
I E =382.65 mA

V CE =300 −1 k ( 357.5 m )
V CE =300 −357.5
V CE =−57.5 v
45:
Un transistor BJT de tipo de npn y β=100 se conecta de la siguiente manera: La base
se conecta al terminal positivo de una batería de 10 V a través de una resistencia 220
kohmios; el colector se conecta al terminal positivo de otra batería de 30 V través de
una resistencia de 320 ohmios el emisor se conecta a los terminales negativos de
ambas baterías. En estas condiciones calcule la corriente de colector.

C
220 kΩ B
320 Ω
E
10
V 30 V

U E −U BE 10 −0.7 −5
I B= → I B= 3
=4.2∗ 10 A
RB 220∗ 10
−5
I C =I B ∗ β → I C =4.2∗ 10 ∗320=0.01344 A
46:
Un transistor BJT del tipo NPN con β=100, se conecta a una pila de 40 V de la
siguiente manera: El conector esta conectado al terminal positivo de la pila a través de
una resistencia de 200 ohmios. La base también se conecta al mismo terminal positivo
de la pila a través de una resistencia de 500 kohmios. El emisor se conecta
directamente al terminal negativo de la pila. Calcule la tensión entre colector y emisor.

200k
500k C

40 V
E

U E −U BE 40 − 0.7 −5
I B= → I B= 3
=7.86 ∗10 A
RB 500∗ 10
−5 −3
I C =I B ∗ β → I C =7.86 ∗ 10 ∗100=7.86 ∗10 A
−3
U RC =RC ∗ I C → U RC =200 ∗7.86 ∗ 10 =1.57 V

U CE =V −U RC → U CE =40− 1.57=38.43V
 47:
En el circuito calcule R1, para una corriente de emisor de 2mA, si α=0.98 y Vbe = 0.7
Voltios.

IC + I1
2k

R1

I1 I
C
IB
Q1
12V

25k I2 0.2k IE

V C −V B
R 1=
I1
I C =α ∗ I E =0.98 ∗2=1.96 mA
I B=I E − I C =2 −1.96 mA =0.04 mA
V B 1.1
V B=V BE − I E ∗ R E=0.7 +2∗ 0.2=1.1 Voltios I 2= = =0.044 mA
25 25
I 1=I B − I 2=0.04+ 0.044=0.084 mA
V C =V CC − ( I C + I 1 ) ∗2=12− ( 1.96+0.084 ) ∗ 2=7.912 Voltios

Luego reemplazamos:
V C −V B 7.192 −1.1
R 1= = =81.1 K
I1 0.084
 48:
Dado el circuito, determine en que zona de trabajo se en el transistor (β=100).

15 V

1kΩ
10kΩ C
B
15 V
E

15 −U BE=0
U BE=15
U BE> 0.7 → No corte

15 −0.7
I B= =0.95 mA
15
I C =β ∗ I B=100 ∗ 0.95=95 mA
1 ∗95=95 V >15 → NO ACTIVA →trabaja en SATURACIÓN
 49:
Dado el circuito, determine en que zona de trabajo se en el transistor (β=100).

15 V

1kΩ
81 kΩ C
B
25 V
E

25 −U BE=0
U BE=25
U BE> 0.7 → No corte

25 − 0.7
I B= =1.62 mA
15
I C =β ∗ I B=100 ∗ 1.62=162 mA
1 ∗162=162 v> 15→ NO ACTIVA → trabaja en SATURACIÓN
 50:
Calcular IB, IC, IE, VCE , β= 300

1.2 k
60 k

VCE 40 v

IB IC 4 k
30 k

60 ∗ 30
RTH = =20 kΩ
60+90
40 ∗30
V TH = =13.33 v
30 ∗ 60

13.33 −0.7
I B= =10 mA
20 k +301 ∗ 4 k
I C =β ∗ I B=3 mA
I E =I B ∗ I C =3.01 mA

V C =− 1.2 k I C − 40 v=4 v
V E=3.01 mA ∗ 4 k =12.04 v
V EC =V E − V C =8.04 v
 51:
Calcular IB, IC, IE, VCE , β= 300

1.6 k
40 k

VCE 45 v

IB IC 4 k
10 k

40 ∗10
RTH = =5 kΩ
40+ 10
45 ∗10
V TH = =1.125 v
40 ∗10

1.125 −0.7
I B= =3.51mA
5 k +301 ∗ 4 k
I C =β ∗ I B=1053 mA
I E =I B ∗ I C =3696.03 mA

V C =− 1.6 k I C + 45 v =39.08 v
V E=3696 mA ∗ 4 k=14.78 v
V EC =V E − V C =− 24.3 v
52:
Calcular Ib para que el circuito funcione correctamente.

3kΩ

14 kΩ

120 kΩ β =115
V 40 v
1.4 kΩ

9 kΩ
I 15 kΩ
90 v B

ƩV = 0
(1.4 +15 ) 9
− 90+120 k ∗ I B +0.7 + I =0
( 16.4 +9 ) B
90 −0.7
I B=
16.4 (8) k
120 k +
25.9
I B=714.02 MA

V CC 40
I C(sat) = = =2.35 mA
RC 17 kΩ
V CE corto =V CC=40 v

2.35 mA
→ 714.02 MA >
115
→ 714.02 MA >¿ 20.4 uA
 53:
En el circuito obtener I2, Vc , Vce

32
V

6.6kΩ
160kΩ

C
C 2
1
12kΩ
2kΩ 3kΩ 3kΩ
V
C1

32∗ 12
32 V B= =2.37 v
V 160
Ʃv=0
− 8+0.7+2 k I E =0
6.6kΩ
I E =3.65 mA
60kΩ I E =I C =3.65 mA
+  V C =32 − I C ( 6.6 k )
VCE  V C =7.91 V
IC
-
IB  V E=2 k I E = 7.3
IE
12kΩ
 V CE =V C −V E=0.61 v
2kΩ
 54:
En el circuito mostrado calcular IB , VCP , β=30
40 V

240kΩ 8kΩ
C2
VB

VCE
C1

4kΩ 10kΩ
V

40 V IC
I E =I C β=
IB
Ʃv=0
8kΩ − 40+240 k I B +0.7+ 4 k I E=0
240kΩ I B ( 240 k + 4 k ∗30 )=3.3
I B=9.17 uA
IC
I C =30 ∗ 9.17 uA
IB I C =0.275 mA
IE  V CP =V C −V P
4kΩ  V CP =( 40− 8 k ( 0.275 mA ) ) − 4 k (0.275 mA )
 V CP =36.7 v
 55:
En el circuito mostrado calcular IB , VCP , β=30
50 V

150kΩ 8kΩ
C2
VB

VCE
C1

6kΩ 10kΩ
V

50 V IC
I E =I C β=
IB
Ʃv=0
8kΩ −50+ 150 k I B + 0.7+6 k I E =0
150kΩ I B ( 150 k +6 k ∗ 30 )=49.3
I B=149.3 uA
IC
I C =30 ∗ 149.3 uA
IB I C =4.479 mA
IE  V CP =V C −V P
6kΩ  V CP =( 50 −8 k ( 4.479 mA ) ) −6 k (4.479 mA )
 V CP =−12.70 v
 56:
Calcular IB, IC, IE, VCE , β= 300

1.2 k
90 k

VCE 100
v

IB IC 4 k
10 k

90∗ 10
RTH = =9 kΩ
90+10
100 ∗ 10
V TH = =1.11v
90 ∗ 10

1.11 −0.7
I B= =3.38 mA
9 k + 301∗ 4 k
I C =β ∗ I B=1.01 A
I E =I B ∗ I C =3.41 mA

V C =− 1.2 k I C + 40 v=35.9 v
V E=3.41 mA ∗ 4 k =13.64 v
V EC =V E − V C =− 22.26 v
57:
En el circuito de la figura con un transistor PNP tiene un, Vbe=−0.7 . C alcular todas las
intensidad de tensiones en los diferentes puntos.

Lo primero que hay que hacer es el

thevenin, desde la base del transistor
hacia la izquierda, quedando el circuito
de la figura de la derecha.
Vcc . R 1 20.10
Vbb= = =5 v
R 1+ R 2 10+ 30
R 2. R 1 30.10 30
Rbb= = = KΩ
R 1+ R 2 10+30 4
A partir de aqui analizaremos el circuito de la parte derecha.
En la malla base emisor podemos escribir.
Vbb=Ib . Rb+ Ie . ℜ− Vbe=Ib . ℜ+ ( β+ 1 ) . Ib −Vbe despejando la Ibse tiene.
Vbb+Vbe 5 −0.7 4 , 3.4
Ib= = = =0.021mA
Rb+ ( β +1 ) . ℜ 30 838
+ ( 100+1 ) .2
4
100 ⋅8 , 6
Ie=( β +1 ) ⋅ Ib= =2 , 07 mA
419
Ahora calculamos las diefrentes tensiones respecto a la masa.
Vc=Ic⋅ Rc − Vcc=2 , 05⋅5 − 20=− 9.75 V
Transisitores CC
Ve=− Ie ⋅ℜ=−2 , 07 ⋅2=− 4 , 14 V
Vce=Vc −Ve=− 9 ,75 − ( −4 ,14 )=− 5 , 61V Por ser esta una caida de tension negativa el
transistor en la zona activa por ser un PNP.
Vb=Vbe +Ve=−0 , 7 − 4 , 14=− 4 , 84 V
Acontinuacion calcularemos la intensidad que circula por las R 1 y R 2con sentido hacia
arriba.
 0 − Vb 4 , 84
Para la R 1 I 1= = 0,484 mA
R1 10
Para la R 2 I 2=I 2+ I 1=0 , 48+0.02=0.50 mA
Tambien podria calcularse:
Vb − ( − Vcc ) − 4 , 84 − (− 20 )
I 2= = =0 , 5 mA
R2 30

Estado en que se encuentra el transistor. Datos

G=100 ; Vbe ( sat )=0 , 5 V ; Vce ( sat )=0 , 7 V

Malla de colector
Vt =Ic⋅ Rc +Vce despejamos Ic :
Vt −Vce 10 − 0.7
Ic= = =4.23 mA
Rc 2.2
Malla de base
Vt =Ib ⋅ Rb+Vbe despejamos Ib
Vt − Vbe 5− 0.2
Ib= = =0 −12 mA
Rb 40
G ⋅ Ib=100⋅ 0.12mA =12 mA
Ic ≤G ⋅ Ib Por lo tanto el transistor esta en saturacion.
58:
Halla Iby Rbpara que el transistor este activa. Datos G=100 , Vbe=0.625 V ,Vce=7.59 V

Malla colector
Vt =Ic⋅ Rc +Vce(Despejamos Ic )
Vt −Vce 10 −7.59
Ic= = =1.09 mA
Rc 2.2
Ic 1.09 mA
Para que este en activa Ic=G ⋅ Ib por lo tanto Ib= = =0.0109 mA =10.9 μA
G 100
Malla de base
Vt =Ib ⋅ Rb+Vbe despejamos Rb
Vt −Vbe 5 −0.625
Rb= = =401 k
Ib 0.0109
59:
Calcular la función de transferencia Vo ( Vi ) de los siguientes circuitos
Datos : R=1 k Ω Vγ 1=Vγ 2=0 ,7

a) D ≡ON Circuito equivalente

V =0 (Vγ =0 ) Tenemos que forzar que Id >0

Malla 1
Vi+ R ⋅ Io=0
−Vi
Id= >0 → Vi< 0
R
D ≡OF
Vo=Vi(malla)
Tenemos que forzar que
Vd ≤ 0 Vd=−Vo=−Vi ≤ 0 → Vi ≥0

0 ;si Vi< 0
Vo ( Vi ) =¿
Vi ;si Vi ≥ 0
Calcular la funcion de trasnferencia del siguiente circuito
Datos: R=1 k Ω Vγ =0, Vγ 1=Vγ 2=0.7

Los diodos no pueden estar en ON no se puede poner dos pilas de tension en paralelos.
D 1≡ ON D 2≡ OF

Vo=Vγ Justo la tension en bornas de tension de una pila

Tenemos que forzar Id ≥ 0 y Vd 2 ≤ Vγ

Malla 1
Vi −Vγ
Vi − R ⋅ Id 1− Vγ=0→ Id 1= >0
R
Vi −Vγ > 0 →Vi> Vγ
Vd 2=−Vγ =−0.7 ≤ 0.7
Se cumple siempre y cuando el otro diodo este en ON
D 1≡ OFF D 2 ≡OF
 Vo=Vi
Tenemos que forzar
Vd 1 ≤Vγ Vd 2≤ Vγ
Con esto podemos representar

{
− 0.7 V
Vo(Vi)= Vi
0.7 V

60:
Expresar en función de Vipara los casos Vi> 0 y Vi< 0 para el siguiente circuito.
Suponga que el diodo es ideal.

R2 R2
Se trata de un divisor de tensión: Vo= ⋅Vi= =0.5 Vi
R 2+ R 1 2⋅ R 2
Vi
Quedando finalmente que: Vo=
2
 Vi
Comprobando la hipotesis Vo 2
D ≡ON → Id= = >0
R2 R2
→ Vi>0

Comprobamos la hipotesis D ≡OF →Vd=Vi ≤ Vγ =0

→ Vi<0
61:
Expresar la funcion Vipara los siguientes casos Vi> 0 y Vi< 0para el siguiente circuito.
Suponga que el diodo es ideal y que R 1≡ R 2

Cuando del diodo esta en D ≡ON Vo=o

 Vr 1 V 1
Comprobación de la hipotesis : Ir 1=Id = = > 0→ Vi> 0
D1 R 1

R2 R2 Vi
D ≡OF Por divisor de tensión : Vo= ⋅Vi= ⋅Vi → Vo=
R 2+ R 1 2⋅ R 2 2
Vi
Comprobamos la hipotesis : D ≡OF →Vd=Vo= <Vγ=0→ Vi< 0
2
 Vi
( ; Vi< 0)
2
La función de transferencia es : Vo ( Vi ) =¿ ( 0, Vi> 0)

62:
Dado el circuito de la figura determine en que zona de trabajo se encuentra el transistor
( β=100 ).

10 −U BE=0 → U BE =10 →U BE >0.7

Quiere decir que no hay corte.
10 −0.7
I B= =0.93 mA I C =β I B =100⋅ 0.93=93 mA
10
1 ⋅93=93 V >0 → No activa (Trabaja en saturación)
63:
Un transistor BJT del tipo NPN se encuentra en un circuito electronico y presenta las
siguientes tensiones en sus terminales U EB=− 0.7 V y U CB =− 0.7 V
en estas condiciones en que zonas esta trabajando el transistor.
- En corte U EB <−0.7 V ,no se cumple
- En activa U CB ≻ 0.7 V ,no se cumple trabajo en saturación.

8.-Un transistor BJT de tipo NPN y β=100se conecta de la siguiente manera: la base se
conecta al terminal positivo de una pila de 5 V a travez de una resistencia de 100 k Ω el colector
se conecta al terminal positivo de una pila de 10 V a travez de una resistencia de 100 Ω el
emisor se conecta a los terminales positivos de ambas pilas. En estas condiciones calcule la
corriente de colector.
 Ue − Ube 5− 0.7 −5
Ib= → Ib= =4.3 ⋅10
Rb 100 ⋅10
3

−5
Ic=Ib ⋅ β → Ic=4.3 ⋅10 ⋅100=0.0043

64:
En el trasnsitor BJT de tipo NPN con β=100 se conecta una pila de 30 V de la siguiente
manera el colector se conecta al terminal positivo de la pila a travez de una resistencia de
330 Ω . La base tambien se conecta a la misma terminal positiva a travez de una resistencia de
560 k Ω .El emisor se conecta directamente al terminal negativo de la pila. Calcule la tensión
entre colector y emisor.
 Ue − Ube 30− 0.7 −5
Ib= → Ib= =5.23 ⋅10 A
Rb 560 ⋅10
3

−5 −3
Ic=Ib ⋅ β → Ic=5.23 ⋅10 ⋅100=5.23 ⋅10 A
−3
Urc=Rc ⋅ Ic →Urc =330 ⋅5.23⋅ 10 =1.73 V
Uce=V − Urc → Ure=30 −1.73=28.27 V

65:
Un transistor NPN funciona en una zona activa cuando su base se conecta al terminal positivo
de una fuente de tensión de 5 V a travez de una resistencia de , su colector se conecta al
terminal positivo de una fuente de 20 V a travez de una resistencia de 100 Ω y el emisor se
conecta a los terminales negativos de ambas fuentes. Si β=100 , calcule la corriente que
circula por el conector.
 U E=R ⋅ I B +U BE

Si β=100 y U CC =20 V ¿ Cual es la zona de trabajo de la esfere?

I C =I B=¿ I =0 ¿
E

R B I B +U BE + R E I E +U CC =0 U BE=−U CC=− 20

U BE> 0.7Trabaja en corte

66:
El transistor de la figura, de parametron β=100, alimenta una carga de 1 K Ω a partir de una
bateria de 15 V . Calcula la potencia disipada por el trasnsistor en los dos casos: a)UE=0 V
b)UE=30 V
 I C =I B=¿ I =0 ¿
E

−Ue+100 kIb+Ube=0

Para Ue=0V ; Ube=Ue=0 Ube<0.7 corte para P=0 W

para Ue=30 V Ube=Ue=30 Ube>0.7 entonces no ℎay corte

30− 0.7
Ib= =0.293 mA Ic=βIb=100 ∗ 0.293=29.3 mA
100

29.2 ∗a=29.3 V >15 V trabaja en SATURACIÓN

Uce ≅ 0 V

Pbe=Ube∗ Ib=0.7 ∗0.293=0.21 mW

P ( saturación )=0.21 mW

67:
Para el circuito de la figura calculi Re
Solución:

Análisis en DC

Vcc −Ve 12 V − 0.7 V

Ib= = =24.04 μA
Rb 470 K Ω

Ie=( β +1 ) Ib= (101 )( 24.04 μA )=2.428 mA

26 mV
ℜ= =10.71 Ω
2.428 mA

68:
Para el circuito de la figura calculi Zi con Ro=∞ Ω
 Vcc −Ve 12 V − 0.7 V
Ib= = =24.04 μA
Rb 470 K Ω

Ie=( β +1 ) Ib= (101 )( 24.04 μA )=2.428 mA

26 mV
ℜ= =10.71 Ω
2.428 mA

βre=100∗ 10.71 Ω=1.071 k Ω

Zi={ rb|βre }={ 470 k Ω|1.071 k Ω }=1.069 k Ω

69:
Para el circuito de la figura calcula Zo con Ro=∞ Ω
 Vcc −Ve 12 V − 0.7 V
Ib= = =24.04 μA
Rb 470 K Ω

Ie=( β +1 ) Ib= (101 )( 24.04 μA )=2.428 mA

26 mV
ℜ= =10.71 Ω
2.428 mA

βre=100∗ 10.71 Ω=1.071 k Ω

Zi={ rb|βre }={ 470 k Ω|1.071 k Ω }=1.069 k Ω

Zo=rc=3 k Ω

70:
Para el circuito de la figura calcula Av con Ro=∞ Ω

Vcc −Ve 12 V − 0.7 V

Ib= = =24.04 μA
Rb 470 K Ω

Ie=( β +1 ) Ib= (101 )( 24.04 μA )=2.428 mA

26 mV
ℜ= =10.71 Ω
2.428 mA

βre=100∗ 10.71 Ω=1.071 k Ω

Zi={ rb|βre }={ 470 k Ω|1.071 k Ω }=1.069 k Ω

Zo=rc=3 k Ω

Rc 3k Ω
Av=− =− =−280.11 Ω
rc 10.71 Ω
71:
Para el circuito de la figura calcule Ai con Av=∞ Ω

Vcc −Ve 12 V − 0.7 V

Ib= = =24.04 μA
Rb 470 K Ω

Ie=( β +1 ) Ib= (101 )( 24.04 μA )=2.428 mA

26 mV
ℜ= =10.71 Ω
2.428 mA

βre=100∗ 10.71 Ω=1.071 k Ω

Zi={ rb|βre }={ 470 k Ω|1.071 k Ω }=1.069 k Ω

Zo=rc=3 k Ω

Rc 3k Ω
Av=− =− =−280.11 Ω
rc 10.71 Ω

Dado que Rb ≥10 βre(470 k Ω>10.71 k Ω)

Ai ≅ β=100
72:
Para el circuito de la figura calculi ℜ.

Calculo en dc:

Verificando βre>10 R2

( 90 )( 1.5 K ) > ( 10 ) ( 8.2 K )

135 K Ω>82 K Ω

R2 ( 8.2 K Ω ) (22 V )
Vb= Vcc= =2.81V
R 2+ R 1 56 K Ω+ 8.2 KΩ

Ve=Vb −Vbe=2.81V − 0.7 V =2.11V

 ve 2.11V
Ie= ℜ = =1.41 mA
1.5 K Ω

26 mV 26 mV
ℜ= = =18.44 Ω
iE 1.41 mA
73:
Para el circuito de la figura calcula Zi

Circuito equivalente en ac:

 R={ R 1|R 2 }=( 56 k Ω|8.2 K Ω )=7.15 K Ω

Zi=( R|βre )= { 7.15 K Ω|(90)(18.44 Ω) } =1.35 K Ω

74:
Para el circuito de la figura calcule Zo con ro=∝ Ω

Analisis en ca:
 R={ R 1|R 2 }=( 56 k Ω|8.2 K Ω )=7.15 K Ω

Zi=( R|βre )= { 7.15 K Ω|(90)(18.44 Ω) } =1.35 K Ω

Zo=Rc=6.8 K Ω

75:
Para el circuito de la figura determine Av con ro=∞ Ω

Analisis en ca:
 R={ R 1|R 2 }=( 56 k Ω|8.2 K Ω )=7.15 K Ω

Zi=( R|βre )= { 7.15 K Ω|(90)(18.44 Ω) } =1.35 K Ω

Zo=Rc=6.8 K Ω

Rc 6.8 k Ω
Av=− ℜ =− =− 368.86
18.44 Ω
76:
Para el circuito de la figura determine Av con ro=∞ Ω

Analisis en ca:
 R={ R 1|R 2 }=( 56 k Ω|8.2 K Ω )=7.15 K Ω

Zi=( R|βre )= { 7.15 K Ω|(90)(18.44 Ω) } =1.35 K Ω

Zo=Rc=6.8 K Ω

Rc 6.8 k Ω
Av=− ℜ =− =− 368.86
18.44 Ω

La condición de R ´ ≥ 10 βre ¿no se satisfice por lo tanto

βR ´ 90 ( 9.75 K Ω )
Ai= = =73.04
βre+ R ´ 7.15 K Ω+1.66 KΩ
77:
Para el circuito de la figura halle re.
Calculo en dc:

Vcc − Vbe
Ib=
Rb+(β +1) ℜ

12 V −0.7 V
¿ =20.42 μA
220 K Ω+3.3 K Ω(101)

Ie=Ib (β+ 1)

¿ 101 ( 20.42 μA )=2.062 mA

26 mV 26 mV
ℜ= = =12.61 Ω
Ie 2.062 mA
78:
Para el circuito de la figura calcule

Calculo en dc:
 Vcc − Vbe
Ib=
Rb+(β +1) ℜ

12 V −0.7 V
¿ =20.42 μA
220 K Ω+3.3 K Ω(101)

Ie=Ib (β+ 1)

¿ 101 ( 20.42 μA )=2.062 mA

26 mV 26 mV
ℜ= = =12.61 Ω
Ie 2.062 mA

Calculo en ac:
Zb=βre+ ℜ(β +1)

¿ 100 ( 12.61 Ω )+ ( 101 ) (3.3 K Ω)

1.261 K Ω+ 333.3 K Ω

¿ 334.56 K Ω ≅ βre

Zi=( Rb|Zb )=( 220 K Ω|334.56 K Ω )

Zi=132.72 K Ω
79:
Para el circuito de la figura calcule Zo con ro=∞ Ω

Calculo en ac:
 Zb=βre+ ℜ(β +1)

¿ 100 ( 12.61 Ω )+ ( 101 ) (3.3 K Ω)

1.261 K Ω+ 333.3 K Ω

¿ 334.56 K Ω ≅ βre

Zi=( Rb|Zb )=( 220 K Ω|334.56 K Ω )

Zi=132.72 K Ω

Zo=( Rb|Zb )= (3.3 K Ω|12.31 Ω )

Zo=12.56 Ω ≅ ℜ

80:
Para el circuito de la figura, determine re.

Analisis en ac:
Vee −Vbe 2 V −0.7 V 1.3 V
Ie= ℜ = = =1.3 mA
1K Ω 1k Ω
 26 mV 26 mV
ℜ= = =20 Ω
Ie 1.3 mA