Ejercicios Propuestos de Transistores BJT

1. En el circuito mostrado calcule:

a) El punto de operación del transistor. Represente el punto de operación y la línea de
carga estática en la característica de salida.
b) Halle la potencia que se disipa en el colector del transistor en reposo y la potencia que
entrega la batería Vcc.
c) Halle el valor máximo de RC con el cual el transistor permanece trabajando en la región
activa
Datos:   150 , VBE  0,7V ; VBESaturación  0,8V , VCEsaturación  0,1V

2. En el circuito de la figura si   0,98 y VBE  0,7V . Calcular el valor de la resistencia R1

para que la I E  2mA
3. En el circuito mostrado los transistores Q1 y Q2 trabajan en la región activa con
VBE1  VBE2  0,7V , 1  100,  2  50 .
a) Calcule todas las intensidades del circuito.
b) Calcule todas las tensiones del circuito.

4. En el circuito de la figura los transistores están trabajando en la zona activa. 1   2  100 ,

VBE1  VBE 2  0,7 . Calcule las intensidades y tensiones del circuito
5. Para el circuito mostrado:
a) Sin considerar al diodo zener, determine la característica de transferencia VCE en función de
V1 del circuito de la figura. Indicando las diferentes zonas del transistor.   100
b) Considerando al diodo zener ideal, cuya tensión de VZ es 4V. Halle la característica de
transferencia.
Considere VBEactiva  0,7V , VCEsaturación  0,2V , VBEsaturación  0,8V