UNIVERSIDAD NACIONAL

AUTÓNOMA DE MÉXICO

FACULTAD DE INGENIERÍA
DIVISIÓN DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

Departamento de ingeniería electrónica

LABORATORIO DE AMPLIFICADORES ELECTRÓNICOS (6723)

PROFESOR(A): Dr. Domingo Teodoro Mendoza Rosales

GRUPO: 03
REPORTE DE PRÁCTICA: 1-3

“TÉCNICAS DE POLARIZACIÓN Y ESTABILIDAD DEL PUNTO DE

OPERACIÓN BJT Y MOSFET, AMPLIFICADORES DE SEÑAL
PEQUEÑA”

INTEGRANTES DE LA BRIGADA:
Bastida Rosaslanda Oswaldo- 316297327
Pulido Rodríguez Aramis de Jesús- 316013840

SEMESTTRE 2022-2
Fecha de entrega: 5 de abril 2022
 Bastida Rosaslanda Oswaldo, Pulido Rodriguez Aramis de Jesús
6 de abril de 2022

Resumen
Durante el reporte de estas tres prácticas se abordan los conceptos fundamentales para lograr
una correcta comprensión de los transistores y sus diferentes técnicas de análisis.

Introducción
En el diseño de circuitos con transistores TBJ, es fundamental establecer un punto de operación
Q en la región deseada, en nuestro, la región de operación será la de amplificación, haciendo que el
punto se encuentre a la mitad de la recta de carga para asegurar que se aproveche al máximo la onda
senoidal de voltaje para un máximo swing simétrico.
A partir de la polarización en un TBJ podemos determinar qué tan estable será el punto Q obte-
nido. Como estos dispositivos tienden a ser altamente sensibles a las circunstancias que los rodean
(temperatura, variaciones de energı́a, etc), la ganancia de corriente β de ambos factores afectan su
funcionamiento.
Al igual que con los BJT’s, el propósito de la polarización en MOSFET, es obtener un voltaje de
compuerta a fuente Vgs apropiado para establecer un valor deseado de la corriente en el drenaje y
por consiguiente, un punto de operación Q estable. En este caso analizaremos las polarizaciones por
divisor de voltaje y la polarización por dos fuentes, observando cuál es el comportamiento de ambas
configuraciones ante variaciones de k y el voltaje de umbral Vth
Cuando se pide representar un amplificador a manera de bipuertos, se tiene que calcular su impedan-
cia o resistencia de entrada, la de salida y su gaancia en circuito abierto, esto para poder tener una
representación gráfica.

1. Técnicas de polarización y estabilidad del punto de opera-

ción BJT
Objetivos: Analizar y diseñar configuraciones de polarización de los tran-
sistores de efecto de campo (BJT), considerando estabilidad del punto de
operación.
Circuito 1 : Para el circuito mostrado en la siguiente figura, se busca; β = 80, ICQ = 0,25mA y
VCEQ = 4,5V , considerar que β cambia a 120 y se recalculó el punto Q:

1
 Para hallar RB y Rc se procedió con la Ley de Ohm como sigue:
V 9V − 0,7V
RB = = = 2,656M Ω
I/β 250µA/80
9V − 4,5V
RC = = 18kΩ
250µA

y por datos del problema sabemos que Q(VCEQ , IQ = Q(4,5V, 250µA)

Al simular con los valores calculados, se obtuvieron las siguientes medidas:

Con ello se puede graficar Q como sigue:

1) Posterior a calcular los puntos Q, lo que se requiere es calcular el porcentaje de cambio en I y

V como sigue:
ICQ1 − ICQ2
∆ %I = X100 = 52 %
ICQ1
VCEQ1 − VCEQ2
∆ %V = X100 = 52,44 %
VCEQ1
Por los resultados obtenidos, se concluye una variación de más del 50 %, por lo tanto no es estable
2) Finalmente se debe calcular la β que hará que el BJT se sature, lo cual se hace como sigue:
IC
βM AX =
IB
hallando los valores de corriente necesarios:
9V − 0,2V
IC = = 489µA
18KΩ
9V − 0,7V
IB = = 3,125µA
2,656M Ω
489µA
→ βM AX = = 156,48
3,125µA

2
 Circuito 2 : Para el circuito mostrado en la siguiente figura se diseña para que tengamos un Q(5V,
1mA) y /beta = 60 y dicha polarización no exceda una variación de más del 5 % considerando que β
tiene un rango de 45 a 60:

Se procedió como sigue:

Vcc − Ic Rc − VCE − Ic RE = 0

Vcc − IC − RC − VCE
→ RE = = 5kΩ
IC
Se define un punto VBB en el nodo de la base y se procede como sigue:

VBB − VBE − IC RE = 0 → VBB = VBE + IC RE = 5,7V

Con un divisor de voltaje se obtiene la siguiente relación:
R2 V cc 19R1 31R2
5,7V = ; R2 = ; R1 =
R1 + R2 31 19
y asumiendo que R2 = 10kΩ se obtiene al sustituir que R1 = 16,31kΩ
Ahora debemos obtener Q(VCEQ , ICQ
R2 VCC
R1 +R−2 − VBE
IB = R2 VCC
= 16,4µA
R1 +R2 + (β + 1)(RE )

y con eso obtenemos el Ic = βIB = 0,98mA

Ahora para VCE :

VCC − ICQ RC − VCEQ − ICQ RE = 0 → VCEQ = VCC − ICQ RC − ICQ RC = 5,2V

Entonces Q(5.2V,0.98mA), ahora simulando:

Como podemos ver, los valores son prácticamente idénticos a lo calculado:

VBB = 5,60V ; ICQ = 0,95mA; VCE = 5,41V

3
 Ahora no debe variar en +5 % Ic si 45 ≤ β ≤ 75. Asumimos Ic = 0,98mA + −5 % por lo tanto
Ic (0,93mA, 1,03mA
ICQ1 − ICQ2
∆ %I = X100 = 1,91 %
ICQ1
VCEQ1 − VCEQ2
∆ %V = X100 = 3,6 %
VCEQ1
Y si establecemos que para ser estable debe variar menos del 5 %, se concluye que sı́ es una configuración
estable.
Ahora para que esté a la mitad de la curva debemos definir VCEQ = 7,8V y ICQ = 0,75mA
VCC − IC RC − VCE
VCC − IC RC − VCE − IC RE = 0 → RE = = 5kΩ
IC
Variando el valor de R1 y R2 con la relación R2 = R1 (0,61), se obtuvo lo siguiente en la simulación:

Y se puede ver que se obtuvieron los valores requeridos para tener un Q final de Q(7,2V, 0,77mA)

Circuito 3 : En este circuito 3, se desarrolló la siguiente configuración, con la condición de que

Ic = 1mA, Vc = −1V y que al vaariar en un rango de β de 50 a 150, Ic no varı́e más del 10 %. Se
procedió como sigue:

4
 5V − 0,7V − 1V
RE = = ,3kΩ
1mA
Se optó por estimar una RB = 100KΩ, y posteriormente calculamos RC :
−1V + 5V
RC = = 3,9kΩ
1,01mA
Ahora simulando:

Por lo visto, se ve que en nuestro diseño hay que variar RB , y éste se seleccionó de 82kΩ, de modo
que logramos tener el rango deseado:

5
 de las simulaciones mostradas anteriormente podemos obtener los puntos Q1 (1,7V, 0,86mA y Q2 (0,74V, 1,01mA),
con esto ya podemos calcular el porcentaje de variación como sigue:
1,7 − 0,74
∆ %V = x100 = 56 %
1,7
1,01 − 0,86
∆ %I = x100 = 14,85 %
1,01
Por los resultados obtenidos se puede concluir que nuestro tercer circuito no es estable, ya que
V varı́a en un muy alto porcentaje, y es que a pesar de haber intentado repetidas veces variar las
resistencias, no se logró conservar una variación menor al 10 %.

Resultados
Haga unacomparación entre resultados teóricos y de la simulación.Interprételos. Estos
resultados requeridos se hallan a lo largo del desarrollo de la práctica

¿Se ve afectado el punto de operación de forma idéntica en cada circuito de polariza-

ción? Explique. No, en algunas configuraciones, dicho punto tiende a tener una mejor estabilidad, tal
como en el circuito 2, donde se tuvo una variaciónn del 1.91 % y del 3.6 % en la corriente y el voltaje,
respectivamente
En una polarización por divisor de voltaje, ¿qué elemento (o elementos) determina la
estabilidad de Q? ¿y en el circuito 3? Explique sus respuestas
R1 y R2 son los elementos que en general rigen las magnitudes del circuito

¿Por qué es importante analizar la estabilidad? Para poder saber qué elementos se emplearán
en el diseño de circuitos, y de esta manera sabremos qué podemos esperar de un circuito.

6
2. Técnicas de polarización y estabilidad del punto de operación MOSFET.

Objetivos: Analizar y diseñar configuraciones de polarización de los

transistores de efecto de campo (FET), considerando estabilidad del punto de
operación.

Circuito 1. Analice el circuito de la figura 1 para determinar su punto de

operación 𝑄. Considere que el voltaje de umbral 𝑉𝑇ℎ = 0.8 𝑉 y que 𝑘 =
0.5 𝑚𝐴/𝑉2.

Figura 1.

𝑅2
𝑉𝐺 = ( )𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝐷𝐷

18 𝑘
𝑉𝐺 = ( ) 10 𝑉 = 3.6 𝑉
32𝑘 + 18𝑘

𝑉𝑆 = 𝑅𝑆 𝐼𝐷

𝑉𝐺𝑆 = 3.6 − 2𝐼𝐷

𝐼𝐷 = 𝑘(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 )2

𝐼𝐷 = 0.5(3.6 − 2𝐼𝐷 − 0.8)2 = 0.5(2.8 − 2𝐼𝐷 )2

Desarrollando la ecuación.
 2𝐼𝐷2 − 6.6𝐼𝐷 + 3.92 = 0

𝐼𝐷1 = 2.52 𝑚𝐴, 𝐼𝐷2 = 0.77 𝑚𝐴

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 ) = 10 − 𝐼𝐷 (4 + 2)

𝑉𝐷𝑆1 = −5.12 𝑉 , 𝑉𝐷𝑆2 = 5.38 𝑉

𝑉𝐺𝑆1 = −1.44 𝑉 , 𝑉𝐺𝑆2 = 2.06 𝑉

Para estar en región de saturación

𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑇𝑁 𝑦 𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁

La corriente 𝐼𝐷2 = 0.77 𝑚𝐴 cumple estas condiciones por lo que el punto de

operación es:

𝑉𝐺𝑆 = 2.06 𝑉

𝐼𝐷 = 0.77 𝑚𝐴

𝑉𝐷𝑆 = 5.38 𝑉

Al Simular el Circuito se obtuvieron las siguientes medidas:

𝑉𝐺𝑆 = 2.046 𝑉, 𝐼𝐷 = 0.776 𝑚𝐴 , 𝑉𝐷𝑆 = 5.339 𝑉

 Los valores del punto de operación en la simulación coinciden con los valores
teóricos calculados.

Circuito 2. Analice y diseñe el circuito de la figura 2 de modo que 𝐼𝐷𝑄 =

0.5 𝑚𝐴 y 𝑉𝐷 = 1 𝑉. El transistor tiene voltaje de umbral de 1.4 𝑉 y 𝑘 = 0.25
𝑚𝐴/𝑉2.

Figura 2.

5 − 𝑉𝐷 5 − 1 𝑉
𝑅𝐷 = = = 8 𝑘Ω
𝐼𝐷 0.5 𝑚𝐴

𝐼𝐷 0.5
𝑉𝐺𝑆 = −𝑉𝑆 = √ + 𝑉𝑇𝑁 = √ + 1.4 = 2.81 𝑉
𝑘 0.25

𝑉𝑆 = −2.81 𝑉
𝑉𝑆 + 5 −2.81 + 5 𝑉
𝑅𝑆 = = = 4.4 𝑘Ω
𝐼𝐷 0.5 𝑚𝐴
Simulando el circuito obtuvimos las siguientes mediciones:
 𝐼𝐷 = 0.497 𝑚𝐴 , 𝑉𝐷 = 1.02 𝑉

Los datos obtenidos en la simulación coinciden con los datos propuestos por el ejercicio.
Análisis de la estabilidad del punto de operación.
Variando el voltaje umbral 𝑉𝑇ℎ y el factor de transconductancia 𝐾𝑝 obtuvimos los
siguientes puntos de operación:
Variación del punto de operación respecto a 𝑉𝑇ℎ
Circuito 1
𝑉𝑇ℎ [𝑉] 𝑉𝐺𝑆𝑄 [𝑉] 𝐼𝐷𝑄 [𝑚𝐴] 𝑉𝐷𝑆𝑄 [𝑉]
0.2 1.610 0.994 4.031
0.8 2.046 0.773 5.339
1.6 2.6 0.500 7

Tomando como referencia el centro de la recta de carga que es cuando 𝑉𝑇ℎ = 0.8

𝑉𝐺𝑆𝑄𝑟𝑒𝑓 − 𝑉𝐺𝑆𝑄
∆%𝑉𝐺𝑆𝑄 = × 100
𝑉𝐺𝑆𝑄𝑟𝑒𝑓

∆%𝑉𝐺𝑆𝑄1 = 21.30% ∆%𝐼𝐷𝑄1 = 28.6% ∆%𝑉𝐷𝑆𝑄1 = 24.5%

∆%𝑉𝐺𝑆𝑄2 = 27.07% ∆%𝐼𝐷𝑄2 = 35.31% ∆%𝑉𝐷𝑆𝑄2 = 31.11%

Variación del punto de operación respecto a 𝑘𝑝

Circuito 1
2
𝑘𝑝 [𝑚𝐴/𝑉 ] 𝑉𝐺𝑆𝑄 [𝑉] 𝐼𝐷𝑄 [𝑚𝐴] 𝑉𝐷𝑆𝑄 [𝑉]
 5 1.455 1.072 3.565
2 1.759 0.920 4.478
1 2.046 0.773 5.339
0.5 2.369 0.615 6.307
0.1 3.081 0.259 8.44

Tomando como referencia el centro de la recta de carga que es cuando 𝑘𝑝 = 1

∆%𝑉𝐺𝑆𝑄1 = 14% ∆%𝐼𝐷𝑄1 = 19% ∆%𝑉𝐷𝑆𝑄1 = 16.12%

∆%𝑉𝐺𝑆𝑄2 = 15% ∆%𝐼𝐷𝑄2 = 20% ∆%𝑉𝐷𝑆𝑄2 = 18.13%

Variación del punto de operación respecto a 𝑉𝑇ℎ

Circuito 2
𝑉𝑇ℎ [𝑉] 𝑉𝐺𝑆𝑄 [𝑉] 𝐼𝐷𝑄 [𝑚𝐴] 𝑉𝐷𝑆𝑄 [𝑉]
0.2 1.92 0.699 1.32
0.7 2.27 0.619 2.318
1.4 2.81 0.497 3.830
2 3.25 0.395 5.09
3.5 4.30 0.159 8.02

Tomando como referencia el centro de la recta de carga que es cuando 𝑉𝑇ℎ = 1.4
∆%𝑉𝐺𝑆𝑄1 = 19.21% ∆%𝐼𝐷𝑄1 = 24% ∆%𝑉𝐷𝑆𝑄1 = 39.7%

∆%𝑉𝐺𝑆𝑄2 = 15.5% ∆%𝐼𝐷𝑄2 = 20.52% ∆%𝑉𝐷𝑆𝑄2 = 32.9%

Variación del punto de operación respecto a 𝑘𝑝

Circuito 2
2
𝑘𝑝 [𝑚𝐴/𝑉 ] 𝑉𝐺𝑆𝑄 [𝑉] 𝐼𝐷𝑄 [𝑚𝐴] 𝑉𝐷𝑆𝑄 [𝑉]
3 2.066 0.666 1.733
1 2.47 0.574 2.88
0.5 2.81 0.497 3.830
0.25 3.21 0.407 4.944
0.1 3.76 0.208 6.525

Tomando como referencia el centro de la recta de carga que es cuando 𝑘𝑝 = 0.5

∆%𝑉𝐺𝑆𝑄1 = 12% ∆%𝐼𝐷𝑄1 = 15% ∆%𝑉𝐷𝑆𝑄1 = 24%

∆%𝑉𝐺𝑆𝑄2 = 14% ∆%𝐼𝐷𝑄2 = 18% ∆%𝑉𝐷𝑆𝑄2 = 29%

 April 6, 2022

Amplificadores de señal pequeña

Circuito 1: Para el circuito mostrado a continuación, se determinó el punto de operación, la resistencia de
entrada, la ganancia de voltaje y corriente.

Se comienza buscando RB como sigue:

R1 R2
RB = = 9.6kΩ
R − 1 + R2
para el voltaje en el nodo de la base:
R − 2V − CC
VBB = = 3.12V
R1 + R2
VBB − VBE
VBB − RB IB − VBE − RE IE = 0 → IBQ = = 0.0185mA
RB + RE (β + 1)
para ICQ

ICQ = βIB = 1.85mA

Ahora para VCEQ
β
VCC − IC RC − VCEQ − IE R − E = 0 → VCEQ = VCC − ICQ RC − ICQ RE = 2.73V
β+1
Finalmente, se obtiene un Q(2.73V, 1.85mA). A continuación se muestra la simulación con los resultados
esperados:

1
 Seguimos con el cálculo en AC (imagen meramente ilustrativa):

Los parámetros calculados fueron:

iCQ β
gm = = 71.15mΩ; rπ = 1.4kΩ; ro = = 54.04kΩ
nVt ICQ
Se calcularon las impedancias como sigue:

rπ RB RC RL Rq rO RC rO
RN = = 1.22kΩ; Rq = = 1.05kΩ; RM = = 1.03kΩ; RF = = 2.114kΩ
rπ + RB RC + RL Rq + rO RC + rO
VO
Ahora se calcula VS , para esto se hará lo siguiente:
RN VS
VO = RM iC = RM (−gm Vπ ) → Vπ =
RN + RS
Ahora sustituyendo la última ecuación obtenida en nuestra fórmula para Vo se obtiene:
RN VS VO −RN RM gm
VO = −RM gm ( → = = −7.96
RN + VS VS RN + RS
Para la ganancia de corriente Ai igualmente se utiliza un divisor como sigue:
−RF gm Vπ
IO =
RF + RL
Vπ
Para este cálculo aplicaremos la Ley de Ohm IS = RN y se sustituirá en lo anteriormente obtenido para
tener:
RF gm V Vπ
io RF +RL
Ai = = Vπ
= −44.6
io RN
Finalmente, apoyándonos en el diagrama de AC, podemos ver que nuetra impedancia de entrada será
Ri = 1.22KΩ = RN
El modelo de bipuerto requerido se muestra a continuación:

Una vez implementado el diseño y verificada la ganancia, se solicita el efecto de conectar una fuente de
1 mV con impedancia de 1kΩ, a lo cual se concluye que lo que pasarı́a en nuestra red, serı́a la obtención de
una ganancia de mayor magnitud.
Circuito 2: Se diseña un circuito como el primero considerando que debe tener una ganancia en circuito
abierto y con fuente ideal de -160. Al igual que un Q al centro de la recta.

2
Circuito 3. Analice y diseñe un seguidor de voltaje como el de la figura 2.
Considere que Vcc = 24V, io/is = 8 y RL = 8 Ω. ¿Cuál es la máxima excursión
que puede tener el voltaje de salida sin distorsionarse?

Figura 2.
De acuerdo con el modelo hibrido la ganancia de corriente es:

𝑅𝐸 𝑅𝐵 (1 + 𝑔𝑚 ∙ 𝑟𝜋 )
𝐴𝑖𝑐𝑐 =
(𝑅𝐸 + 𝑅𝐿 )(𝑅𝐵 + 𝑟𝜋 )

Desarrollando la ecuación con ayuda de la ley de ohm y ecuaciones del transistor

tenemos:

𝑉𝑅𝐸 𝑉𝐵𝐵 𝛽(𝛽 + 1)

− 𝑉𝑅𝐸
𝐴𝑖𝑐𝑐 (𝑉𝐵𝐵 + 𝑉𝑇 )
𝐼𝐶𝑄 =
𝑅𝐿 (𝛽 + 1)
Sabemos que 𝑉𝑅𝐸 = 12 [𝑉], 𝑉𝐵𝐵 = 12.7, 𝛽 = 380, 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 12𝑉
Entonces:
𝐼𝐶𝑄 = 71.10 𝐴, 𝐼𝐵𝑄 = 187.11 𝑚𝐴, 𝐼𝐸𝑄 = 71.29 𝐴

𝑅𝐸 = 198.33 𝑚Ω, 𝑅1 = 128.25 Ω, 𝑅2 = 144.14 Ω

Simulación
Punto de operación Ganancia

Se puede observar que no se cumple la simulación pues la ganancia obtenida es

4 la mitad de lo solicitado, esto puede deberse a que el seguidor de voltaje
comúnmente tiene ganancias grandes de corriente, solicitar una ganancia
pequeña significa tener corrientes grandes en el colector lo cual no es posible
físicamente y puede que el simulador este intentando resolver el circuito con
datos fuera de lo común.

Circuito 4. Analice, diseñe y simule un amplificador en fuente común como el de

la figura 3. Se desea obtener vo/vs = -10 cuando RL = 20 𝑘Ω y Ri = 200 𝑘Ω. Asuma
que IDQ = 1 mA y VDSQ = 10 V.

Figura 3.

De acuerdo con el modelo hibrido la ganancia de corriente es:

𝐴𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝑞 𝑔𝑚

Donde 𝑅𝑞 es el paralelo de 𝑅𝐿 y 𝑅𝐷
Sabemos que 𝑔𝑚 = 2√𝑘√𝐼𝐷 El FET 2N7000 tiene una k mínima de 0.1 pero esa
no satisface bien las ecuaciones así que proponemos una k de 1 mA/V2.

Desarrollando la ecuación de la ganancia y despejando la variable de interés Rd

tenemos:

𝐴𝑉𝐶𝐶 𝑅𝐿
𝑅𝐷 =
𝑅𝐿 𝑔𝑚 − 𝐴𝑉𝐶𝐶

𝑅𝐷 = 6.67 𝑘Ω
Aplicando ley de ohm en Rd y Kirchhoff en la malla externa derecha.

𝑉𝐷𝐷 − 𝑅𝐷 𝐼𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 20 − 6.67(1) − 10

𝑅𝑠 = = = 3.33 𝑘Ω
𝐼𝐷 1
𝐼
𝑉𝐺𝑆 = √ 𝑘𝐷 + 𝑉𝑃 = 1 + 0.8 = 1.8 𝑉, 𝑉𝐺 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝑆 = 1.8 + 3.33 = 5.13 𝑉
Proponiendo una 𝑅𝐺 = 82 𝑘Ω

𝑅𝐺 𝑉𝐷𝐷 20(82) 𝑅 𝑉 20(82)

𝑅1 = = = 319.68 𝑘Ω 𝑅2 = 𝑉 𝐺 −𝑉
𝐷𝐷
= 20−5.13 = 110.28 𝑘Ω
𝑉𝐺 5.13 𝐷𝐷 𝐺

Simulando.

Punto de operación

Ganancia
La simulación coincide con lo teóricamente calculado, la ganancia de voltaje es:
19.997 𝑉𝑃𝑃
𝐴𝑉𝑆𝑆 = − = −10.01
1.997 𝑉𝑃𝑃
Conclusiones
Bastida Rosaslanda Oswaldo
En la primera práctica se pudo analizar las diferentes configuraciones de un transistor TBJ, en
específico en un arreglo de un amplificador de señal pequeña. Al realizar el análisis teórico y
después el análisis en simulación, se pudo observar el comportamiento del punto de operación
al modificar los valores en B(beta) y así poder observar la relación entre el análisis que se
realizó y la práctica en simulador
Sin duda alguna es importante tomar en cuenta la polarización, ya que así se pueden asumir
muchas cosas del circuito, entre ellas su comportamiento.
De igual forma en la segunda práctica se pudo realizar un análisis, en este caso con un MOSFET,
al realizar configuraciones de polarización y poder observar el comportamiento en el punto de
operación.
En la práctica 3 , se pudo analizar el proceso de amplificadores de señal pequeña al realizar las
distintas configuraciones con los modelos lineales de los transistores.
También es importante mencionar el buen análisis del amplificador, ya que así podemos
obtener valores más cercanos a lo que se espera o pide, por ejemplo la ganancia de voltaje o
corriente. Existen alternativas muy útiles que ayudan al análisis de los circuitos, por ejemplo,
modelarlos en bipuertos.
Consideramos que gracias a la buena realización de las prácticas se han cumplido todos los
objetivos planteados, por ejemplo, en la primer actividad y segunda actividad, en las que se
analizaron y diseñaron amplificadores usando TBJ y FET, respectivamente, y después se
observó el comportamiento del punto de operación variando los parámetros de los transistores
(Beta, voltaje de umbral, k, etc.) y variando la polarización. por lo que los objetivos han sido
cumplidos.
Pulido Rodríguez Aramis de Jesús

Para la práctica 1verificamos a través de distintas configuraciones la variación del punto de

operación ante variaciones de beta, donde vimos que la mejor configuración es la del divisor
de voltaje con resistor en el emisor, es esta resistencia en el emisor la que nos da estabilidad
ante las variaciones de beta, cualquier otra configuración la estabilidad el punto se ve afectada
considerablemente, es por ello que la configuración de divisor de voltaje con resistencia en
el emisor es la ideal para un amplificador.
En la práctica 2 verificamos la estabilidad los transistores efecto de campo FET, a diferencia
de los TBJ los parámetros que pueden hacernos cambiar el punto de operación son dos, la
𝑘𝑝 y el voltaje de umbral, nuevamente la configuración por divisor de voltaje con resistencia
en la fuente nos proporciona la mejor estabilidad posible a comparación de la otra
configuración, también pudimos notar que el voltaje umbral es el parámetro que puede
desestabilizar más el punto de operación, las variaciones del punto de operación respecto a
𝑘𝑝 son menores a las con respecto el voltaje umbral.

En la práctica 3 entramos ya en materia de amplificadores, específicamente con los

amplificadores de señal pequeña, esta práctica tiene como propósito analizar y diseñar dichos
amplificadores, el análisis con resistencias ya conocidas se resume en la obtención del punto
de operación y la ganancia del amplificador para que después pueda ser modelado como un
bipuerto, el gran reto de esta práctica por así decirlo es apartado de diseño, nosotros los
estudiantes debemos hacer uso de nuestro conocimiento para poder diseñar un amplificador
esta parte es la mas complicada pues en uno de los diseños no coincidía con la simulación,
podemos atribuir este error a una falta en la practica de diseño.
Referencias.
R. C. Jaeger, Microelectronic Circuit Design 4th edition, NY: McGraw Hill, 2010.
D. A. Neamen, Microelectronics: Circuit Analysis and Design 4th edition, NY: McGraw
Hill, 2010. A. R. Hambley, Electrical Engineering Principles and Applications 6th edition,
NJ: Pearson Education, 2014.
A. S. Sedra y K. C. Smith, Microelectronic Circuits 7th edition, NY: Oxford University
Press, 2015.