I.E.

“MARCIAL ACHARAN Y SMITH “ EDUCACIÓN PARA EL TRABAJO

IE. “MARCIAL ACHARÁN Y SMITH”

MODELO DE SERVICIO DE SECUNDARIA CON FORMACIÓN TÉCNICA
ÁREA
EDUCACIÓN PARA EL TRABAJO

COMPETENCIA CURRICULAR
DESARROLLA PROYECTOS DE EMPRENDIMIENTO
ECONÓMICO O SOCIAL

HOJA INFORMATIVA
INSTRUCTOR
Lic. Félix Gutiérrez Abanto

UNIDAD

DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS

TEMA: TRANSISTORES ELECTRÓNICOS

PROPÓSITOS:

1. Identificar simbólica y físicamente los transistores.

2. Decodificar los transistores
3. Identificar las funciones principales de los transistores.

TALLER DE COMPRENSIÓN LECTORA ACTIVANDO LOS PROCESOS DEL PENSAMIENTO

1. Análisis – síntesis
2. Comprensión
3. Aplicación

Instructor: Félix Gutiérrez Abanto -1-

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EL TRANSISTOR ELECTRÓNICO
1. Origen:

Procede de las palabras TRANSFER y RESISTOR, que se entiende como transferencia de resistencia.
Se descubrió en el año 1948 por SHOCKELEY como resultado de dos trabajos efectuados sobre fenómenos
eléctricos en la superficie de los semiconductores.
Actualmente es un componente fundamental de cualquier circuito electrónico que realiza funciones de
Amplificación, control, proceso de datos, cálculo numérico, radio, TV. estabilización de tensión, corriente etc.
Existe dos formas básicas de amplificación como elemento utilizable en forma individual o discreta; o
incorporado en un CI del que siempre forma la célula básica de funcionamiento.

2. Definición:

Es un elemento semiconductor que tiene la propiedad de gobernar la voluntad, la intensidad de corriente que
circula en dos de sus tres terminales.

3. Tipos de transistor

Existen dos tipos: el transistor bipolar y el transistor unipolar.

3.1 EL TRANSISTOR BIPOLAR : ( BJT )

Es un dispositivo que posee tres capas semiconductoras con sus respectivos conductos llamados:
colector ( C) , base ( B) y emisor ( E ) .
La palabra bipolar se deriva del hecho que internamente existe una doble circulación de portadores de
corriente: electrones y agujeros.
Los transistores bipolares existen de dos tipos: NPN y PNP.
Representación simbólica:
C C
C C
P N
B N B B P B
P N
E E
E E

En el esquema anterior la zona central del transistor es la base, (B) y a ambos lados de ésta van
acoplados emisor y el colector. Obsérvese que el transistor PNP es la unión de dos diodos al igual que el
NPN , tal como se aprecia en el siguiente esquema .
C
C
C C
B B B
B
E E
E
E P N N P
La capa PN equivale un Diodo La capa NP equivale a un diodo

3.1.1 CLASIFICACIÓN DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES

A) POR LA DISPOSICIÓN DE SUS CAPAS

EL transistor NPN El transistor PNP

C
C
P C N C

B N B B P B

P E N E
E E

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B) POR EL METERIAL SEMICONDUCTOR EMPLEADO

➢ Transistor de Silicio
➢ Transistor de Germanio

C) POR LA DISPOSICIÓN DE POTENCIA

➢ Transistor de baja potencia

➢ Transistores de mediana potencia

➢ Transistores de alta potencia E

B C

D) POR LA FRECUENCIA DE TRABAJO

➢ Baja frecuencia
➢ Alta frecuencia

3.1.2 POLARIZACIÓN DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES

El transistor BJT es un dispositivo sensible a la corriente solamente.

Para que un transistor bipolar funcione adecuadamente, es necesario polarizarlo correctamente.
Para ello se debe cumplir que el transistor si es NPN. Debe tener:

A) La juntura BASE EMISOR esté polarizado directamente

Es llamado polarización directa o polarización del diodo base –

emisor.
En el gráfico adjunto un transistor tipo NPN está formado por E N P N C
una zona central P con exceso de huecos libres a cuyos lados
se encuentran dos zonas tipo N en las que existe exceso de e - B
libres.
Recordemos que los huecos circulan de positivo a negativo y - +
los electrones de negativo a positivo (Pa N) y (N a P)
respectivamente.

La unión BASE – EMISOR de un transistor NPN se

comporta exactamente igual que la de un diodo de
semiconductor. Aplicando a la base el positivo de la fuente
de alimentación y al emisor el polo negativo, sin conectar
E N P N C
el colector, la unión quedará polarizada directamente y
conducirá del mismo modo que lo haría un diodo,
B
circulando e incrementándose una corriente relativamente
grande.
+ -

Si la BASE- EMISOR se polariza inversamente invirtiendo la polaridad de la alimentación sólo

circularía por la unión una pequeña (casi nada) corriente de fuga debida a los portadores
minoritarios existentes en las proximidades de la unión. Tal como se muestra en el gráfico
adjunto, la cual indica que el transistor no trabajará correctamente y es lo que no se requiere.

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B) La juntura BASE – COLECTOR está polarizado inversamente

Es llamada polarización inversa

Con la polarización inversa (fig. * )la unión (P-N) quedará bloqueada y sólo pasará una débil
corriente de fuga del orden de uA.
Corriente secundaria Paso de e-
E C Corriente principal o
corriente de colector
N P N
P
E C
B N
N
Directa Tensión
- + B Inversa más
elevada
Fig. * - + - +
C) Conclusión
El emisor es aquel electrodo dispuesto a emitir e - mientras que el colector queda presto a
recibirlos. La base es el electrodo regulador de la conducción del transistor.
Debemos recordar que la polarización de las dos uniones de un TR NPN, la unión B-E está
polarizado con un valor relativamente bajo y la unión B-C está con valor elevado.
Mientras que el E queda polarizado (-), la B y C lo están (+), aunque le corresponderá un valor
mucho más elevado al colector que la base. Esto es así porque la polarización de B ha de
contribuir a que el mayor número posible de e - del E llegue a la B para que desde ella puedan
atravesar la unión B-C y dar lugar a la corriente de salida del TR que será en este caso la
corriente de colector.
Corriente secundaria Paso de e-
En el caso de un transistor Corriente principal o
PNP debe ocurrir lo mismo corriente de colector
que lo explicado
anteriormente, pero con la E N C
diferencia que el emisor es
el que debe tener un voltaje P P
Tensión
mayor que el de la base, tal Directa B Inversa más
como se observa en el elevada
gráfico adjunto
+ - + -
E C E C

B B

- + + - + - + -

3.2 CODIFICACIÓN DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES

Los transistores tienen un código de identificación que en algunos casos especifica la función que cumple
y en otros casos indica su fabricación.
Pese a la diversidad de transistores, se distinguen tres grandes grupos:

A) Codificación europea

PRIMERA LETRA SEGUNDA LETRA N° DE SERIE

A = germanio A = Diodo (excepto los diodos tunel)
B = silicio C = Transistor de baja frecuencia
D = Transistor de baja frecuencia y potencia
E = Diodo tunel de potencia
F = Transistor de alta frecuencia
L = Transistor de alta frecuencia y potencia
P = Foto semiconductor
S = Transistor para conmutación y de potencia
U = Transistor para conmutación y de potencia
Z = Diodo zener
De 100 a 199 = para equipos
domésticos tales como radio, T.V,
amplificadores, grabadoras etc.
De 10 a 99 y la letra x, y o z = para
aplicaciones especiales
Ejemplos
AD149, es un transistor de potencia,
de germanio y sus aplicaciones son
en baja frecuencia (de audio)

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B) Codificación japonesa

PRIMER DATO SEGUNDO DATO TERCER DATO CUARTO DATO QUINTO DATO
0 = Foto S = semiconductor A = Transistor PNP de RF Número de serie, Indica un
transistor o (radio frecuencia) comienza a partir transistor mejor
foto diodo B = Transistor PNP de AF del número 11 que el anterior
(audiofrecuencia)
1 = Diodo C = Transistor NPN de RF
2 = Transistor D = Transistor NPN de AF
F = Tiristor tipo PNPN
G = Tiristor tipo NPNP

Ejemplo
2SA186A, transistor PNP de RF con mejores características técnicas que el 2SA186

C) Codificación americana

Anteriormente los transistores americanos empezaban su codificación con el prefijo 2N y a

continuación un número que indicaba la serie de fabricación.
Ejemplo
2N3055, 2N2924 etc.
Actualmente cada fábrica le antepone su propio prefijo
Ejemplo
TL1411, ECG128 etc, que corresponde respectivamente a Texas Instrumens y Sylvania.

3.3 IDENTIFICACIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Algunas veces nos encontramos con transistores cuya codificación es borrosa y no podemos recurrir al
manual de transistores para determinar sus características, en estos casos se procede a realizar las
siguientes pruebas:

A) Identificación de terminales

Con un ohmímetro en la escala (X1) y teniendo cuidado que los terminales externos del ohmímetro
coincidan con la polaridad de la batería o pila interna, se efectúa lo siguiente:

a) Se enumeran las patitas al azar

Figura a
b) Se coloca el ohmímetro tal como indican
las figuras b, c y d, hasta obtener dos 1
lecturas de baja resistencia con un punto 2 3
común tal como señalan las figuras b y d,
en donde el punto común es el contacto Figura b
número 2. En caso de no obtener las dos Baja resistencia
lecturas de baja resistencia, intercambie
las lecturas de baja resistencia,
intercambie las puntas de prueba y repita 1
las mediciones indicadas en las figuras a, 2 3
b, c y d.

c) El contacto común (en este caso la patita

2) viene a ser la base del transistor. Figura c
Alta resistencia
d) Para ubicar el contacto de colector, de las
dos lecturas de baja resistencia se
selecciona la menor. La diferencia es de 1
solamente algunos ohmios, en algunos 2 3
casos son de más de ohmios.
Supongamos que la figura b tenga una
resistencia mucho menor que la figura d,
en este caso el colector viene a ser el
contacto número 1.

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e) El contacto restante (o sea la patita 3)

será el emisor. Figura d
Baja resistencia
f) Si el transistor posee cuatro patitas,
generalmente una de ellas hace contacto
con el recubrimiento metálico del 1
transistor (contacto de masa) Esta patita 2 3
se descarta y se consideran únicamente
las tres restantes.

B) Identificación del tipo de transistor

Utilizamos las mediciones anteriores observando la polaridad del Terminal del ohmímetro que le
correspondió a la base. En el ejemplo de la figura a, b, c y d notamos que la base le correspondió al
polo + luego el transistor será del tipo NPN. Si le hubiera correspondido el polo – a la base, el transistor
sería PNP.

C) Determinación de la potencia del transistor

Se determina por el tamaño del transistor.

3.4 EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO: ( FET )

El FET encuentra su aplicación en los circuitos digitales y analógicos como amplificador o como
conmutador. Se fabrican de dos tipos: JFET y los MOSFET.

3.4.1 Importancia

1º En su tamaño físico, comparado con el transistor bipolar de

unión BJT, el MOSFET es tan pequeño que solo ocupa del
20% de la superficie del CHIP que ocupa un BJT típico.
Estos pueden ser implantados en un CI.
.2º En una parte de su margen de funcionamiento actúan como elementos de resistencia
controlados por tensión.
3º Su resistencia es extremadamente elevada, lo que puede utilizarse como elemento de
almacenamiento o elemento de memoria en los circuitos digitales.
4º Su aptitud para disipar una potencia elevada y conmutar corrientes intensas en varios nano
segundos. Significa que su conmutación es mucho más rápida que utilizando los BJT. Esto
significa que se puede utilizar como conmutador de alta potencia y alta frecuencia.
Por otro lado, los MOSFET en los circuitos digitales, cuando se utilizan en conexión complementaria
(CMOS), es que la disipación de potencia en reposo es esencialmente nula en frecuencias bajas.
En los FET, un pequeño voltaje de entrada controla la corriente de salida es decir es sensible a la
alta tensión solamente.
La corriente que circula en la entrada es generalmente despreciable (menos de 1pA) esto es una
gran ventaja cuando la señal proviene de un dispositivo tal como un micrófono de condensador o un
transductor piezo eléctrico, los cuales proporcionan corrientes insignificantes.

3.4.2 Clases
Los FET son básicamente de dos tipos
Silicio tipo N
( Canal N )
A) El transistor de efecto de campo de juntura (JFET)
D (Drain)
* Constitución

Silicio tipo P
( Canal P )

(Source) S
D ( Gate )

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Está constituido por una barra de silicio tipo N o llamado canal N, introducido en una barra o
anillo de silicio tipo P, tal como se ilustra en la figura adjunta. Los terminales del canal N son
denominados SURTIDOR (source) y DRENADOR (drain). El anillo forma el tercer Terminal del
FET llamado COMPUERTA (gate).

* Clases

También se constituyen JFETs con barras de silicio tipo P y anillos de silicio tipo N,
denominandoles “JFETs” canal P.
D D
JFET JFET
canal N G canal P G

S S

* Prueba de un JFET
Se comprueba con un ohmímetro en la escala (X1) o (X10)
Entre G y S o G . Debe ser alto ohmiaje en un sentido y baja en el opuesto (como un diodo)
Entre D y S, depende del material del canal, varía entre 2K y 10K, igual en ambos sentidos.

* Valores comerciales
Se adquiere de acuerdo a voltajes (VDS) que puede ser de 25, 30, 40, 50 voltios.
También de acuerdo a la potencia (W) que pueden ser de 0.15, 0.3, 1.8, 30 watts
Para comprar un JFET se debe indicar su código.

B) El transistor de “Efecto de ampo semiconductor de óxido de metal”

(MOSFET o MOS o IGFET)
Aislador
* Constitución Capa de de óxido
aluminio de silicio
G
Contacto de
aluminio S D

n+ n+
Sustrato P
Fig. a

Sustrato

Un mosfet de canal N consiste en un sustrato de tipo P en el que se han definido dos regiones
n+. Estas dos regiones forman el surtidor y el drenador. En este dispositivo no se incorpora canal
alguno. La puerta se forma cubriendo la región entre el drenador y el surtidor con una capa de
dióxido de silicio, encima de la cual se deposita una placa metálica (fig. a)

* Clases
Se muestran a través de sus respectivos símbolos

D D D D

G G G G

S S S S
MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET
Canal N Canal N Canal P Canal P
Tipo vacío Tipo Tipo vacío Tipo
enriquecimiento enriquecimiento

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* Valores comerciales
Potencia (W) = 0.2, 0.25, 0.3, 0.33 watts
Corriente ID (mA) = 50 mA
Se compra indicando su código

* Características
Cabe resaltar que, en el FET, la circulación de corriente del S-D es de un solo tipo de portador
de corriente: e- para el FET canal N y lagunas o huecos para el FET canal P. Por ello, a los FET
se les conoce mayormente como: ”Transistores unipolares”.
El MOSFET de potencia básicamente es una resistencia variable comandada por tensión.
Presenta diversas ventajas, con respecto al transistor bipolar, tales como:
a) Simplificación de la circuitería de control gracias a su elevada impedancia de entrada,
permitiendo su gobierno sin apenas suministro de corriente.
b) La velocidad de conmutación es alrededor de 10 veces más rápida que el TR BJT porque la
energía disipada es pequeña y puede funcionar a 500 KHz sin problemas.
c) Para elevadas magnitudes de tensión, la corriente se mantiene aproximadamente
constante.
Las ventajas del MOSFET, en relación al transistor bipolar son:
a) En aplicaciones de altas intensidades, el MOSFET presenta tensiones de pérdidas
apreciables y requiere mayor superficie de silicio.
b) Otras características que lo aportan de ser interruptor ideal son:
• La máxima ID
• La tensión máxima (VDS)
• Las corrientes de fuga
• La capacidad de entrada (aproximadamente 1500pF)
• La tensión umbral (mínimo voltaje de valor aplicado a la compuerta para que el MOSFET
empiece a conducir) es de 2 voltios.

* Prueba del MOSFET tipo enriquecimiento

Se comprueba con un ohmímetro en la escala (X1K) o mayor a éste. Es decir:
- Entre D y S debe marcar una alta resistencia (mayor a 10M ) en ambos sentidos
- Entre G y D (o surtidor) debe marcar alta resistencia (mayor a 100 M ) en ambos sentidos.

* Prueba del MOSFET tipo vacío

Se comprueba con un ohmímetro en la escala (X1K) o mayor a éste:
- Entre D y S debe marcar resistencia moderada (entre 2K a 10K ) en ambos sentidos.
- Entre G y S, debe marcar resistencia extremadamente alta (mayor a 100M ) en ambos
sentidos.

4. Magnitudes eléctricas de los transistores

4.1 En régimen dinámico con señal alterna

Se entiende por régimen dinámico al estado de funcionamiento de un transistor al aplicarle una señal
alterna entre base y emisor (caso de un transistor montado en un circuito emisor común)

Ic Ic

Ib Ib
Vce Vce

 Vbe  Vbe

Ie

- + + - + - - +

En las figuras aparecen representadas las principales corrientes y tensiones en régimen dinámico de un
transistor PNP y NPN respectivamente, las cuales son las siguientes:
Ic = corriente alterna de colector
Ib = Corriente alterna de base
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Ie = Corriente alterna de emisor

Vce = Tensión alterna colector – emisor
Vbe = Tensión alterna base-emisor

Los símbolos se refieren a valores eficaces de corrientes y tensiones y no están precedidos del signo
alguno por tratarse de tensiones y corrientes alternos (señal alterna)

4.2 En régimen estático (sin señal alterna)

En la figura A y B se representa el esquema de un transistor PNP montado con emisor común en el cual
están representados las principales tensiones y corrientes que aparecen.
Ic -Ic

IB -IB
VCE - Vce
VBE - VBE

Fig. A Fig. B
Transistor NPN IE Transistor PNP
IE

+ - - + - + + -
vBB VCC
- vBB - vCC
Estas tensiones y corrientes son:
- Ic = corriente continua (sin señal)
- IB = corriente continua de base (sin señal)
- IE = corriente continua de emisor (sin señal)
- VCE = Tensión continua colector emisor
- VBE = Tensión continua base emisor
- Vcc = Tensión en bornes de la fuente de alimentación del colector
- VBB = Tensión en bornes de la fuente de polarización de base.

Los símbolos utilizados para designar las tensiones y corrientes de base y colector van precedidos del
signo menos, ya que estos electrodos reciben una tensión negativa con respecto al emisor.
Si en lugar de un transistor PNP, el transistor utilizado fuese un NPN las tensiones y corrientes tomarían
signo contrario Ic, IB, IE, etc.
Las corrientes de base y colector son siempre de sentido opuesto a la corriente del emisor, tanto si es el
transistor un PNP como si es un NPN.

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PRUEBA DE TRANSISTORES

Un transistor bipolar equivale a dos diodos en oposición (tiene dos

uniones), por lo tanto, las medidas deben realizarse sobre cada una de
ellas por separado, pensando que el electrodo base es común a ambas
direcciones.

Se empleará un multímetro analógico y las medidas se efectuarán

colocando el instrumento en las escalas de resistencia y
preferiblemente en las escalas ohm x 1, ohm x 10 ó también ohm x
100. Antes de aplicar las puntas al transistor es conveniente
cerciorarse del tipo de éste, ya que si es NPN se procederá de forma
contraria que si se trata de un PNP. Para el primer caso (NPN) se
situará la punta negra (positivo) del multímetro sobre el terminal de la
base y se aplicará la punta roja sobre las patillas correspondientes al
emisor y colector.
Con esto se habrá aplicado entre la base y el emisor o colector, una
polarización directa, lo que traerá como consecuencia la entrada en
conducción de ambas uniones, moviéndose la aguja del multímetro
hasta indicar un cierto valor de resistencia, generalmente baja (algunos
ohm) y que depende de muchos factores.

A continuación, se invertirá la posición de las puntas del instrumento,

colocando la punta roja (negativa) sobre la base y la punta negra sobre
el emisor y después sobre el colector. De esta manera el transistor
recibirá una tensión inversa sobre sus uniones con lo que circulará por
él una corriente muy débil, traduciéndose en un pequeño o incluso
nulo movimiento de la aguja. Si se tratara de un transistor PNP el
método a seguir es justamente el opuesto al descrito, ya que las
polaridades directas e inversas de las uniones son las contrarias a las
del tipo NPN.

Las comprobaciones anteriores se completan con una medida, situando el multímetro entre los terminales de emisor y colector
en las dos posibles combinaciones que puede existir; la indicación del instrumento será muy similar a la que se obtuvo en el
caso de aplicar polarización inversa (alta resistencia), debido a que al dejar la base sin conexión el transistor estará bloqueado.
Esta comprobación no debe olvidarse, ya que se puede detectar un cortocircuito entre emisor y colector y en muchas ocasiones
no se descubre con las medidas anteriores.

Instructor: Félix Gutiérrez Abanto - 10 -

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TALLER PARA ACTIVAR

LOS PROCESOS DEL PENSAMIENTO
TEMA: EL TRANSISTOR

Desarrollar las siguientes actividades cognitivas y prácticas:

I. “ANÁLISIS – SÍNTESIS”, PARA FORMAR CONCEPTOS Y JUICIOS

1.1 En el texto “El transistor” elija 10 palabras desconocidas y defínalos utilizando el buscador google.
1.2 Luego cada palabra expréselos en mapas conceptuales.
1.3 Extraer ideas principales de cada párrafo o cada tres párrafos. Luego expresarlo en un cuadro sinóptico.
1.4 Hacer un resumen a partir de las ideas principales.

II. “COMPRENSIÓN”, PARA ASEGURAR LA INTERRELACIÓN DE CONCEPTOS Y JUICIOS.

2.1 ¿Qué es un transistor?, dibuje uno y escriba sus partes

2.2 ¿Qué función cumple? escriba 4 ejemplos en donde se aplican
2.3 ¿Por qué el transistor es bipolar? haga un dibujo y explique
2.4 ¿Por qué el transistor es NPN y PNP? haga un dibujo y explique
2.5 ¿Cómo se identifica a un transistor de potencia?
2.6 Escriba el código de 5 transistores bipolares, luego decodifique y explique cada parte.
2.7 Dibuje y explique la polarización base-emisor del transistor para su funcionamiento
2.8 Dibuje y explique la polarización base-colector del transistor para su funcionamiento
2.9 ¿Qué es un transistor de efecto de campo (FET)? dibuje uno, escriba sus partes y diga el significado de
cada uno de sus terminales
2.10 ¿Qué función cumple? escriba 4 ejemplos en donde se aplican
2.11 ¿Cuál es la diferencia entre un transistor bipolar y un mosfet?
2.12 ¿Cuál es la diferencia entre un JFET y un IGFET?
2.13 ¿Qué significa Ic, Ib, Ie, Vbe, Vce, Vcc?
2.14 ¿Cuándo un transistor es positivo y cuando un transistor es negativo?

III. “ABSTRACCIÓN – CONCRECIÓN”, PARA ASEGURAR LA CONSTRUCCIÓN DE RAZONAMIENTOS.

3.1 Escriba la manera de identificar la BASE de un transistor bipolar, después de utilizar el multitester
3.2 Escriba la manera de probar un transistor en buenas condiciones de trabajo
3.3 Escriba la forma de identificar el terminal EMISOR y el terminal COLECTOR del transistor, después de
utilizar el multitester
3.4 Escriba la forma de identificar el SURTIDOR, DRENADOR y GATE del MOSFET
3.5 Escriba la forma de probar el buen estado de un MOSFET, utilice el multiester

Instructor: Félix Gutiérrez Abanto - 11 -