TEMA:

El diodo de juntura PN

CURSO: DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

¿Qué recuerdas la sesión anterior?

https://padlet.com/silvacuevaj/DCE
 Recordando:
Número de portadores de carga

Conductividad:

Para un semiconductor intrínseco: n = p

Entonces:
 Recordando:
Conductividad
Es el movimiento de cargas eléctricas (electrones o iones) de una posición para
otra.
https://www.menti.com/afj2mcniac
Logro de la
sesión

Al término de la sesión, el estudiante comprende la juntura PN

y el funcionamiento del diodo de unión, así como las curvas
características y los tipos mediante ejemplos y ejercicios
prácticos.
¿Por qué es importante estudiar el diodo?

Chat del Zoom

Temario

 La juntuta PN
 El diodo de juntura y la ecuación del diodo
 La curva característica del diodo
 Tipos de diodo
 Ejercicios
Juntura del semiconductor PN
Juntura del semiconductor PN

La juntura PN, se define como la frontera entre una zona o región

semiconductora tipo P y una zona o región tipo N formadas en el mismo cristal
semiconductor.
Los dispositivos de juntura PN pueden ser examinados
considerando:
1. Análisis electrostático (estudio de densidad de carga fija), campo eléctrico y
potencial electrostático
2. Modelamiento del dispositivo de juntura PN en estado estable. Pequeña
señal y respuesta en frecuencia y respuesta transitoria.
 Juntura y perfiles de dopajes idealizados

La juntura PN no es posible formarla simplemente uniendo, por presión ambos

cristales de distinto material.

Pues las irregularidad de las superficies, la capa de oxido

y otras imperfecciones impiden el contacto.

Las junturas PN se forman en un cristal unico en el que se hace variar el

contenido de impurezas (dopaje o contaminacion) a lo largo de una direccion
determinada, dando lugar en un lado, a una seccion tipo P y en el otro lado, una
seccion tipo N.
 Juntura y perfiles de dopajes idealizados

La juntura abrupta se caracteriza por una rápida transición de la región P a la región

N, ambas con un dopaje uniforme.
La juntura gradual se caracteriza por una transición suave.
La región de deplexión consta de dos partes:

Dentro del lado P:

Una región de carga negativa, compuesta por los
átomos aceptores desbalanceados o descubiertos,
los cuales no están neutralizados porque los
huecos se difundieron hacia el lado N de la juntura.
Dentro del lado N:
Una región de carga positiva, compuesta por los
átomos donadores desbalanceados o descubiertos,
los cuales no están neutralizados porque los
electrones se difundieron hacia el lado P de la
juntura.
 Diodo de juntura

En 1919, William Henry Eccles, un físico

inglés, adjudicó el nombre de diodo
proveniente del griego “di” que significa
“dos” y la palabra “oda” que significa
“camino”, aunque algunas fuentes dicen
que “oda” fue tomada de la palabra
electrodo que fue acuñada por Michael
Faraday.
  El Diodo (JUNTURA PN):
El diodo actúa como un interruptor de corriente eléctrica, permitiendo la circulación de
corriente en un único sentido.

Estructura electrónica interna:

➔zona desierta varia el tamaño

en función de la polarización del
diodo.
 El Diodo:
  El Diodo:
➔ Dispositivo electrónico o semiconductor, formado por la unión de dos semiconductores, uno de
tipo P y otro de tipo N.

Zener

Rectificador

Led

Fotodiodo
 Estados de funcionamiento del diodo:

Polarización Directa: cuando el ánodo del diodo se conecta al polo positivo de la fuente de
energía y el cátodo a la parte negativa. En esas circunstancias el diodo deja pasar la corriente y
actúa como un interruptor cerrado

Si está polarizado en directa, la

corriente va de P a N.
 Estados de funcionamiento del diodo:
Polarización Inversa: Cuando el ánodo del diodo se conecta al polo negativo de la
fuente y el cátodo al positivo El diodo no conduce y actúa como un interruptor abierto.

●Si está polarizado en inversa, no

hay corriente entre P y N.

●Hay más tensión en P que en N.

 Juntura PN: El Diodo
Con la polarización directa los portadores (electrones) aumentan su
velocidad generando calor que hará aumentar la temperatura del
semiconductor y simultáneamente aumenta la conducción en el diodo.
 Curva característica del Diodo

Representa el comportamiento en el flujo de electrones (corriente) que ocurre al ser

sometido el diodo a una tensión que polarice al mismo directa o inversamente.
Vu Tensión umbral

Vs Tensión de saturación

Vr Tensión de ruptura

Zona de baja polarización directa,

OA
pequeña corriente
AB Zona de conducción

OC Corriente inversa de saturación.

A partir de C, zona de avalancha

 Curva característica del Diodo

●Cuando el diodo está polarizado en directa, no hay una corriente significativa hasta que la
tensión en el diodo sea superior a la barrera de potencial.
●Cuando el diodo está polarizado en inversa, casi no hay corriente inversa hasta que la tensión
del diodo alcanza la tensión de ruptura. En ese momento se produce una avalancha de
electrones inversa que destruye al diodo.
 Curva característica del Diodo

● La Tensión umbral:
-Es la tensión a partir de la cual la corriente empieza a incrementarse
rápidamente, se localiza en la zona de polarización directa.
- Normalmente en el análisis de circuitos con diodos se dirige a determinar si
la tensión del diodo es mayor o menor que la tensión umbral.
- Si es mayor, el diodo conduce fácilmente, si es menor, lo
hace con débilidad.
 Ecuación del Diodo

Para un diodo semiconductor se define la ecuación (ecuación de Shockley):

Ecuación del Diodo
Ecuación del Diodo
 Características

Corriente de pico:
Es la máxima corriente que puede soportar el diodo en directa sin
quemarse.

Dicha información es proporcionada por el fabricante en las hojas de

características del dispositivo (datasheets) y nos da distintos valores dependiendo
del tipo de corriente que circule por el diodo (no será lo mismo si la corriente es
continua, alterna o si son picos de sobrecorriente).
 Características
Tensión de ruptura:
Cuando se aplica una tensión inversa, entonces a través del diodo
circulará la corriente inversa de saturación (IS) y en la zona de carga
aparece una tensión igual a la tensión inversa aplicada.
Sin embargo, esta tensión no puede aumentarse todo lo que se desee ya
que existe un valor de tensión (tensión de ruptura) a partir del cual el
diodo comienza a conducir intensamente.
Para pequeños aumentos de tensión inversa se tienen grandes
incrementos de corriente. Si no conseguimos evacuar toda la potencia
calorífica generada por efecto Joule, el diodo se rompe.
 Características
Ruptura del diodo

La ruptura se puede deber a dos efectos: Efecto avalancha y Efecto zener.

Efecto avalancha: Al mismo tiempo que la tensión a través del diodo se

incrementa en la región de polarización inversa, la velocidad de los portadores minoritarios
también se incrementa.

A la larga, sus velocidades y sus energías cinéticas serán suficientes para liberar portadores
adicionales mediante colisiones con estructuras atómicas de otro modo estables. Entonces
resultará un proceso de ionización por medio del que los e- de valencia absorberán energía
suficiente para abandonar el átomo padre.
 Características

Ruptura del diodo

Estos portadores adicionales pueden ayudar así al procesos de ionización, hasta

el punto en que se establezca una elevada corriente de avalancha y se determina
la región de “ruptura de avalancha”.

¿En que consiste el efecto Zener?

Ejercicios:
 Conclusiones

► El Diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente cuando es

polarizado directamente.

► Existen muchos tipos de diodos y todos funcionan básicamente bajo

el mismo principio.
Gracias