TEMA:

El diodo de juntura PN, Ecuación del diodo,

Curvas característica del diodo

CURSO: DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

Junción PN

EL DIODO
Logro de la sesión:

Al final de la sesión, el estudiante entenderá e identificará:

 El diodo de juntura y la ecuación del diodo

 Curvas características del diodo

Recordando:
Conductividad

Es el movimiento de cargas eléctricas (electrones o iones)

de una posición para otra
Recordando:
Semiconductores Intrínsecos y Extrinsecos
Semiconductores puros: silicio y germanio
– Materiales del grupo IVA
Semiconductores impuros
Los sitios de imperfecciones bajan la energía de activación
para producir electrones móviles

Silicio dopado
𝜎: aumenta con el dopaje
Recordando:
Número de portadores de carga

Conductividad:

Para un semiconductor intrínseco: n = p

Entonces:
Recordando:

La juntura PN, se define como la frontera entre una zona

o región semiconductora tipo p y una zona o región tipo N
formadas en el mismo cristal semiconductor.

La juntura PN no es posible formarla simplemente

uniendo, por presión ambos cristales de distinto material.

En la región cercana a la superficie (NA>ND), es tipo P.

En lo profundo del semiconductor (ND>NA), es tipo N.
Recordando:
Juntura y perfiles de dopajes idealizados
la juntura abrupta se caracteriza por una rápida transición de
la región P a la región N, ambas con un dopaje uniforme.
La juntura gradual se caracteriza por una transición suave.
Recordando:
Recordando:
La región de deplexión consta de dos partes:
Dentro del lado P:
Una región de carga negativa, compuesta por los átomos
aceptores desbalanceados o descubiertos, los cuales no
están neutralizados porque los huecos se difundieron hacia
el lado N de la juntura.
Dentro del lado N:
Una región de carga positiva, compuesta por los átomos
donadores desbalanceados o descubiertos, los cuales no
están neutralizados porque los electrones se difundieron
hacia el lado P de la juntura.
TEMAS:

• El diodo de juntura

• Ecuación del diodo

• Curvas características del diodo

En 1919, William Henry Eccles, un físico inglés, adjudicó
el nombre de diodo proveniente del griego “di” que
significa “dos” y la palabra “oda” que significa “camino”,
aunque algunas fuentes dicen que “oda” fue tomada de
la palabra electrodo que fue acuñada por Michael
Faraday.
 El Diodo:
 El Diodo:
Portadores de carga A medida que aumenta la temperatura, las impurezas aceptoras,
capturan un electrón de la BV convirtiéndose en iones y dejando
huecos, dejando la posibilidad de moverse en la banda de valencia.

A 0 °K
Portadores minoritarios

Portadores mayoritarios
La juntura PN
Difusión de electrones y huecos debido a la
unión

La zona de carga espacial no permite la

movilidad de cargas móviles, solo quedan los
iones + y -. Hay ausencia de cargas móviles.
Juntura PN en circuito abierto
Debido a esa inamovilidad de los iones, aparece un campo eléctrico apareciendo
el potencial de contacto(en la unión), como un capacitor.
El número de iones o la concentración
va depender del dopaje en n o p y de
la temperatura que se encuentre el
material.
Estructura de la juntura PN
Las bandas de conducción y de valencia se curvan en la región de carga espacial
formando una barrera debido al campo eléctrico(diferencia de potencial)
Polarización directa de la juntura
Algunos electrones y los huecos podrán pasar a las bandas
opuestas, dependerá de cuanto es la tensión aplicada (VF).
Polarización inversa de la juntura
Los portadores mayoritarios del lado P y N están impedidos de
pasar debido al ensanchamiento de la región y al aumento de la
barrera de potencial.
Pero, existen portadores minoritarios que pueden
desplazarse apareciendo una corriente en sentido
inverso.
¿Qué sucede al aplicar una tensión entre los
terminales de la juntura PN?
 Curva característica del Diodo
Representa el comportamiento en el flujo de electrones (corriente)
que ocurre al ser sometido el diodo a una tensión que polarice al
mismo directa o inversamente.
Vu Tensión umbral

Vs Tensión de saturación

Vr Tensión de ruptura

Zona de baja polarización directa,

OA
pequeña corriente
AB Zona de conducción

OC Corriente inversa de saturación.

A partir de C, zona de avalancha

Curva característica del Diodo

●Cuando el diodo está polarizado en directa, no hay una corriente

significativa hasta que la tensión en el diodo sea superior a la barrera
de potencial.
●Cuando el diodo está polarizado en inversa, casi no hay corriente
inversa hasta que la tensión del diodo alcanza la tensión de ruptura.
En ese momento se produce una avalancha de electrones inversa que
destruye al diodo.
Curva característica del Diodo

● La Tensión umbral:
-Es la tensión a partir de la cual la corriente empieza a
incrementarse rápidamente, se localiza en la zona de
polarización directa.
- Normalmente en el análisis de circuitos con diodos se
dirige a determinar si la tensión del diodo es mayor o
menor que la tensión umbral.
- Si es mayor, el diodo conduce fácilmente, si es menor, lo
hace con débilidad.
 Ecuación del Diodo
Para un diodo semiconductor se define la ecuación (ecuación de
Shockley):
Ecuación del Diodo
Ecuación del Diodo
 Características

Corriente de pico:
Es la máxima corriente que puede soportar el diodo en
directa sin quemarse.

Dicha información es proporcionada por el fabricante en las

hojas de características del dispositivo (datasheets) y nos da
distintos valores dependiendo del tipo de corriente que
circule por el diodo (no será lo mismo si la corriente es
continua, alterna o si son picos de sobrecorriente).
 Características

Tensión de ruptura:
Cuando se aplica una tensión inversa, entonces a través
del diodo circulará la corriente inversa de saturación (IS)
y en la zona de carga aparece una tensión igual a la
tensión inversa aplicada.
Sin embargo, esta tensión no puede aumentarse todo lo
que se desee ya que existe un valor de tensión (tensión
de ruptura) a partir del cual el diodo comienza a conducir
intensamente.
Para pequeños aumentos de tensión inversa se tienen
grandes incrementos de corriente. Si no conseguimos
evacuar toda la potencia calorífica generada por efecto
Joule, el diodo se rompe.
 Características
Ruptura del diodo
La ruptura se puede deber a dos efectos: Efecto
avalancha y Efecto zener.
Efecto avalancha: Al mismo tiempo que la tensión a
través del diodo se incrementa en la región de
polarización inversa, la velocidad de los portadores
minoritarios (responsables de IS) también se incrementa.
A la larga, sus velocidades y sus energías cinéticas serán
suficientes para liberar portadores adicionales mediante
colisiones con estructuras atómicas de otro modo
estables. Entonces resultará un proceso de ionización por
medio del que los e- de valencia absorberán energía
suficiente para abandonar el átomo padre.
 Características

Ruptura del diodo

Estos portadores adicionales pueden así ayudar al
proceso de ionización, hasta el punto en que se
establezca una elevada corriente de avalancha y se
determina la región de “ruptura de avalancha”.
Ejercicios:
 Conclusiones

► El Diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente

cuando es polarizado directamente.

► Existen muchos tipos de diodos y todos funcionan

básicamente bajo el mismo principio.
Gracias