Electrónica de

Potencia

ELECTRÓNICA DE POTENCIA

Laboratorio N° 2

“DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE
POTENCIA”

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DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE
POTENCIA

Objetivos
1. Observar el comportamiento de dispositivos semiconductores de potencia
trabajando como interruptores.
2. Realizar modelos matemáticos de su comportamiento en base a mediciones
realizada en el laboratorio.
3. Medir y calcular potencias consumidas en los semiconductores cuando se
comportan como interruptores.

Introducción Teórica
Los circuitos electrónicos de potencia convierten la energía eléctrica de un tipo
en otro utilizando dispositivos electrónicos. Estos circuitos funcionan utilizando
dispositivos semiconductores como interruptores, para controlar la tensión o la
corriente.
Por tanto, los dispositivos semiconductores se modelan como interruptores ideales:

Dos estados:
Conducción: Los interruptores se modelan como
cortocircuitos. Corte: Los interruptores se modelan
como circuitos abiertos.

Las transiciones entre estos dos estados son

instantáneas. Pérdidas de conmutación nulas.

Diodos de potencia
El diodo es el interruptor electrónico más simple. No se puede controlar,
son las tensiones e intensidades del circuito los que determinan los
estados de conducción y corte.

Características dinámicas del diodo

Una característica dinámica importante de un diodo no ideal es la corriente de
recuperación inversa. Cuando un diodo pasa de conducción a corte, la corriente
en él disminuye, y momentáneamente se hace negativa.
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trr = Tiempo de recuperación inversa

Formas de onda de conmutación de un diodo real:

 Tensión directa VON: Caída de la tensión del diodo en régimen permanente.

 Tensión de recuperación directa VFP: Máxima tensión durante la conmutación
a ON.
 Tiempo de subida tr≈ t1 : Tiempo necesario para que la corriente pase del 10% al 90%
de su valor nominal directo (depende del circuito externo V=LdI/dt dI/dt=V/L).
 Tiempo de recuperación inversa trr: Tiempo durante el proceso de corte en el
cual la intensidad alcanza su valor máximo (negativo) y retorna al 25% de
dicho valor. Es el mayor de los tiempos de conmutación y responsable de las
perdidas.
 Carga almacenada durante trr (Qrr):

 Vrr: Tensión inversa máxima depende de la L en serie con el diodo V=LdIr/dt

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORS (IGBT)

El IGBT es una conexión integrada de un MOSFET y un BJT. El circuito de

excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características
de conducción son como las del BJT.

Como los MOSFET el IGBT tiene una alta impedancia de entrada en la puerta
(gate) y necesita muy poca energía para conmutarlo. Como los BJT tiene una
caída de voltaje muy pequeña en conducción (alta capacidad de manejar
corriente).
Los IGBTs tienen tiempos de turn-on y turn-off del orden de 1_s y están
disponibles para 1700V y 1200A.
El IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 20 Khz y han
sustituido al BJT en muchas aplicaciones.

Perdidas de potencia de los conmutadores controlados

Cuando el interruptor está en ON toda la intensidad IO pasa a través del interruptor y

el diodo se encuentra en corte Cuando el interruptor está en OFF toda la intensidad
IO pasa a través del diodo que se encuentra en conducción.
Las formas de onda de conmutación representadas son las aproximaciones
lineales. Como se puede ver en la gráfica la energía disipada en la transición OFF-

ON es:
La energía disipada cuando el interruptor está en ON es:

La energía disipada en la transición ON-OFF es:

La potencia media disipada en las transiciones:

La potencia media disipada en ON:

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Preparación
Para el desarrollo de esta experiencia el alumno debe tener claro los conceptos
dados en la clase teórica, revisar sus apuntes y afianzar sus conocimientos con
el texto base y la bibliografía del curso

Equipos y Materiales
01 Osciloscopio
01 Generador de
señales 01 Fuente de
voltaje DC 01
Multímetro Digital
01 PC con software de simulación

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Procedimiento

PARTE 1:
I. Realice la implementación del siguiente circuito mostrado y tome las mediciones
siguientes: Onda cuadrada de +10/-10V frecuencia 120Hz (Si no se observa el
tiempo de recuperación aumente la frecuencia hasta poder observarlo – R2 >600

Ohms)
Usando un solo canal del osciloscopio lo colocamos entre los terminales de R2 en la
que observaremos una señal de voltaje que posee la misma forma que la señal de
corriente y cuyo valores los leeremos en forma indirecta ( I=V/R). En la gráfica vista
en el osciloscopio identifique los parámetros y mídalos.

:…………………….

:……………………. :…………………….

:…………………….

:…………………….

:…………………….

:…………………….

Ahora colocamos el Terminal del osciloscopio en los terminales del diodo

y medimos: :…………………….

:…………………….

:…………………….

:…………………….

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Cuestionario:
1.1 Explique usted la importancia de Qrr en el funcionamiento del diodo y que sucede
si el diodo es usado con un carga inductiva.
1.2 Realice el cálculo del apotencia disipada por el diodo en un ciclo de la señal.

PARTE 2:

I. Realice la implementación del siguiente circuito mostrado y tome las mediciones de

amplitud y tiempo

Para la implementación use un transistor IGBT la resistencia RX1 Debe de ser

>20Kohms y RX2 aproximadamente de 1Kohm.

Conecte los canales del osciloscopio como se muestran en el circuito; y tome las
siguientes mediciones frecuencia 20KHz:

Amplitud Vce =…………………….

tr (al 10%)= …………………………

ts(entre el 10% y el 90%) = ………………………..

tc(entre el 10% y el 90%) = ………………………..

Tiempo de conducción = ..…………………

Conecte el osciloscopio de la manera siguiente y realice las mediciones solicitadas:

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Corriente de conducción = ……………………………………..

Finalmente conecte los terminales del osciloscopio de la manera como se muestra

en la figura y usando la función del osciloscopio Ch1 X Ch2 obtenga la grafica del la
potencia. Mida amplitudes y tiempos.

Cuestionario:
3.1 ¿Es posible calcular la potencia desarrollada por el transistor en un ciclo de la
señal de onda cuadrada?. Describa el procedimiento.

3.2 ¿La grafica de la potencia vista en el osciloscopio nos da el valor real consumida
en el transistor?
¿Qué relación encuentra entre los cálculos realizados y los criterios de seguridad?

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Informe
Modelo de
Informe

Complete la Hoja Informe de Laboratorio que se adjunta en los anexos en base a

la pregunta propuestas para cada experiencia.

Aplicación de lo aprendido
Realice todo el procedimiento del análisis de potencia de un transistor, para un
transistor Mosfet de potencia y un transistor bipolar de la librería de componentes de
Multisim, en base a sus resultados y graficas sustente cuál de los dos disipa menor
energía al ser usado como interruptor. Considere una frecuencia de trabajo de
20KHz para ambos. Incluya las hojas de datos de los dispositivos que utilice.

NOTA IMPORTANTE:

En el desarrollo de los cuestionarios de cada Unidad Didáctica se deberá de usar el

siguiente formato: Ejemplo

Parte 1:
Actividad: 1.2 Pregunta….
Respuesta

(DESARROLLO DEL CUESTIONARIO)

SI NO SE SIGUE ESTE FORMATO LA RESPUESTA AL CUESTIONARIO NO SE

CALIFICARA. !!

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