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UMW
R

UMW BC817
Transistores encapsulados en plástico SOT­23

TRANSISTOR (NPN)

1. BASE

2. EMISOR
Para aplicaciones generales de AF
3. COLECCIONISTA
Alta corriente de colector
Alta ganancia de corriente

Bajo voltaje de saturación colector­emisor

Tipos complementarios: BC807 (PNP)

un

Voltaje de la base del colector 50 EN

Tensión colector­emisor 45 EN

Voltaje base­emisor 5 EN

Corriente de Colector ­ Continua 0.5 A

Disipación de energía del colector 0.3 En

Temperatura de la Unión 150

Temperatura de almacenamiento ­55­150

un
en Escribe hacha Unidad

VCBO IC= 10μA, IE=0 50 EN

VCEO IC= 10mA, IB=0 45 EN

VEBO IE= 1μA, IC=0 5 EN

OCCI BCV= 45V , ES = 0 0.1 µA

voy a VEB= 4V, IC=0 0.1 µA

hFE(1) VCE= 1V, CI= 100mA 100 600

hFE(2) VCE= 1V, CI= 500mA 40

VCE (sábado) IC= 500mA, IB= 50mA 0.7 EN

VBE (hora) IC= 500mA, IB= 50mA 1.2 EN

VBE VCE= 1 V, IC= 500mA 1.2 EN

10
Mazorca VCB=10V f=1MHz pF

VCE= 5 V, IC= 10mA

pie 100 megahercio
f=100MHz

HFE

www.umw­ic.com 1 Youtai Semiconductor Co., Ltd.

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Características típicas BC817

Característica estática HFE ——
yo

C
280 500
1mA
COMÚN
Él

0,9 mA EMISOR ella = 100

C
240 400
A = 25
0.8mA

200 0,7 mA
300
Él
0,6 mA CORRIENTE
GANANCIA
hFE
CC
DE

ella = 25
C
160
CORRIENTE
COLECTOR
(mA)
IC

0,5 mA
120 200
0,4 mA

0,3 mA
80

0,2 mA
40
VCE= 1V
YO B=0.1mA
0 100
0 2 4 6 8 10 12 14 dieciséis 1 10 100 500
COLECTOR CORRIENTE IC (mA)
TENSION COLECTOR­EMISOR VCE (V)

VBEsat ——
yo
VCEsat —— IC
C
1.2 0.4

β=10 β=10

1.0
0.3

TENSIÓN
VCEsat
(V)

TENSIÓN
VBEsat
(V)
0.8
Ta = 25
0.2
SATURACIÓN
EMISOR
BASE
DEL
SATURACION
COLECTOR­
EMISOR

0.6

Ta = 100
0.1 Ta = 100
0.4

Ta = 25

0.2 0.0
0.1 1 10 100 500 0.1 1 10 100 500

COLECTOR CORRIENTE IC (mA) COLECTOR CORRIENTE IC (mA)

—— VBE BCV / VEB

yo

C Mazorca / Cib ——
500 100
f=1MHz
I E=0 / IC=0
50 Él
100
ella = 25
C

Cib

Él
C
CAPACITANCIA
(pF)
C

10 ella = 100
10
CORRIENTE
COLECTOR
(mA)
IC

Ta = 25

1
Mazorca

VCE=1V
0,1 1
0,3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 0 510
TENSIÓN BASE­EMISOR VBE(V) TENSIÓN INVERSA V (V)

F ——
T yo

Pc —— Ta
C
300 0.4

(W)
PC

0.3

100

0.2
COLECTOR
DISIPACIÓN
POTENCIA
DEL
DE

FRECUENCIA
TRANSICIÓN
(MHz)
DE
fT

0.1

VCE=5V
Él

ella = 25
C
10 0.0
1 10 60 0 25 50 75 100 125 150

TEMPERATURA AMBIENTE De ( )
COLECTOR CORRIENTE IC (mA)

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