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2N3904 / MMBT3904 / PZT3904

2N3904 MMBT3904

E
C TO-92
B SOT-23 B
E
Marca: 1A

PZT3904

E
C
B
SOT-223

Amplificador NPN de propósito general

Este dispositivo está diseñado a modo de amplificador y enchufe de propósito general.
El margen dinámico útil se extiende a 100 mA en el caso del enchufe y a 100 MHz en
el caso del amplificador. Fuente obtenida de Process 23.

Especificaciones máximas absolutas* TA = 25°C si no hay contraindicación

Símbolo Parámetro Valor Unidades

VCEO Tensión colector-emisor 40 V
VCBO Tensión colector-base 60 V
VEBO Tensión emisor-base 6,0 V
IC Corriente del colector - c ontínua 200 mA
TJ, Tstg Margen de temperaturas de la conexión de almacenamiento y funcionamiento -55 to +150 °C

*Estos valores son limitados y sobrepasarlos puede afectar a la capacidad de servicio de cualquier dispositivo semiconductor.
NOTAS:
1) Estos valores límite se basan en una temperatura máxima de conexión de 150 grados centígrados.
2) Estos límites son de régimen permanente. Se debería consultar a la fábrica acerca de las aplicaciones que implican funcionamientos pulsados o ciclos de
utilización reducidos.

 1997 Fairchild Semiconductor Corporation

 2N3904 / MMBT3904 / PZT3904

Amplificador NPN de propósito general

(continuación)

Características eléctricas TA = 25°C si no hay contraindicación

Símbolo Parámetro Condiciones de prueba Mín. Máx. Unidades

CARACTERÍSTICAS DE DESCONEXIÓN
V(BR)CEO Tensión de ruptura colector-emisor IC = 1,0 mA, IB = 0 40 V
V(BR)CBO Tensión de ruptura colector-base IC = 10 µA, IE = 0 60 V
V(BR)EBO Tensión de ruptura emisor-base IE = 10 µA, IC = 0 6,0 V
IBL Corriente de corte de la base VCE = 30 V, VEB = 0 50 nA
ICEX Corriente de corte del colector VCE = 30 V, VEB = 0 50 nA

CARACTERÍSTICAS DE CONEXIÓN*
hFE Ganancia de corriente contínua IC = 0,1 mA, VCE = 1,0 V 40
IC = 1,0 mA, VCE = 1,0 V 70
IC = 10 mA, VCE = 1,0 V 100 300
IC = 50 mA, VCE = 1,0 V 60
IC = 100 mA, VCE = 1,0 V 30
VCE(sat) Tensión de saturación colector-emisor IC = 10 mA, IB = 1,0 mA 0.2 V
IC = 50 mA, IB = 5,0 mA 0.3 V
VBE(sat) Tensión de saturación base-emisor IC = 10 mA, IB = 1,0 mA 0,65 0,85 V
IC = 50 mA, IB = 5,0 mA 0,95 V

CARACTERÍSTICAS DE PEQUEÑA SEÑAL

fT Producto de corriente -- ganancia -- IC = 10 mA, VCE = 20 V, 300 MHz
ancho de banda f = 100 MHz
Cobo Capacitancia de salida VCB = 5,0 V, IE = 0, 4,0 pF
f = 1,0 MHz
Cibo Capacitancia de entrada VEB = 0,5 V, IC = 0, 8,0 pF
f = 1,0 MHz
NF Figura de ruido (excepto MMPQ3904) IC = 100 µA, VCE = 5,0 V, 5,0 dB
RS =1,0kΩ, f=10 Hz to 15,7 kHz

CARACTERÍSTICAS DE CONMUTACIÓN (excepto MMPQ3904)

td Tiempo de retardo VCC = 3,0 V, VBE = 0,5 V, 35 ns
tr Tiempo de subida IC = 10 mA, IB1 = 1,0 mA 35 ns
ts Tiempo de almacenamiento VCC = 3,0 V, IC = 10mA 200 ns
tf Tiempo de caída IB1 = IB2 = 1,0 mA 50 ns

*Pureba de impulso: anchura entre impulsos ≤ 300 µs, ciclo de trabajo ≤ 2,0%

Modelo Spice
NPN (Is=6,734f Xti=3 Eg=1,11 Vaf=74,03 Bf=416,4 Ne=1,259 Ise=6,734 Ikf=66,78m Xtb=1,5 Br=0,7371 Nc=2
Isc=0 Ikr=0 Rc=1 Cjc=3,638p Mjc=0,3085 Vjc=0,75 Fc=0,5 Cje=4,493p Mje=0,2593 Vje=0,75 Tr=239,5n Tf=301,2p
Itf=0,4 Vtf=4 Xtf=2 Rb=10)
 2N3904 / MMBT3904 / PZT3904

Amplificador NPN de propósito general

(continuación)

Características térmicas TA = 25°C si no hay contraindicación

Símbolo Característica Máx. Unidades

2N3904 *PZT3904
PD Disipación total del dispositivo 625 1000 mW
Degradación por encima de 25°C 5,0 8,0 mW /°C
RθJC Resistencia térmica, conexión a caja 83,3 °C/W
RθJA Resistencia térmica, conexión a ambiente 200 125 °C/W

Símbolo Característica Máx. Unidades

**MMBT3904 MMPQ3904
PD Disipación total del dispositivo 350 1000 mW
Degradación por encima de 25°C 2,8 8,0 mW /°C
RθJA Resistencia térmica, conexión a ambiente 357 °C/W
4 microplaquetas efectivas 125 °C/W
Cada microplaqueta 240 °C/W

*Dispositivo montado sobre FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1,5 mm; almohadilla de montaje para el conductor del colector con un mínimo de 6 cm2.

**Dispositivo montado sobre FR-4 PCB 1,6" X 1,6" X 0,06."

Características típicas
- GANANCIA TÍPICA DE CORRIENTE PULSADA

Ganancia típica de corriente pulsada Tensión de saturación colector-emisor

VCESAT- T ENSIÓN COLECTOR-EMISOR (V)

frente a corriente del colector frente a corriente del colector

500
V CE = 5V 0,15 β = 10
400
125 °C 125 °C
300 0,1
25 °C
200 25 °C

0,05
100 - 40º C
- 40 °C
0
0,1 1 10 100 0,1 1 10 100
FE

I C - CORRIENTE DEL COLECTOR (mA) I C - CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)

h

- TENSIÓN DE CONEXIÓN BASE-EMISOR (V)

Tensión de saturación base-emisor Tensión de conexión base-emisor

frente a corriente del colector frente a corriente del colector
VBESAT- TENSIÓN BASE-EMISOR (V)

1
1 β = 10 VCE = 5V

0,8 - 40 °C
0.8 - 40 °C 25 °C

25 °C 0,6
0.6 125 °C

125 °C 0,4

0.4
V BE(ON)

0,2
0.1 1 10 100 0,1 1 10 100
IC - CORRIENTE DEL COLECTOR (mA) I C - CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)
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Amplificador NPN de propósito general

(continuación)

Características típicas (continuación)

Corriente de corte del colector Capacitancia frente a

ICBO- CORRIENTE DEL COLECTOR (nA)

frente a temperatura ambiente tensión de polarización inversa

500 10
f = 1.0 MHz
100 VCB = 30V

CAPACITANCIA (pF)
5
10 4
C ibo
3
1
2
0,1 C obo

1
25 50 75 100 125 150 0,1 1 10 100
TA - TEMPERATURA AMBIENTE (° C) TENSIÓN DE POLARIZACIÓN INVERSA (V)

Figura de ruido frente a frecuencia Figura de ruido frente a resistencia de fuente

12 12
NF - FIGURA DE RUIDO (dB)

NF - FIGURA DE RUIDO (dB)

I C = 1.0 mA V CE = 5.0V I C = 1.0 mA

R S = 200Ω
10 10
I C = 50 µA I C = 5.0 mA
8 R S = 1.0 kΩ 8 I C = 50 µA
I C = 0.5 mA
6 R S = 200Ω 6

4 4 I C = 100 µA

2 2
I C = 100 µA, R S = 500 Ω

0 0
0,1 1 10 100 0,1 1 10 100
f - FRECUENCIA (kHz) R S - RESISTENCIA DE FUENTE (kΩ )

Disipación de potencia frente a

- GANANCIA DE CORRIENTE (dB)

Ganancia de corriente y ángulo de fase

frente a frecuencia temperatura ambiente
PD - DISIPACIÓN DE POTENCIA (W)

1
50 0
45 h fe 20
SOT-223
40 40 0,75
θ - GRADOS

35 60 TO-92
30 80
25 θ 100 0,5
20 120 SOT-23
15 140
10 V CE = 40V 160 0,25
fe

5 I C = 10 mA 180
h

0
1 10 100 1000 0
f - FRECUENCIA (MHz) 0 25 50 75 100 125 150
TEMPERATURA (o C)
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Amplificador NPN de propósito general

(continuación)

Características típicas (continuación)

Tiempo de conexión frente a corriente del colector Tiempo de subida frente a corriente del colector

t r - TIEMPO DE SUBIDA (ns)

500 500
Ic Ic
I B1 = I B2 = VCC = 40V I B1 = I B2 =
10 10
40V
TIEMPO (nS)

100 15V 100

T J = 25°C
t r @ V CC = 3.0V
T J = 125°C

2,0V

10 10
t d @ VCB = 0V
5 5
1 10 100 1 10 100
I C - CORRIENTE DEL COLECTOR (mA) I C - CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)
t S - TIEMPO DE ALMACENAMIENTO (ns)

Tiempo de almacenamiento frente a Tiempo de caída frente a

corriente del colector corriente del colector
500 500
Ic Ic
t f - TIEMPO DE CAÍDA (ns)

I B1 = I B2 = I B1 = I B2 =
10 10
T J = 25°C
T J = 125°C VCC = 40V

100 100
T J = 125°C
T J = 25°C

10 10

5 5
1 10 100 1 10 100
I C - CORRIENTE DEL COLECTOR (mA) I C - CORRIENTE DEL COLECTOR (mA)
 2N3904 / MMBT3904 / PZT3904

Amplificador NPN de propósito general

(continuación)

Circuitos de prueba
3,0 V

300 ns 275 Ω
10,6 V

Ciclo de funcionamiento = 2%
Ω
10 KΩ
0
- 0,5 V C1 < 4,0 pF

< 1,0 ns

FIGURA 1: Circuito de prueba del equivalente al tiempo de subida y de retardo.

3,0 V

10 < t1 < 500 µs t1

10,9 V 275 Ω

Ciclo de funcionamiento = 2%

0 Ω
10 KΩ

C1 < 4,0 pF

- 9,1 V 1N916

< 1,0 ns

FIGURA 2: Circuito de prueba del equivalente al tiempo de almacenamiento y de caída.

MARCAS COMERCIALES
A continuación, se proporciona un listado de marcas registradas y no registradas que posee o está autorizado a
utilizar Fairchild Semiconductor. No obstante, no aparecen indicadas todas las marcas comerciales.

ACEx™ ISOPLANAR™
CoolFET™ MICROWIRE™
CROSSVOLT™ POP™
E2CMOSTM PowerTrench™
FACT™ QS™
FACT Quiet Series™ Quiet Series™
FAST® SuperSOT™-3
FASTr™ SuperSOT™-6
GTO™ SuperSOT™-8
HiSeC™ TinyLogic™

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1. Los sistemas o dispositivos de mantenimiento de vida 2. Un componente crítico es cualquier componente de
son aquellos: (a) cuyo propósito es el implante quirúrgico un dispositivo o sistema de mantenimiento de vida cuyo
en el cuerpo, (b) el mantenimiento de la vida, o (c) cuyo mal funcionamiento puede provocar la avería del sistema o
fallo de funcionamiento, siendo utilizados siguiendo del dispositivo de mantenimiento de vida, o afectar a la
adecuadamente las instrucciones del etiquetado, puede segurida o efectividad del mismo.
causar un daño considerable al usuario.

DEFINICIONES DEL ESTADO DEL PRODUCTO

Definiciones de los términos

Identificación de la hoja de datos Estado del producto Definición

Información avanzada En fase formativa Esta hoja de datos contiene las especificaciones de diseño
o de diseño para el desarrollo del producto. Las especificaciones pueden
estar sujetas a variaciones sin previo aviso.

Preliminar Primera fabricación Esta hoja de datos contiene datos preliminares. Los datos
complementarios se publicarán más adelante. Fairchild
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en cualquier momento, sin previo aviso, con el objetivo de
mejorar el diseño.

No se necesita identificación Fabricación plena Esta hoja de datos contiene especificaciones finales. Fairchild
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Obsoleto No se fabrica Esta hoja de datos contiene especificaciones sobre un

producto que Fairchild semiconductor ha dejado de fabricar.
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