Semiconductor INCHANGE Especificación de producto isc

Transistor de potencia isc Silicon NPN 2N2222

DESCRIPCIÓN
· Colector actual- I C = 0.8A
· Voltaje de ruptura colector-emisor
: V ( BR) CEO = 30 V (mínimo)

· Complemento del tipo 2N2907

APLICACIONES
· Diseñado para conmutación de propósito general y amplificación

lineal.

CLASIFICACIONES MÁXIMAS ABSOLUTAS (T a = 25 ℃)

SÍMBOLO PARÁMETRO VALOR UNIDAD

V CBO Voltaje colector-base 60 V

V CEO Voltaje colector-emisor 30 V

V EBO Voltaje emisor-base 5 V

yo C Colector de corriente continua 0,8 UNA

yo BM Pico de corriente base 0,2 UNA

PAG C Disipación de energía del colector @ T C = 25 ℃ 0,5 W

TJ Temperatura de la Unión 150 ℃

T stg Temperatura de almacenamiento - 65 ~ 150 ℃

CARACTERISTICAS TERMICAS

SÍMBOLO PARÁMETRO MAX UNIDAD

R th ja Resistencia térmica, unión al ambiente 350 K/W

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Semiconductor INCHANGE Especificación de producto isc

Transistor de potencia isc Silicon NPN 2N2222

CARACTERÍSTICAS ELECTRICAS
T C = 25 ℃ a menos que se especifique lo contrario SÍMBOLO

PARÁMETRO CONDICIONES MIN MAX UNIDAD

V ( BR) CEO Voltaje de ruptura colector-emisor yo C = 10 mA; yo B = 0 30 V

V ( BR) EBO Voltaje de ruptura de la base del emisor yo E = 10 μ UNA ; yo C = 0 5 V

V CE (sat) -1 Voltaje de saturación colector-emisor yo C = 150mA; yo B = 15mA I C = 500mA; 0.4 V

V CE (sábado) -2 Voltaje de saturación colector-emisor yo B = 50mA I C = 150mA; yo B = 15mA 1,6 V

V BE (sábado) -1 Voltaje de saturación del emisor base I C = 500mA; yo B = 50 mA V CB = 50V; 1.3 V

V BE (sábado) -2 Voltaje de saturación del emisor base yo E = 0 2.6 V

yo CBO Corriente de corte del colector 1,5 uA

yo EBO Corriente de corte del emisor V EB = 5V; yo C = 0 50 n/A

h FE-1 DC ganancia de corriente yo C = 0,1 mA; V CE = 10V I C = 1mA; V CE = 10V I C = 10 35

h FE-2 DC ganancia de corriente mA; V CE = 10V I C = 150mA; V CE = 10V I C = 500mA; 50

h FE-3 DC ganancia de corriente V CE = 10V I C = 20mA; V CE = 20V; f prueba = 100 MHz 75

h FE-4 DC ganancia de corriente I E = 0; V CB = 10V; F prueba = 1.0 MHz 100 300

h FE-5 DC ganancia de corriente 30

FT Producto actual de ganancia de ancho de banda 250 megahercio

C transmisión exterior Capacitancia de salida 8 pF

Tiempos de cambio

t re Tiempo de retardo 10 ns

tr Hora de levantarse 25 ns
yo C = 150mA; yo B1 = - yo B2 = 15 mA

t stg Tiempo de almacenamiento 200 ns

tF Otoño 60 ns

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