Universidad Latina de Panamá

Facultad de ingeniería
Licenciatura en ingeniería biomédica e instrumentación

Integrantes:
Jade Ibáñez 8-991-2019
Emmy Carrillo 8-987-62

Asignatura:
Electrónica I

Profesor:
Alfredo Lescher

Laboratorio nº5
Parámetros de BJT en pequeña señal

Fecha de entrega:
11 de abril, 2023
 Introducción

En esta practica de laboratorio se

estudian las características de conducción del transistor BJT, sus parámetros, regiones
de operación y amplificación.

En el primer apartado, se analizarán dos de los circuitos de polarización más utilizados

en amplificadores (circuito autopolarizado y circuito polarizado con tensión de base),
evaluando las distintas zonas de funcionamiento de los transistores en función de las
tensiones y resistencias del circuito de polarización.

En el segundo apartado se abordará el montaje y medida de circuitos amplificadores

con transistores BJT. En particular se obtendrán los principales parámetros de un
amplificador en emisor común con resistencia de emisor parcialmente desacoplada y,
posteriormente, de un amplificador configurado en colector común.

Antes de empezar la práctica, el estudiante debe leerse la hoja de características del

transistor que se va a utilizar en la misma (2N2222), especialmente la asignación de
pines del transistor.

El transistor BJT como amplificador.

En este apartado analizaremos el funcionamiento del transistor BJT como componente

principal de un circuito amplificador. Para ello se medirán los principales parámetros
del amplificador, como son la ganancia en tensión, la ganancia en intensidad, la
impedancia de entrada y la impedancia de salida.

Este análisis se realizará tanto para un amplificador en configuración de emisor común

como para un amplificador en colector común.

Materiales y equipos de la práctica

El material y equipos necesarios para el desarrollo de la práctica son los siguientes:
Fuente de tension DC.
Multímetro digital
Generador de señales.
Osciloscopio
Protoboard
Resistencias: 47Ω (2); 180Ω; 150Ω; 330 Ω; 820 Ω (2); 1kΩ; 2.2 kΩ; 5.6 kΩ.

Condensadores: 100μF (3).

Transistor BJT: NPN P2N2222.

 Circuito amplificador en Emisor Común

Considere el circuito amplificador en emisor común con resistencia

parcialmente desacoplada que se muestra en la figura 3. La tensión de
entrada es una señal senoidal con una amplitud de 150mV y una frecuencia
de 1kHz (offset nulo).

Figura 3. Circuito amplificador en emisor común con RE parcialmente

desacoplada

a) Ganancia de Tensión (Av).

Conecte la señal de entrada al amplificador. Conecte el canal 1 del osciloscopio a la

entrada del amplificador y el canal 2 a la salida del mismo. Mida la amplitud y fase de
ambas tensiones. Obtenga la ganancia de tensión como el cociente de la tensión de
salida entre la tensión de entrada.

Vin (mV) Vo (mV) Av

 Imágenes

b) Impedancia de entrada (Zin).

Para medir la impedancia de entrada necesitamos medir la tensión de entrada y la

intensidad de entrada del amplificador. Esto último supone un problema, ya que el
osciloscopio únicamente mide tensión. Para poder medir
esta intensidad, conectaremos una resistencia externa conocida (en este caso de 47 Ω)
entre el punto de entrada del amplificador y la fuente de entrada. Conocida la
tensión en ambos bornes de esta nueva resistencia podemos determinar la
intensidad de entrada, que junto con la tensión de entrada (mídala de nuevo, ya
que habrá cambiado respecto al punto anterior) nos proporcionan la impedancia de
entrada.

Figura 4. Esquema para el cálculo de la impedancia de entrada del amplificador

Iin Vin Zin

Imágenes
 c) Ganancia de corriente (Ai)

Para obtener este parámetro necesitamos la intensidad de entrada y la de salida. Para

poder obtener la intensidad de entrada, mantenemos el montaje del punto anterior con
la resistencia externa de 47Ω conectada a la entrada del amplificador. La corriente de
salida la podemos obtener a partir de la tensión de la impedancia de carga y teniendo
en cuenta el valor de ésta (1kΩ).

Iin Io Ai

Imágenes

d) Impedancia de salida (Zo).

Para obtener este parámetro, seguiremos los mismos pasos que en teoría, es decir,
eliminaremos las fuentes independientes del circuito (fuente de tensión de entrada) y
conectaremos una fuente de test a la salida del amplificador (sin la resistencia de
carga). Obteniendo la tensión y la corriente de esta fuente tendremos la impedancia de
salida. Para obtener la intensidad de la fuente de test conectaremos una resistencia
externa entre la fuente y la salida del amplificador (ver circuito de la figura 5).

La fuente de test tendrá las mismas características (amplitud y frecuencia) que la

tensión de entrada del amplificador.

Figura 5. Circuito para la obtención de la impedancia de salida del amplificador

Iout Vout Zout

Imágenes
 Conclusiones

Hemos realizado la forma de utilizar, medir y conocer las aplicaciones de los

transistores, así como sus materiales de composición y los instrumentos para tomas
lecturas.
Y por último y no menos significativo, nos da una idea bastante aproximada de la
ganancia del transistor en términos relativos.
De lo que se deduce y podemos afirmar a qué electrodo corresponde cada patilla, bien
sea: BASE, COLECTOR o EMISOR.
El transistor o BJT es un componente eléctrico semi-conductor que puede ser utilizado
para el control adecuado del flujo de corriente eléctrica.
En este caso, una pequeña cantidad de corriente en el conductor base, puede controlar
una mayor cantidad de corriente entre el colector y el emisor.

Es por ello que los transistores son muy utilizados en la actualidad para amplificar una
señal algo débil (un oscilador o un interruptor, por ejemplo).
En resumen, un transistor puede modificar una señal eléctrica de salida en respuesta a
una de entrada, funcionando de esta forma como conmutador, amplificador,
rectificador u oscilador.
 Anexos

P2N2222A

Amplifier Transistors
NPN Silicon

Characteristic Symbol Value Unit

Colector 1
Collector- Emitter Voltage VCEO 40 Vdc
Collector- Base Voltage VCBO 75 Vdc
Emitter- Base Voltage VEBO 6.0 Vdc
Collector Current - Continuous IC 600 mAdc
Base 2
Total Device Dissipation @ TA = 25C PD 625 mW
Derate above 25C 5.0 mW/C

Total Device Dissipation @ TC = 25C PD 1.5 W

Derate above 25C 12 mW/C Emisor 3
Operating and Storage Junction TJ, Tstg --55 to C
Temperature Range +150

2
3
 Characteristic Symbol Min Max Unit

Características en apagado
Collector- Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO Vdc
(IC = 10 mAdc, IB = 0) 40 --
Collector- Base Breakdown Voltage V(BR)CBO 75 Vdc
(IC = 10 mAdc, IE = 0) --
Emitter- Base Breakdown Voltage V(BR)EBO Vdc
(IE = 10 mAdc, IC = 0) 6.0 --
Collector Cutoff Current ICEX nAdc
(VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 3.0 Vdc) -- 10
Collector Cutoff Current ICBO mAdc
(VCB = 60 Vdc, IE = 0) -- 0.01
(VCB = 60 Vdc, IE = 0, TA = 150C) -- 10
Emitter Cutoff Current IEBO 10 nAdc
(VEB = 3.0 Vdc, IC = 0) --
Collector Cutoff Current ICEO nAdc
(VCE = 10 V) -- 10
Base Cutoff Current IBEX nAdc
(VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 3.0 Vdc) -- 20

Características encendido
DC Current Gain hFE --
(IC = 0.1 mAdc, VCE = 10 Vdc) 35 --
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc) 50 --
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc) 75 --
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, TA = --55C) 35 --
(IC = 150 mAdc, VCE = 10 Vdc) (Note 1) 100 300
(IC = 150 mAdc, VCE = 1.0 Vdc) (Note 1) 50 --
(IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc) (Note 1)
40 --
Collector- Emitter Saturation Voltage (Note 1) VCE(sat) Vdc
(IC = 150 mAdc, IB = 15 mAdc) -- 0.3
(IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc) -- 1.0
Base- Emitter Saturation Voltage (Note 1) VBE(sat) Vdc
(IC = 150 mAdc, IB = 15 mAdc) 0.6 1.2
(IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc) -- 2.0

Características de pequeña señal

Current- Gain - Bandwidth Product (Note 2) fT MHz
(IC = 20 mAdc, VCE = 20 Vdc, f = 100 MHz)C 300 --
Output Capacitance Cobo pF
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz) -- 8.0
Input Capacitance Cibo pF
(VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz) -- 25
Input Impedance hie kQ
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) 2.0 8.0
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) 0.25 1.25
Voltage Feedback Ratio hre X 10--4
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) -- 8.0
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) -- 4.0
Small- Signal Current Gain hfe --
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) 50 300
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) 75 375
Output Admittance hoe mMhos
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) 5.0 35
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) 25 200
Collector Base Time Constant rbCc ps
(IE = 20 mAdc, VCB = 20 Vdc, f = 31.8 MHz) -- 150
Noise Figure NF dB
(IC = 100 mAdc, VCE = 10 Vdc, RS = 1.0 kQ, f = 1.0 kHz) -- 4.0

Characteristi Symbol Min Max Unit

csc
Delay Time (VCC = 30 Vdc, VBE(off) = --2.0 Vdc, td -- 10 ns
Rise Time IC = 150 mAdc, IB1 = 15 mAdc) (Figure 1) tr -- 25 ns
Storage Time (VCC = 30 Vdc, IC = 150 mAdc, ts -- 225 ns
Fall Time IB1 = IB2 = 15 mAdc) (Figure 2) tf -- 60 ns
 Referencias

Boylestad, R. y Nashelsky L. (2009). Electrónica, Teoría de circuitos (8ª Ed.).

México. Pearson Educación.

Malvino, A. (2007). Principios de electrónica (7ª Ed.). México. Mc Graw HillBoylestad

Robert L., Nashelsky Louis (2009) Electrónica Teoría de Circuitos y Dispositivos

Electrónicos, México, Décima edición, Editorial Prentice Hall.