TECNOLÓGICO NACIONAL DE

MÉXICO - INSTITUTO TECNOLÓGICO

DE CIUDAD MADERO.

-Unidad 4 -
Materia: Diodos y Transistores

Profesor: José Juventino Arias López

Hora: 16:00-17:00

Alumno:

Hernandez Hernandez Richard Leonardo

Carrera: Ingeniería Electrónica

CD. Madero, TAM. Jueves 30-Nov-2023

Índice
Unidad 4. Amplificadores con transistores BJT y JFET ......................................................3
4.1. Introducción a los amplificadores en pequeña señal ...............................................3
4.2. Amplificador con BJT .......................................................................................................4
4.2.1. Modelo re ......................................................................................................................7
4.2.2. Parámetros de redes de 2 puertos .........................................................................9
4.2.3. Modelo Hibrido ..........................................................................................................12
4.2.4. Determinación de los parámetros del amplificador en pequeña señal para
las diferentes configuraciones.........................................................................................13
4.2.5. Efecto de la resistencia Rs y RL ...........................................................................15
4.3. Amplificador con JFET ...................................................................................................16
4.3.1. Modelo del JFET en pequeña señal .....................................................................18
4.3.2. Determinación de los parámetros de un amplificador en pequeña señal
para las diferentes configuraciones de polarización .................................................19
4.3.3. Análisis de circuitos amplificadores con MOSFET ..........................................21
Bibliografías .................................................................................................................................23
Unidad 4. Amplificadores con transistores BJT y JFET

4.1. Introducción a los amplificadores en pequeña señal

Como sabemos los amplificadores de pequeña señal son dispositivos electrónicos

diseñados para aumentar la amplitud de señales eléctricas débiles sin distorsionar
significativamente la forma de onda. Estos amplificadores son comúnmente
utilizados en sistemas de comunicación, audio y otros circuitos electrónicos donde
es necesario fortalecer señales de baja intensidad.
Estos amplificadores de pequeña señal son dispositivos electrónicos fundamentales
en el ámbito de la electrónica y la ingeniería de sistemas. Estos dispositivos
desempeñan un papel crucial al incrementar la amplitud de señales eléctricas
débiles sin distorsionar significativamente su forma de onda. A diferencia de los
amplificadores de potencia, diseñados para manejar grandes señales y suministrar
energía a cargas, los amplificadores en pequeña señal se centran en amplificar
señales más pequeñas y son esenciales en aplicaciones donde la fidelidad de la
señal es crítica.
Estos amplificadores son comúnmente utilizados en circuitos de audio, sistemas de
comunicación, instrumentación y otros dispositivos electrónicos donde se requiere
aumentar la amplitud de señales de baja intensidad. Su funcionamiento se basa en
la respuesta lineal del dispositivo frente a pequeñas variaciones de la señal de
entrada.
El diseño y análisis de amplificadores en pequeña señal involucran conceptos clave
como la ganancia de voltaje, la impedancia de entrada y salida, la respuesta en
frecuencia, y otros parámetros que determinan su rendimiento. Además, la
utilización de componentes electrónicos como transistores bipolares o de efecto de
campo (FET) es común en la construcción de estos amplificadores.
Los amplificadores en pequeña señal son herramientas esenciales para procesar y
fortalecer señales eléctricas débiles en una variedad de aplicaciones,
desempeñando un papel crucial en la transmisión y procesamiento de información
en sistemas electrónicos modernos.
En esta investigación se hablara sobre este tipo de amplificadores utilizando
transistores BJT y JFET, se darán ejemplos calculados y los diferentes tipos de
amplificadores que existen para cada tipo de transistor, asi como parámetros
eléctricos con los que cuenta cada cada uno. Se debe tener en cuenta previos
conocimientos de lo que es el BJT y los JFET así como su funcionamiento.
4.2. Amplificador con BJT

Estos transistores se utilizan en una variedad de configuraciones de amplificadores

para cumplir diferentes funciones. Cuenta con 3 configuraciones diferentes que se
abordarán en este tema, cada una de ellas tiene su tipo de ganancia, ya sea de
voltaje o corriente.

Configuración de Emisor Común (CE):

En esta configuración, el transistor se coloca entre la fuente de señal y la carga. La

señal de entrada se aplica al emisor, y la señal de salida se toma desde el colector.
Este tipo de configuración proporciona ganancia de voltaje y corriente.
En la figura 3 se muestra un amplificador emisor común práctico. La señal se inyecta
a la base a través de Ci y se recibe amplificada del colector vía Co. El emisor,
conectado dinámicamente a tierra a través de ce, actúa como elemento común a
los circuitos de entrada y de salida. Observe que en este modo de conexión, las
señales de entrada y de salida siempre están en oposición de fase.

Nuevamente, Ci y Co actúan como condensadores de acoplamiento y ce como

condensador de deriva. Las resistencias RB1, RB2, RC y RE polarizan
adecuadamente el transistor y fijan su punto de trabajo. Note que este circuito, como
el anterior, utiliza la estrategia de polarización universal o por divisor de voltaje.
La impedancia de entrada de este montaje es del orden de 20 W a 5 kW y la
impedancia de salida del orden de 50 W a 50 kohm. El circuito proporciona
simultáneamente ganancia de corriente y de voltaje. La ganancia de potencia puede
llegar a ser relativamente alta, del orden de 10.000. Típicamente, la ganancia de
corriente es el orden de 50. Esta es la configuración más utilizada en la práctica.

Configuración de Colector Común (CC):

En esta configuración, la señal de entrada se aplica al emisor, y la salida se toma

desde el emisor. La ganancia de corriente es alta en esta configuración, pero la
ganancia de voltaje es cercana a la unidad.
En la figura 4 se muestra un amplificador colector común práctico. La señal se
introduce por la base a través de Ci y se extrae por el emisor vía Co. El colector,
conectado dinámicamente a tierra a través de Ce, actúa como elemento común a
los circuitos de entrada y de salida. Las señales de entrada y de salida siempre
están en fase. El montaje se denomina también seguidor de emisor.
El amplificador colector común se caracteriza por tener una alta impedancia de
entrada y una baja impedancia de salida. La ganancia de voltaje es siempre menor
que 1 y la de potencia es normalmente inferior a la que se obtiene con las
configuraciones base común o emisor común. Este montaje se utiliza principalmente
como adaptador de impedancias.
Configuración de Base Común (CB):

Aquí, la señal de entrada se aplica al colector y la salida se toma desde la base.

Esta configuración se utiliza a menudo en aplicaciones de alta frecuencia.
En la figura 2 se muestra un amplificador base común práctico. La señal se inyecta
al emisor a través de Ci y se extrae amplificada por el colector vía Co. La base,
conectada dinámicamente a tierra a través de Cb, actúa como elemento común a
los circuitos de entrada y de salida. Las señales de entrada y de salida siempre
están en fase.

Los condensadores Ci y Co actúan como condensadores de paso o de

acoplamiento. Su objetivo es eliminar el nivel de corriente continua presente a la
entrada o a la salida y transferir sólo las señales de audio propiamente dichas. El
condensador Cb actúa como condensador de deriva (bypass). Su objetivo es
mantener estable el voltaje de polarización de la base, enviando a tierra cualquier
variación. Las resistencias RB1, RB2, RC y RE polarizan correctamente las uniones
del transistor y fijan el punto de trabajo del amplificador.

El circuito presenta una baja impedancia de entrada (entre 0.5 Ohm y 50 Ohm) y
una alta impedancia de salida (entre 1 kOhm. y 1 MOhm). Las ganancias de voltaje
y de potencia pueden ser altas, del orden de 150 o más, dependiendo de la Beta
del transistor. La ganancia de corriente es inferior a 1 (entre 0.95 y 0.995).
4.2.1. Modelo re

El modelo re (resistencia de emisor) es una simplificación utilizada en el análisis de

amplificadores con transistores bipolares de unión (BJT). Este modelo es
especialmente útil para amplificadores de pequeña señal. Las condiciones de
operación reales determinaban un parámetro importante del circuito equivalente en
lugar de utilizar valores generales que aparecen en las hojas de datos que en
algunos casos podían ser bastante diferentes. Consiste en la representación del
transistor utilizando elementos de circuitos más simples y de más fácil análisis. Para
ello, se tienen que analizar las mallas de entrada y salida y definir componentes que
proveen la misma respuesta característica.
Comenzando con el lado de entrada, el voltaje aplicado es Vi es igual al voltaje Vbe
con la corriente de entrada Ib. La curva de las características de entrada define el
comportamiento del componente equivalente; por lo tanto, para el circuito
equivalente el lado de entrada es un diodo con una corriente Ie.

Ahora se tiene que agregar un componente a la red que establecerá la corriente Ie

utilizando las características de salida. Para ello, se pueden dibujar las
características del colector para una β constante, lo que indica que las
características en la sección de salida pueden ser reemplazadas por una fuente
controlada cuya magnitud es beta veces la corriente de base.
Como temas extra de este modelo se tiene:

Resistencia de Emisor (re):

En el modelo re, se introduce una resistencia ficticia llamada resistencia de emisor
(re) en serie con la fuente de señal de entrada. Esta resistencia representa la
relación entre la variación de la corriente del emisor (Ie) y la variación de la tensión
del emisor (Ve).

Fórmula:
Donde
VT es la tensión térmica (aproximadamente 226mV a temperatura ambiente) y Ie
es la corriente del emisor.

Aplicación:
 Análisis de pequeña señal: El modelo re se utiliza para simplificar los
cálculos en el análisis de amplificadores de pequeña señal.
 Ganancia de voltaje (Av): Puede ser calculada usando el modelo re,

Configuración Típica:
En un amplificador de emisor común, el modelo re se coloca en serie con la fuente
de señal de entrada, entre la base y el emisor.

Limitaciones:
 El modelo re es una aproximación y es más válido para pequeñas variaciones
alrededor del punto de operación (punto Q).
 No tiene en cuenta todos los efectos de la resistencia del emisor, como la
variación con la corriente.

Es importante tener en cuenta que, aunque el modelo re es útil para simplificar el

análisis, no captura todos los detalles del comportamiento del transistor en todas las
condiciones. Sin embargo, en muchos casos, proporciona una representación
adecuada para el análisis de pequeña señal en amplificadores con transistores
bipolares.
4.2.2. Parámetros de redes de 2 puertos

Una red de dos puertos es una red eléctrica con dos puertos diferentes para la
entrada y salida. Un puerto es una pareja de terminales a través de los cuáles puede
entrar y salir corriente eléctrica. Como ejemplo de redes de un puerto están los
elementos pasivos de una red: resistores, inductores y capacitores. Una red de un
puerto se representa mediante el diagrama de la Figura:

Por otra parte, un circuito de cuatro terminales, como aquellos conformados por
amplificadores operacionales, transistores o transformadores, se considera una red
de dos puertos, el cual se puede representar mediante el diagrama de la Figura:

El estudio de la redes de dos puertos es justificado porque permite tratar o modelar

circuitos complejos como una “caja negra”, es decir, como una caja donde no
conocemos en detalle lo que está en su interior. Una señal alimenta esta “caja” por
uno de sus puertos (puerto de entrada); la señal es procesada por la red lineal de la
Figura 2 y luego es entregada a una carga por el otro puerto (puerto de salida),
como se ejemplifica en la Figura:

La caracterización de una red de dos puertos se hace mediante la relación de las

cantidades presentes en sus terminales: V1, V2, I1, I2.
  El modelo de una red complejo como una red de dos puertos tiene ciertas
restricciones:
 No puede haber energía almacenada dentro del circuito.
 No puede haber fuentes independientes dentro del circuito; fuentes
dependientes, sin embargo, están permitidas.
 La corriente que entra en el puerto (de entrada, o de salida) debe ser igual a
la corriente que sale del puerto (de entrada, o de salida).
 Las ecuaciones que relacionan las cantidades V1, V2, I1, I2 presentes en los
puertos de entrada y salida de una red de dos puertos, reciben el nombre de
parámetros.
Para derivar los parámetros de impedancia, alimentamos la red de dos puertos con
una fuente de tensión (que puede ser el voltaje de Thevenin aportado por el circuito
conectado en el puerto de entrada) o por una fuente de corriente (que puede ser la
corriente de Norton aportada por el circuito conectado en el puerto de entrada) como
se muestra en la Figura 4 a) y b):

A partir de cualquiera de estas dos configuraciones, podemos expresar las

relaciones entre los voltajes y las corrientes como:

Las ecuaciones (1) permiten representar el modelo para una red de dos puertos, la
“caja negra”, en forma matricial:

Los términos Z se denominan parámetros de impedancia. Para evaluar estos

parámetros, ejecutamos las siguientes pruebas. El valor de los parámetros puede
evaluarse fijando I1=0 A (puerto de entrada en circuito abierto), o I2=0 A (puerto de
salida en circuito abierto). En resumen:
De acuerdo con el cuadro de ecuaciones (2), podemos evaluar Z11 y Z12
conectando una fuente de tensión V1 (o una fuente de corriente I1) al puerto 1 con
el puerto 2 en circuito abierto, como en la Figura 5:

Luego, a partir del circuito de la Figura 5, mediante análisis

de circuitos, determinamos el valor de I1 y V2, para luego
obtener los parámetros Z11 y Z21 mediante las ecuaciones
(3):

De manera similar, se obtienen los parámetros Z12 y Z22 mediante el siguiente

experimento, como en la Figura 6:

Los parámetros Z12 y Z22 mediante las ecuaciones (4):

4.2.3. Modelo Hibrido

El modelo híbrido, también conocido como modelo h, es una representación más

completa de un transistor bipolar de unión (BJT) en comparación con el modelo re
que discutimos anteriormente. Este modelo se utiliza para el análisis de pequeña
señal y es más preciso, ya que tiene en cuenta tanto las corrientes de señal como
las tensiones.
1. Transconductancia (gm): Representa la ganancia de corriente en la etapa
del transistor. Es la derivada de la corriente del colector con respecto a la tensión
de la base, y se expresa como gm=VTIC, donde IC es la corriente del colector y VT
es la tensión térmica (aproximadamente 26mV a temperatura ambiente).
2. Resistencia de Entrada (rπ): Representa la resistencia de entrada en la
base del transistor y se define como rπ=gmβ, donde β es el factor de amplificación
de corriente del transistor.
3. Resistencia de Salida (ro): Representa la resistencia de salida en el colector
del transistor y se expresa como ro=ICVA, donde VA es la tensión de Early.
4. Fuente de Corriente de Base (gmb): Representa la conductancia entre la
base y la masa. Esta conductancia se asocia con la corriente de fuga de la base y
se modela como una fuente de corriente en paralelo con rπ.
5. Fuente de Corriente de Colector (gmc): Representa la conductancia entre
el colector y la masa. Esta conductancia se asocia con la corriente de fuga del
colector y se modela como una fuente de corriente en paralelo con ro.
Estos parámetros h son útiles para modelar el comportamiento del BJT en un punto
de operación específico. Es importante tener en cuenta que estos parámetros son
lineales y válidos solo en un punto de operación particular del transistor. Además,
en muchos casos, se utilizan modelos más avanzados para describir con mayor
precisión el comportamiento del BJT en diferentes condiciones de operación.
• gm se conecta en serie con la fuente de señal de entrada, entre la base y la
masa.
• rπ se conecta en paralelo con la entrada, representando la resistencia de
entrada del transistor.
• ro se conecta en paralelo con la carga en la salida, representando la
resistencia de salida del transistor.
• gmb se modela como una fuente de corriente en paralelo con rπ.
• gmc se modela como una fuente de corriente en paralelo con ro.
4.2.4. Determinación de los parámetros del amplificador en
pequeña señal para las diferentes configuraciones

La determinación de los parámetros del amplificador en pequeña señal es una parte

esencial del análisis de circuitos electrónicos. Los amplificadores pueden tener
diferentes configuraciones, como configuraciones de emisor común, base común y
colector común para transistores bipolares de unión (BJT), o configuraciones de
fuente común, puerta común y drenaje común para transistores de efecto de campo
(FET).

Para Colector Común.

Para un amplificador en configuración de colector común (o seguidor de emisor), se
puede determinar los parámetros en pequeña señal utilizando el modelo híbrido que
se mencionó anteriormente.
Para Emisor Común.
Para determinar los parámetros del amplificador en pequeña señal para un
transistor en configuración de emisor común, también se puede utilizar el modelo
híbrido.

Para Base Común.

Para un transistor en configuración de base común, el análisis en pequeña señal
también se puede realizar utilizando el modelo híbrido.
Las fórmulas permiten analizar y diseñar un amplificador de base común en
pequeña señal. Como siempre, se debe tener en cuenta que este enfoque asume
pequeñas variaciones alrededor del punto de operación establecido (punto Q).

Estos son solo ejemplos generales, y la determinación precisa de los parámetros

del amplificador en pequeña señal puede depender de la configuración específica
del amplificador y del tipo de transistor utilizado (BJT o FET).
4.2.5. Efecto de la resistencia Rs y RL

El efecto que tienen las resistencias de carga y de fuente sobre las ganancias de
voltaje Avc y corriente Ai en un amplificador. El modelo del amplificador ya con las
resistencias de fuente RS y de carga RL es el siguiente:

Solo cuenta con tres parámetros que son la impedancia de entrada zi, la
impedancia de salida zo y la ganancia en voltaje Ava, los demás parámetros se
pueden calcular a partir de estos tres. Ahora para facilitar el análisis se usará el
modelo hibrido en voltajes del amplificador:

En la siguiente tabla están las ecuaciones para hallar los parámetros del circuito
Avc y Ai:

Es necesario tener en cuenta

- La razón de trabajar con el modelo simplificado (zi, zo, Ava) es facilitar el análisis
de cuando se presenta una resistencia RL y/o una resistencia de fuente RS.
- El modelo híbrido en voltajes del amplificador se usa para facilitar los cálculos,
realizar simulaciones y verificar resultados.
- Al existir una resistencia de fuente RS el voltaje de entrada al circuito vic
aumenta y al existir una resistencia de carga RL el voltaje de salida del circuito voc
y la corriente de salida io disminuyen, trayendo que tanto la ganancia en voltajes
Avc como la ganancia en corrientes Ai disminuyan.
4.3. Amplificador con JFET

Un amplificador con JFET (Transistor de Efecto de Campo de Unión) es un

dispositivo electrónico que utiliza un JFET como componente activo para
amplificar señales eléctricas. Los JFET son transistores de estado sólido que
operan principalmente en modo de conducción de tipo canal N (JFET de canal N)
o tipo canal P (JFET de canal P). Se tiene una descripción general de un
amplificador común utilizando un JFET, en particular, un amplificador de fuente
común.

Amplificador de Fuente Común con JFET:

El amplificador de fuente común es una configuración común para un amplificador
JFET. Aquí hay algunos detalles clave:

Componentes Básicos:

1. JFET (Transistor de Efecto de Campo de Unión):

- Puede ser de canal N o canal P, dependiendo de la aplicación específica.
- El JFET tiene tres terminales: fuente (S), compuerta (G), y drenaje (D).
2. Resistencia de polarización de la compuerta:
- Se utiliza para establecer el punto de polarización de la compuerta.
3. Resistencia de carga del drenaje:
- Determina la ganancia y la polarización del JFET.
4. Fuente de voltaje:
- Proporciona la alimentación para el JFET y el circuito.
5. Resistencia de señal de entrada:
- Conectada en serie con la señal de entrada.
6. Resistencia de señal de salida:
- Conectada en paralelo con la señal de salida.
Notas Importantes:

- La elección de componentes es crucial para establecer el punto de polarización y

la región de operación del JFET.
- La polarización del JFET se debe realizar para que opere en la región activa.
- Las hojas de datos específicas del JFET y las características del amplificador
deben considerarse para un diseño preciso.

Este es un ejemplo básico de un amplificador de fuente común con un JFET.

Dependiendo de los requisitos específicos y la aplicación, pueden existir
variaciones en el diseño y la topología del amplificador.
4.3.1. Modelo del JFET en pequeña señal

El modelo en pequeña señal de un Transistor de Efecto de Campo de Unión (JFET,

por sus siglas en inglés) es similar al de un transistor bipolar, pero con algunas
diferencias clave debido a las características únicas de los JFET. El modelo en
pequeña señal proporciona una descripción linealizada del comportamiento del
dispositivo para pequeñas variaciones alrededor del punto de operación o punto Q.
A continuación, describo el modelo en pequeña señal de un JFET.

En la imagen se muestra el modelo del transistor JFET trabajando a pequeña señal

con corriente alterna.

Se observa que éste funciona como una fuente dependiente de corriente controlada
por el voltaje compuerta-fuente. La impedancia de entrada de este dispositivo es lo
suficientemente alta como para no incluirla en el modelo, a diferencia de lo que
ocurre con el transistor BJT.
Para que el modelo de pequeña señal tenga validez, debe cumplirse la siguiente
condición:

Esta condición, en general es utilizada para el diseño y análisis de amplificadores,

sobre todo para conocer el rango de valores en amplitud que puede soportar el
amplificador en la entrada sin que haya distorsión en la señal de salida.
4.3.2. Determinación de los parámetros de un amplificador en
pequeña señal para las diferentes configuraciones de
polarización

El análisis en pequeña señal de un amplificador de efecto de campo (JFET) implica

determinar los parámetros clave que describen su comportamiento bajo condiciones
de pequeña señal.

Configuraciones de Polarización Comunes para JFET:

*Autopolarización (Self-Bias) o Autorefuerzo (Self-Enhancement):
En esta configuración, el JFET se polariza a través de una resistencia conectada
directamente a la fuente. La polarización es establecida por la corriente de puerta
inversa.
La resistencia de carga conectada al drenaje y la resistencia de la fuente son
componentes clave.

*Polarización por Divisor de Voltaje:

En esta configuración, el JFET se polariza utilizando un divisor de voltaje formado
por dos resistencias conectadas entre la fuente y la tierra.
Este método permite un control más preciso sobre la polarización y puede ser
preferido en algunos diseños.

Análisis en Pequeña Señal:

El análisis en pequeña señal del JFET implica considerar pequeñas variaciones de
las señales de entrada y salida alrededor del punto de operación establecido por la
polarización.

*Modelo de Pequeña Señal del JFET:

El modelo en pequeña señal del JFET generalmente incluye la transconductancia
(gm), la resistencia de salida (rd), y la capacitancia de la compuerta (Cgd). Estos
parámetros son cruciales para el análisis.
El gm representa la variación de la corriente de drenaje respecto a la variación de
la tensión de puerta, mientras que rd es la resistencia de salida en pequeña señal.
*Ganancia de Voltaje:
La ganancia de voltaje se calcula como el producto de la transconductancia (gm) y
la resistencia de carga (en el drenaje) del JFET. Esta ganancia puede ser
determinada para diferentes configuraciones de polarización.

*Resistencia de Entrada:
La resistencia de entrada (ri) en pequeña señal puede calcularse a partir de la
transconductancia (gm) y la resistencia de la fuente en la configuración de
polarización particular.
*Resistencia de Salida:
La resistencia de salida (ro) en pequeña señal puede aproximarse considerando la
resistencia de drenaje en la configuración de polarización específica.

Consideraciones Importantes:
 La elección de la configuración de polarización afecta directamente los
parámetros en pequeña señal. Por ejemplo, la polarización por divisor de
voltaje puede proporcionar un mayor control sobre la polarización, pero
puede introducir una resistencia de entrada más baja.
 El análisis detallado implica el uso de ecuaciones específicas para cada
configuración y la aplicación de técnicas de análisis de circuitos.
En general, la determinación de los parámetros en pequeña señal para un
amplificador JFET implica comprender cómo las pequeñas variaciones en las
señales de entrada afectan las corrientes y voltajes en el dispositivo bajo diferentes
condiciones de polarización.
4.3.3. Análisis de circuitos amplificadores con MOSFET

El análisis de circuitos amplificadores con transistores de efecto de campo de óxido

metálico-semiconductor (MOSFET) es un tema fundamental en la electrónica. Los
MOSFET son dispositivos semiconductores que se utilizan comúnmente en circuitos
amplificadores debido a su alta impedancia de entrada, bajo consumo de potencia
y capacidad para amplificar señales.
A continuación se explica una breve descripción de algunos aspectos importantes
relacionados con el análisis de circuitos amplificadores con MOSFET:

1. Tipos de MOSFET:
Hay dos tipos principales de MOSFET utilizados en amplificadores:
*MOSFET de canal N (NMOS): Conducen corriente cuando se aplica un voltaje
positivo en relación con el terminal de la puerta.
*MOSFET de canal P (PMOS): Conducen corriente cuando se aplica un voltaje
negativo en relación con el terminal de la puerta.

2. Configuraciones comunes de amplificadores con MOSFET:

*Amplificador de fuente común (Common Source): La señal de entrada se aplica al
terminal de la puerta, y la señal de salida se toma en el terminal del drenador. Es
comúnmente utilizado para amplificación de voltaje.
*Amplificador de compuerta común (Common Gate): La señal de entrada se aplica
al terminal del drenador, y la señal de salida se toma en el terminal de la puerta. Es
adecuado para aplicaciones de amplificación de corriente.
*Amplificador de drenador común (Common Drain): La señal de entrada se aplica al
terminal de la puerta, y la señal de salida se toma en el terminal del drenador. Se
utiliza para obtener alta impedancia de entrada.

3. Parámetros de rendimiento:
*Ganancia de voltaje: La relación entre la amplitud de la señal de salida y la señal
de entrada.
*Impedancia de entrada: La resistencia que presenta el amplificador a la señal de
entrada.
*Impedancia de salida: La resistencia que presenta el amplificador a la carga
conectada a la salida.
4. Polarización de MOSFET:
La polarización adecuada del MOSFET es crucial para garantizar un funcionamiento
estable y lineal del amplificador.

5. Análisis de pequeña señal:

Se realiza asumiendo que las señales de entrada y salida son pequeñas en
comparación con los valores de polarización. Se utiliza para evaluar el
comportamiento del circuito alrededor del punto de polarización.

6. Aplicaciones:
Los amplificadores con MOSFET se utilizan en una variedad de aplicaciones, como
audio, radiofrecuencia (RF), amplificadores de potencia, etc.

7. Diseño y Simulación:
Herramientas de simulación como SPICE son comúnmente utilizadas para diseñar
y analizar circuitos amplificadores con MOSFET antes de su implementación física.
Al estudiar los amplificadores con MOSFET, es importante comprender los
principios básicos de operación, realizar análisis de circuitos, y considerar aspectos
prácticos como la estabilidad, la eficiencia y la linealidad para diseñar circuitos
amplificadores efectivos y confiables.
Bibliografías

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Studocu. (s. f.). Analisis Corriente alterna y modelo re - de de CA Ahora incluiremos

un fuente de CA en un circuito - Studocu. https://www.studocu.com/es-
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Carakenio. (2020, 26 agosto). Redes de dos puertos – parámetros – ejemplos.

dademuchconnection.
https://dademuchconnection.wordpress.com/2020/03/23/redes-de-dos-puertos-
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Francisco, J., & Francisco, J. (2019, 26 diciembre). Las 3 configuraciones básicas

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de Electricidad-Electrónica - Centro Integrado de Formación Profesional Número
Uno de Santander. https://cifpn1.com/electronica/?p=4151

Electronica, W. (2019, 12 noviembre). Efecto de las resistencias de carga y de

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https://wilaebaelectronica.blogspot.com/2019/10/efecto-de-las-resistencias-de-
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Fernando. (2010, 23 septiembre). Simulación de circuitos con Multisim.

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EcuRed. (s. f.). Circuitos Amplificadores Mosfet 30W - EcuRed.

https://www.ecured.cu/Circuitos_amplificadores_mosfet_30w