Página 1 de 12 .

CARRERA
ELECTRÓNICA ☒
LABORATORIO
ELN2
ASIGNATURA
DISPOSITIVOS

Stalin Adrián Tonato Callatasig

PRÁCTICA DE LABORATORIO
Quito - Ecuador

AUTORES:
Stalin Tonato

satonatocallatasig@istct.edu.ec
 Página 2 de 12
.

Índice

Objetivos……………………………………………………………………………………...…1

Objetivos Generales…………………………………………………………………………………………………..1.1

Objetivos específicos………………………………………………………………………………………………….1.2

Equipo y materiales utilizados………………………………………………………………......2

Marco teórico……………………………………………………………………………………3

Actividades realizadas por el/los alumnos………………………………………………………4

Plano de trabajo (Si se realizó alguna pieza) …………………………………………………...5

Cuestionario……………………………………………………………………………………..6

Conclusiones y recomendaciones………………………………………………………………7

Bibliografía…………………………………………………………………………………......8

Anexos (Fotografías)……………………………………………………………………………9
 Página 3 de 12
.

TIEMPO
TEMA ASIGNATURA
PRACTICA No ESTIMADO
1 Aplicaciones no lineales del Dispositivos
2 horas
transistor Electrónicos

OBJETIVO Y PREPARATORIO

1. OBJETIVO: Utilizar al transistor NPN en las regiones de corte y

saturación.
2. TRABAJO PREPARATORIO:
transistor NPN TIP122, la distribución de pines, la ganancia de corriente
(hfe), VCEO, Icmax.

El transistor TIP122 es un transistor NPN de potencia utilizado

comúnmente en aplicaciones de amplificación y conmutación

Distribución de Pines:
Pin 1: Base (B)
Pin 2: Colector (C)
Pin 3: Emisor (E)
Ganancia de Corriente (hfe): La ganancia de corriente, hfe (también
conocida como beta, β), suele estar en el rango de 40 a 250 para el
TIP122. Este valor puede variar según el fabricante y las condiciones
de operación.

VCEO: La tensión máxima entre el colector y el emisor (VCEO) suele

ser de alrededor de 100 V a 120 V para el TIP122.

Icmax: La corriente máxima del colector (Icmax) depende de las

condiciones de operación y la disipación de calor. En general, el valor
típico de Icmax es de alrededor de 5 amperios.

Consultar el principio de funcionamiento de un relé electromagnético.

Un relé electromagnético es un dispositivo electromecánico que utiliza

un electroimán para controlar un interruptor eléctrico. El principio de
funcionamiento de un relé electromagnético se basa en la
capacidad de un campo magnético para controlar la posición de un
interruptor.

Componentes básicos:

Bobina: El relé tiene una bobina de alambre conductor enrollada

alrededor de un núcleo. Cuando se aplica una corriente a la bobina,
esta genera un campo magnético.
 Página 4 de 12
.

Interruptor: El relé tiene un interruptor (generalmente formado por

contactos móviles y fijos) que se abre o se cierra según la presencia o
ausencia del campo magnético.

Etapas de funcionamiento:
Sin corriente en la bobina: Cuando no hay corriente en la bobina, el
campo magnético generado es débil o inexistente, y el interruptor del
relé está en su posición normal (abierta o cerrada, dependiendo del
diseño del relé).

Con corriente en la bobina: Cuando se aplica una corriente a la

bobina, esta crea un campo magnético alrededor de la bobina de
acuerdo con la ley de Ampère.

Efecto sobre el interruptor: El movimiento de los contactos del

interruptor debido al campo magnético puede abrir o cerrar los
contactos del interruptor principal del relé, dependiendo del diseño.
Esto afecta la conectividad eléctrica en el circuito asociado al relé.

EQUIPO Y MATERIALES.

3.1. Fuentes: 1 Fuente de voltaje DC

3.2. Elementos: Transistor BJT TIP122,
resistencias, diodos, relé de 5V (6V) para
placa PCB, 1 pulsante de protoboard.
3.3. Equipo de medida: 1 Multímetro
3.4 Juego de Cables.
 Página 5 de 12
.

MARCO TEÓRICO.

La figura siguiente ilustra la operación básica de un BJT como dispositivo de

conmutación. En la parte a), el transistor está en la región de corte porque la unión
base-emisor no está polarizada en directa. En esta condición, existe, idealmente, una
abertura entre el colector y el emisor, como lo indica el equivalente de interruptor. En
la parte b), el transistor está en la región de saturación porque la unión base-emisor y
la unión base-colector están polarizadas en directa y la corriente en la base llega a ser
suficientemente grande para provocar que la corriente en el colector alcance su valor
de saturación. En esta condición, existe, idealmente, un corto entre el colector y el
emisor, como lo indica el equivalente de interruptor. En realidad, normalmente ocurre
una pequeña caída de voltaje a través del transistor de unos cuantos décimos de volt, la
cual es el voltaje de saturación, VCE(sat).

Condiciones de Corte
Como se mencionó, un transistor está en la región de corte cuando la unión base-emisor
no está polarizada en directa. Si se ignora la corriente de fuga, todas las corrientes son
cero y VCE es igual a VCC.

Condiciones de Saturación
Como ya lo aprendió, cuando la unión base-emisor está polarizada en directa y existe
suficiente corriente en la base para producir una corriente máxima en el colector, el
transistor está en saturación. La fórmula para la corriente de saturación de colector es

Puesto que VCE(sat) es muy pequeño comparado con VCC, casi siempre puede ser
despreciado. El valor máximo de la corriente en base requerida para producir
saturación es
 Página 6 de 12
.

Normalmente, IB debe ser significativamente más grande que IB(mín) para garantizar
que el transistor esté en saturación.

PROCEDIMIENTO
4.1 Exposición del instructor sobre el objetivo y las tareas a cumplir durante la práctica.
4.2 Armar el circuito de la Figura 1. Tomar el valor de voltaje y corriente sobre la
bobina del relé.

Figura 1

4.3. Para el circuito de la figura 2, suponer que la corriente IC es la corriente que se

midió en el circuito anterior con el relé. Con dicho valor de corriente calcular la IB
tomando un Beta igual al hfe de las hojas de datos del transistor. Calcular el valor de la
resistencia Rb, para obtener dicha corriente IB en la base.

Figura 2

4.4. Armar el circuito con la RB calculada. Presionar el pulsante para determinar la

activación del relé. Medir la corriente IC y el VCE
4.5. Armar el circuito con el motor de DC y la RB calculada tomando en cuenta una
alimentación de 9V. Tomar las mismas medidas.
 Página 7 de 12
.

CUESTIONARIO
5.1 Presente el circuito completo de la práctica y comente los resultados. Presentar
los valores de corriente y voltaje medidos.
Los datos obtenidos estuvieron a la par de lo esperado tanto el primer circuito como el
segundo con los ventiladores en la regio de corte y la de saturación todo funciono como
debía y con los datos que eran necesarios

5.2 Explique para qué sirve el diodo en el circuito de la figura 2.

Puedes utilizar la resistencia en serie para limitar la corriente que fluye a través de la
bobina del relé. Esto puede ser útil en situaciones en las que desees ajustar la corriente
de la bobina sin cambiar la fuente de alimentación o el voltaje aplicado.

5.3 Consulte más aplicaciones no lineales del transistor.

Osciladores: Los transistores se utilizan en la construcción de osciladores, que generan
señales periódicas. Los osciladores son fundamentales en la generación de señales de
frecuencia controlada, como en radios, relojes electrónicos y sistemas de
comunicación.
 Página 8 de 12
.

Modulación de frecuencia (FM): En sistemas de comunicación, los transistores se

utilizan en la modulación de frecuencia, donde la variación de la frecuencia de la señal
de onda portadora transporta la información. Esto se utiliza comúnmente en
transmisiones de radio y comunicaciones inalámbricas.
Amplificadores de radiofrecuencia (RF): Los transistores se utilizan en la etapa de
amplificación de señales de radiofrecuencia en receptores de radio y equipos de
comunicación.
Amplificadores de audio: Los transistores se utilizan en amplificadores de audio para
aumentar la amplitud de las señales de audio. Estos amplificadores son esenciales en
sistemas de audio, desde amplificadores de guitarra hasta equipos de sonido
domésticos.
Rectificación de señales: Los transistores se pueden utilizar en circuitos rectificadores
para convertir señales de corriente alterna (CA) en corriente continua (CC). Esto es
común en fuentes de alimentación de dispositivos electrónicos.

INFORME
El informe que a entregarse debe contener la siguiente estructura base.
1. Tema.
2. Objetivos.
3. Equipo y materiales utilizados.
4. Marco teórico.
5. Actividades realizadas por el/los alumnos.
6. Plano de trabajo (Si se realizó alguna pieza).
7. Cuestionario
8. Conclusiones y recomendaciones.
9. Bibliografía.
10. Anexos (Fotografías).
 Página 9 de 12
.

CONCLUSIONES
En esta práctica el transistor demostró ser un componente esencial y versátil en el
procesamiento de señales, ofreciendo una amplia gama de aplicaciones no lineales.
Desde la modulación de frecuencia hasta la generación de pulsos, el transistor permite
diseñar circuitos que realizan funciones específicas en sistemas de comunicación y
control.
Su capacidad para amplificar, modular y generar señales no solo ha revolucionado las
tecnologías de transmisión de información, sino que también ha permitido el desarrollo
de dispositivos electrónicos avanzados.

BIBLIOGRAFIAS
Coughlin, R. F., Driscoll, F. F., & Flores, G. A. (1999). Amplificadores operacionales y circuitos
integrados lineales (Vol. 5). Prentice Hall.
CARDOZA, L., INZUNZA, E., LOPEZ, R. M., GARCIA, E. E., OLGUIN, J. E., & HERNANDEZ,
J. M. Diseño de Amplificadores de mediana potencia para aplicaciones WiMAX.
López, J. R. M. (2014). Comparación de modelos lineales en modo pulsado y no pulsado de
transistores GaN de potencia.
 Página 10 de 12
.

ANEXOS
 Página 11 de 12
.
 Página 12 de 12
.