INSTITUTO TECNOLÓGICO DE

DELICIAS

INGENIERÍA ELECTROMECÁNICA

ELECTRÓNICA ANALÓGICA

GRUPO: 4 A

TIPOS DE DIODOS, REGULADORES Y TRANSFORMADORES

ALUMNO: RAMÓN ALTAMIRANO MONTALVO

NO. DE CONTROL 21540225

PROFESOR: ING. DAVID URITA

Cd. Delicias, Chih. Febrero 26 del 2023

Introducción:
Los transistores se clasifican básicamente en dos tipos; son transistores de unión bipolar (BJT)
y transistores de efecto de campo (FET). Los BJT se clasifican nuevamente en transistores
NPN y PNP. Los transistores FET se clasifican en JFET y MOSFET. Los transistores FET de
unión se clasifican en JFET de canal N y JFET de canal P dependiendo de su función. Los
transistores MOSFET se clasifican en modo Depletion y modo de Mejora. De nuevo, los
transistores de modo de reducción y mejora se clasifican en JFET de canal N y canal P.
Desarrollo:
¿COMO FUNCIONAN LOS TRANSISTORES BJT?
Los transistores BJT pueden funcionar en 2 formas, como interruptor electrónico y como
amplificador con ganancia variable.

FUNCIONAMIENTO COMO INTERRUPTOR

Para que los transistores BJT funcionen como interruptores electrónicos se debe operar en la
zona de corte y saturación para impedir o permitir el paso de corriente en un circuito.
Si se polariza en la región de corte se impide el paso de corriente, cuando se polariza en la
región de saturación se permite el paso de la corriente, de esta manera los transistores BJT
funcionan como interruptores electrónicos donde solo hay dos estados lógicos 0 y 1.

FUNCIONAMIENTO COMO AMPLIFICADOR

Para que los transistores BJT funcionen como amplificadores de corriente se debe aplicar una
pequeña señal de corriente en la terminal base para controlar una corriente de salida mayor en
las terminales colector y emisor. Para el uso de los transistores BJT como amplificadores,
tienes que tener en cuenta que hay distintos tipos de transistores BJT los cuales tienen
diferentes características técnicas, cada uno de ellos tiene una ganancia de corriente conocida
como beta del transistor, dependiendo del tipo de amplificación que requieras verificar la beta
del transistor para obtener la amplificación de corriente deseada.

Para este tipo de transistores bipolares, la amplificación concierne de la corriente. La corriente

del colector “Ic” es proporcional a la corriente en la base multiplicada por la «beta» del
transistor.
Ic = (hFE)*(Ib)
Donde:
Ic = Corriente de colector
hFE = Beta del transistor
Ib = Corriente en la base
Este factor de ganancia depende de la corriente del colector y en ocasiones puede variar, es
por eso por lo que no es recomendable el uso de transistores como amplificadores electrónicos,
te recomiendo el uso de amplificadores operacionales.

CONFIGURACIONES DE LOS TRANSISTORES BJT

CONFIGURACIÓN EN BASE COMÚN

La terminología en base común se deriva del hecho de que la base es común tanto para la
entrada como para la salida de la configuración. Además, la base por lo general es la terminal
más cercana a, o en, un potencial de tierra.

CONFIGURACIÓN EN COLECTOR COMÚN

La configuración en colector común se utiliza sobre todo para igualar impedancias, puesto que
tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, lo contrario de las
configuraciones en base común y en emisor común

CONFIGURACIÓN EN EMISOR COMÚN

Se llama configuración en emisor común porque el emisor es común o sirve de referencia para
las terminales de entrada y salida (en este caso es común para las terminales base y colector).
De nueva cuenta se requieren dos conjuntos de características para describir plenamente el
comportamiento de la configuración en emisor común: uno para el circuito de entrada o de
base-emisor y uno para el circuito de salida o de colector-emisor.

TIPOS DE TRANSISTORES BJT

Existen diferentes tipos de transistores BJT que puedes utilizar para tus proyectos de
electrónica, pero dependiendo de las características de tu proyecto puedes utilizar el que más
se acople a tus necesidades, a continuación, se mencionaran las características de los
transistores BJT más utilizados:

TRANSISTOR BJT 2N2222 NPN DE 30V

El transistor BJT 2N2222 es un dispositivo electrónico de tipo NPN con encapsulado TO-92 de
plástico con tres terminales (pines). Este un transistor es de baja potencia, capaz de disipar
hasta 625mW, puede controlar dispositivos que consuman hasta 600mA o que requieran
tensiones de hasta 40Vdc, siempre y cuando no se sobrepase su potencia de disipación
máxima.
TRANSISTOR BJT 2N3904 NPN 40V
El transistor BJT 2N3904 es un dispositivo electrónico de tipo NPN con encapsulado TO-92 de
plástico con tres terminales (pines). Este un transistor de media potencia, destinado para
propósito general en amplificación y conmutación, capaz de disipar hasta 625mW, puede
controlar dispositivos que consuman hasta 200mA o que requieran tensiones de hasta 40Vdc.

TRANSISTOR BJT 2N3906 PNP 40V

El transistor BJT 2N3906 es un dispositivo electrónico de tipo PNP con encapsulado TO-92 de
plástico con tres terminales (pines). Diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación
de media potencia, destinado para propósito general capaz de disipar hasta 625mW, puede
controlar dispositivos que consuman hasta 200mA o que requieran tensiones de hasta 40Vdc
con una ganancia hasta de 300 MHz.

TRANSISTOR BJT BC547B NPN 45V

El transistor BJT BC547B es un dispositivo electrónico de tipo NPN con encapsulado TO-92 de
plástico con tres terminales (pines). Diseñado para aplicaciones lineales y conmutación de
media potencia, destinado para propósito general capaz de disipar hasta 500mW, puede
controlar dispositivos que consuman hasta 100mA o que requieran tensiones de hasta 45Vdc
con una ganancia hasta de 300 MHz. Comúnmente es utilizado en aplicaciones de Protección
ESD, Protección de inversión de polaridad, Protección inductiva de cargo, Protección inductiva
de carga y para lógica de dirección.

TRANSISTOR BJT BC547C NPN 45V

El transistor BJT BC547C es un dispositivo electrónico de tipo NPN con encapsulado TO-92 de
plástico con tres terminales (pines). Diseñado para aplicaciones lineales y conmutación de
media potencia, destinado para propósito general capaz de disipar hasta 625mW, puede
controlar dispositivos que consuman hasta 100mA o que requieran tensiones de hasta 45Vdc
con una ganancia hasta de 300 MHz. Comúnmente es utilizado para en aplicaciones de
Protección ESD, Protección de inversión de polaridad, Protección inductiva de cargo,
Protección inductiva de carga y para lógica de dirección.

TRANSISTOR BJT BC556B PNP 65V

El transistor BJT BC556B es un dispositivo electrónico de tipo PNP con encapsulado TO-92 de
plástico con tres terminales (pines). Diseñado para aplicaciones lineales y conmutación de
media potencia, destinado para propósito general capaz de disipar hasta 625mW, puede
controlar dispositivos que consuman hasta 200mA o que requieran tensiones de hasta 65Vdc
con una ganancia hasta de 280 MHz.
TRANSISTOR BJT BC557B PNP 45V
El transistor BJT BC557B es un dispositivo electrónico de tipo PNP con encapsulado TO-92 de
plástico con tres terminales (pines). Diseñado para aplicaciones lineales y conmutación de
media potencia, destinado para propósito general capaz de disipar hasta 625mW, puede
controlar dispositivos que consuman hasta 100mA o que requieran tensiones de hasta 45Vdc
con una ganancia hasta de 320 MHz.

TRANSISTOR BJT BC559B PNP 30V

El transistor BJT BC559B es un dispositivo electrónico de tipo PNP con encapsulado TO-92 de
plástico con tres terminales (pines). Diseñado para aplicaciones lineales y conmutación de
media potencia, destinado para propósito general capaz de disipar hasta 625mW, puede
controlar dispositivos que consuman hasta 100mA o que requieran tensiones de hasta 30Vdc
con una ganancia hasta de 150 MHz.

TRANSISTOR BJT TIP41C NPN 100V

El transistor BJT TIP41C es un dispositivo electrónico de tipo NPN con encapsulado TO-220-3
de plástico con tres terminales (pines). Diseñado para aplicaciones de conmutación y
amplificación de potencia de uso general capaz de disipar hasta 65 W, puede controlar
dispositivos que consuman hasta 6 A o que requieran tensiones de hasta 100Vdc con una
ganancia hasta de 3 MHz. Comúnmente es utilizado en aplicaciones de potencia y manejar
bajas frecuencias.
Configuraciones de amplificador FET y polarización
Los enfoques que se utilizan para la polarización de BJT también se pueden utilizar para
sesgar MOSFETS. Podemos separar los enfoques en aquellos utilizados para los componentes
discretos frente a los amplificadores de circuitos integrados. Los diseños de componentes
discretos usan los condensadores de acoplamiento y de derivación grandes para aislar la
polarización de CC para cada etapa del amplificador, al igual que los amplificadores BJT de
componentes discretos. Los amplificadores IC MOSFET generalmente están acoplados
directamente porque los grandes capacitores no son prácticos. Los amplificadores IC MOSFET
generalmente están polarizados utilizando fuentes de corriente de CC que son análogas a las
utilizadas para los amplificadores BJT IC.
Polarización de MOSFET de componentes discretos 4.1
La polarización de componentes discretos para amplificadores MOSFET se logra con los
circuitos que se muestran en la Figura 21. El voltaje de la puerta a la fuente determina el tipo de
circuito que se puede requerir para esa configuración de transistor. Para un transistor de modo
de mejora, siempre habrá una necesidad de un voltaje positivo en la compuerta. En la división
de tensión de polarización, habrá una R1 y R2 Para obtener la tensión positiva. Para el
agotamiento de MOSFETs o JFETs, R2 puede ser finito o infinito, como se muestra en la Figura
21 (b).
Figura 21 - Configuraciones de polarización del amplificador
Fuente Común (CS)- La ac la entrada se aplica en CG, la ac la salida se toma en CD y CS está
conectado a un dc Fuente de tensión o tierra. Esto es análogo a la configuración del emisor
común para el BJT.
–Resistor de fuente (SR) - La ac la entrada se aplica en CG, la ac la salida se toma
en CD y CS se omite. Esto es análogo a la configuración de la resistencia del emisor para el
BJT.
–Puerta Común (CG) - La ac la entrada se aplica en CS, la ac la salida se toma en CD y CG está
conectado a un dc Fuente de tensión o tierra. A veces en la configuración de CG, CG se omite y
la puerta se conecta directamente a un dc suministro de voltaje. El CG es análogo a la
configuración de base común para el BJT, aunque rara vez se ve en los circuitos.
–Seguidor de la fuente (SF) - La ac la entrada se aplica en CG, la ac la salida se toma en CS y
el desagüe está conectado a una dc alimentación de tensión directamente o por via CD. Esto a
veces se denomina drenaje común (CD) y es análogo a la configuración del seguidor de
emisores para el BJT.

Figura 22 - Circuito equivalente de Thevenin

Cada una de estas configuraciones se estudia con más detalle en la Sección 9, “Análisis del
amplificador FET”.
Dado que las diferentes configuraciones solo varían en sus conexiones a través de los
condensadores, y los condensadores son circuitos abiertos para dc voltajes y corrientes,
podemos estudiar el dc sesgo para el caso general. Para el diseño del amplificador, queremos
que el transistor funcione en la región operativa activa (también identificada como la región de
saturación o el modo de pellizco), por lo que asumimos la característica IV de pinch-off para el
dispositivo. (¡Siempre debemos verificar esta suposición al final del diseño!)
Para simplificar el análisis de sesgo, usamos una fuente de Thevenin para modelar el circuito
en la puerta del transistor como se muestra en la Figura 22.

Dado que hay tres variables desconocidas para establecer para la polarización (ID, VGS y VDS),
necesitamos tres dc ecuaciones Primero el dc Se escribe la ecuación alrededor del bucle
puerta-fuente.

Observe que dado que la corriente de la compuerta es cero, existe una caída de voltaje cero
en RG. Un segundo dc La ecuación se encuentra a partir de la ecuación de la ley de Kirchhoff
en el circuito de drenaje-fuente.

La tercera dc La ecuación necesaria para establecer el punto de sesgo se encuentra en la

ecuación (20) en la sección ”Transistor de efecto de campo de unión

(JFET)" que se repite aquí.

La primera aproximación aplica si |λVDS| << 1 (que casi siempre es cierto) y simplifica
considerablemente la solución de las ecuaciones acopladas.
Podemos poner la ecuación para gm [Ecuación (22)]
en un formato similar que resultará útil en el diseño.

Las ecuaciones (25) - (28) son suficientes para establecer el sesgo. Para los amplificadores
MOSFET discretos, no necesitamos colocar el punto Q en el centro del ac carga de la línea
como lo hicimos a menudo para BJT polarización. Esto se debe a que los amplificadores FET
discretos se usan normalmente como la primera etapa en una cadena de amplificadores para
aprovechar la alta resistencia de entrada. Cuando se usa como primera etapa
o preamplificador, los niveles de voltaje son tan pequeños que no controlamos la salida del
preamplificador en grandes excursiones.

Conclusiones: después de analizar la información recabada puedo concluir que ambos

transistores son muy útiles y siempre debemos revisar las necesidades que tenemos para
saber cual de los 2 utilizar, como por ejemplo en amplificadores de audio el BJT destaca con
respecto al fet, pero este es mejor para gestionar el poder, el BJT trabaja a alto voltaje pero
baja corriente, con bajas perdidas cuando se enciende, el fet es considerado un dispositivo de
alta corriente, pero bajo voltaje.
Bibliografía:
NASHELSKY, R. L. (2009). ELECTRONICA: TEORIA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS
ELECTRONICOS . NAUCALPAN DE JUAREZ, ESTADO DE MEXICO: PEARSON
EDUCACION .
ON SEMICONDUCTOR. (20 – 07 – 2019). OBTENIDO DE HTTPS://WWW.ONSEMI.COM
RAMIREZ, J. -J. (2016). SIMBOLOS Y COMPONENTES ELECTRONICOS. CDMX: IMORI
KIYS ELECTRONICA PARA LA EDUCACION.