LIGHT EMITTING DIODE (LED)

Física del estado sólido | Dr. Luis Zamora Peredo | MICRONA | Universidad Veracruzana | 2017

Ing. Marcos Luna Cervantes.

Bandas de energía

Banda de conducción

Banda de valencia
Semiconductores

 Un semiconductor es un elemento que se

comporta como un conductor o como un
aislante dependiendo de diversos factores,
como por ejemplo el campo eléctrico o
magnético, la presión, la radiación que le
incide, o la temperatura del ambiente en el
que se encuentre.

 Los semiconductores más usados

comparten la característica de que todos
ellos son tetravalentes. Los cuales a su vez
son dopados con un semiconductor
trivalente o pentavalente.
Dopaje de un material

 La adición de impurezas pentavalentes

como el antimonio, arsénico o fósforo,
aportan electrones libres, aumentando
considerablemente la conductividad del
semiconductor intrínseco, dopaje tipo N

 La adición de impurezas trivalentes tales

como boro, aluminio, o galio a un
semiconductor intrínseco, crean unas
deficiencias de electrones de valencia,
llamadas "huecos“, dopaje tipo P
Energía de Fermi

 La energía Fermi es la máxima energía

ocupada por un electrón a 0K. Por el
principio de exclusión de Pauli, se sabe que
los electrones llenarán todos los niveles de
energías disponibles, y el tope de ese “mar
de Fermi" de electrones se llama energía Banda de conducción
Fermi o nivel de Fermi.

Banda prohibida
 En los semiconductores intrínsecos (puros)
la energía de Fermi (Ef) se ubica Energía de fermi
aproximadamente entre la energía del
mayor nivel de la banda de valencia (Ev) y la
energía del menor nivel de la banda de
conducción (Ec).

 El nivel de Fermi se desplaza por las

impurezas del material.
Banda de valencia
Energía de Fermi

 La aplicación de la teoría de banda en los semiconductores de tipo n y tipo p, muestra que las impurezas añaden
niveles extras de energía. En el material de tipo n, hay niveles de energía de electrones cerca de la parte superior de la
banda prohibida, de modo que pueden ser fácilmente excitados hacia la banda de conducción. En el material de tipo
p, los huecos extras en la banda prohibida, permiten la excitación de los electrones de la banda de valencia, dejando
huecos móviles en la banda de valencia.

Tipo n Tipo p

Banda de conducción Banda de conducción

Energía de fermi

Banda prohibida
Banda prohibida

Energía de fermi

Banda de valencia Banda de valencia

Diodo de unión

 Uno de los dispositivos básicos en la electrónica es el que se forma al unir dos semiconductores uno de tipo p y el otro
de tipo n (la famosa unión p-n). El equilibrio de la unión de los semiconductores funciona de la siguiente manera:

 Al hacer la unión metalúrgica existe un flujo de electrones del tipo n al tipo p (y un flujo de huecos del tipo o al tipo n)

 Esto deriva en el rompimiento de la neutralidad eléctrica de cada material y se tenga una carga neta positiva en el lado n y una carga neta
negativa en el lado p.

 Esto origina una variación de la energía potencial electrostática de

ambos semiconductores aumentando la del tipo p y disminuyendo la
del tipo n. Dado que existe una entrada de electrones en el
semiconductor p y una salida de electrones en el tipo n.

 Lo anterior genera una diferencia de potencial entre ambos materiales.

 Aparece un campo eléctrico entre los dos materiales que se opone al

movimiento de los portadores de carga.

 El flujo de partículas se detiene cuando los dos niveles de Fermi se han

igualado. La fuerza que mueve los electrones del material n al p, se
iguala a la fuerza del campo eléctrico interno que se produce por el
movimiento de cargas.

 En adelante por cada electrón que va del tipo n al tipo p, existe otro
que va del tipo p al tipo n.
Dispositivo optoelectrónicos

 Los dispositivos optoelectrónicos basan su

funcionamiento en los semiconductores y
en los dispositivos semiconductores, en
realidad deben llamarse dispositivos
fotónicos ya que en ellos la partícula que
desempeña el papel más importante es el
fotón.

 Existen dos conceptos relacionados con los

dispositivos electro-ópticos: la
incandescencia y la luminiscencia.

 La incandescencia es la radiación resultante

de la temperatura del material, mientras
que la luminiscencia es la emisión de
radiación, que puede ser ultravioleta, visible
o infrarroja, como resultado de la excitación
electrónica.
Dispositivo optoelectrónicos

 Ciertas formas de energía permiten que

electrones se desplacen a niveles de mayor
energía y en consecuencia emitan radiación
al regresar a su estado base.

 Al suspender la forma de energía, pueden

suceder 2 cosas:
 La luminiscencia desaparece, en cuyo
caso se llama fluorescencia.
 La luminiscencia permanece, en cuyo
caso se llama fosforescencia,
usualmente se debe a un estado
metaestable que atrapa electrones y
los libera lentamente
Dispositivo optoelectrónicos

• Los materiales que basan su funcionamiento en los semiconductores se pueden dividir en

tres grupos:
1. Dispositivos que convierten energía eléctrica en radiación.
• LED.
• Diodo láser.
2. Dispositivos que detectan señales ópticas a través de procesos electrónicos.
• Fotodetectores.
3. Dispositivo que convierten radiación óptica en energía eléctrica.
• Celdas solares (dispositivos fotovoltaicos).
Diodo emisor de luz

 El LED, es un diodo que emite luz visible o invisible

(infrarroja) cuando se energiza. En cualquier unión
p-n polarizada en directa se da, dentro de la
estructura y principalmente ceca de la unión, una
recombinación de huecos y electrones.

 La recombinación se puede producir por procesos

radiantes o no radiantes. En una recombinación
radiante electrón y hueco se recombinan emitiendo
un fotón. En una recombinación no radiante, la
recombinación da lugar a calor o vibraciones de la
estructura. Se puede definir un tiempo de vida para
los portadores que se recombinen de forma
radiante (τr) y otro para los que se recombinen de
forma no radiante (τnr) siendo el tiempo de
recombinación total:

1 1 1
= +
𝜏 𝑇 𝜏𝑟 𝜏𝑛𝑟
Diodo emisor de luz

 En los procesos luminiscentes podemos tener dos

situaciones al emitir luz: la emisión espontánea,
como en el LED, donde no existe relación entre la luz
producida por la recombinación de dos electrones, y
la emisión estimulada, como en los láseres, donde
los fotones tienen una relación muy particular pues
son una copia idéntica uno del otro.

 La eficiencia cuántica interna para el proceso

radiante se define como:
1
𝜏𝑇 1
𝑛𝑄𝑖 = = 𝜏
1 1 1+𝜏𝑟
+
𝜏𝑟 𝜏𝑛𝑟 𝑛𝑟

 En semiconductores directos de alta calidad, la

eficiencia cuántica interna es cercana a la unidad. En
materiales indirectos el rendimiento es del orden de
10-2 a 10-3
Diodo emisor de luz

 Los diodos construidos de GaAs emiten luz Color Construcción Voltaje típico
en la zona infrarroja durante el proceso de en directa
recombinación.
Ámbar AlInGaP 2.1
 Aún cuando la luz no es visible, los
infrarrojos tienen muchas aplicaciones, tal
como sistemas de seguridad, procesamiento
Azul GaN 5.0
industrial, acoplamiento óptico, entre otros.
Verde GaP 2.2
 Mediante la combinación de elementos se
puede generar una luz visible coherente o
en fase. Naranja GaAsP 2.0

Rojo GaAsP 1.8

Blanco GaN 4.1

Amarillo AlInGaP 2.1

Diodo emisor de luz

 Una forma de construir un LED, es depositando tres capas de semiconductores

sobre un sustrato. Entre las capas semiconductoras de tipo p y tipo n, hay una
región activa que emite luz cuando se recombinan los electrones y huecos.
Considerando la combinación p-n como un diodo, cuando se polariza
directamente, los huecos del material tipo p y los electrones del material tipo
n, son ambos impulsados hacia la región activa. La luz se produce por un
proceso de estado sólido llamado electroluminiscencia.

 En este diseño en particular, las capas del LED emiten luz por todos los sitios
alrededor de la estructura en capas, esta estructura de LED se coloca en el
interior un pequeño vaso reflectante, para que la luz de la capa activa se refleje
hacia la dirección de salida deseada.

Región activa
+

+
- -
Diodo emisor de luz

 La máxima potencia emitida de un LED, es en la dirección

perpendicular a la superficie de emisión. El patrón de radiación
típico, muestra que la mayor parte de la energía se emite dentro de
20º de la dirección de máxima de luz. Algunos paquetes de LED
incluyen lentes de plástico, para esparcir la luz a un mayor ángulo de
visibilidad.

 El material de construcción “favorito” para LEDs es el GaAsP, a este

material le podemos cambiar la relación de impurezas(AsP) lo que
permite diversas longitudes de onda(colores) sobre la base de la
siguiente ecuación Ga As1-X Px (x es una fracción de mol), para
x=1(verde), x=0.85(amarillo), x=0.40(rojo) y x=0(infrarrojo).

 NOTA:
En diodos de Si y Ge el mayor porcentaje de la energía convertida durante
la recombinación en la unión, se disipa en forma de calor dentro de la estructura
y la luz emitida es insignificante, por esta razón no se utilizan en la construcción
de LED.
Diodo emisor de luz

 Mover un electrón de un nivel de energía a

otro requiere una cantidad específica de
energía. La cantidad de energía implicada está
dada por:

Donde
ℎ𝑐 h= 6.626 x 10-34 Js , constante de Planck
𝐸𝑔 =
 c= 3 x 108 m/s , velocidad de la luz en el vacío

 = longitud de onda en metros

 Sabiendo que el band gap del GaAs es de 1.43 eV y sustituyendo en

la ecuación anterior, obtenemos que:

𝑚
ℎ𝑐 6.626𝑥10−34 𝐽𝑠 3𝑥108 𝑠
1.43𝑒𝑉 1.6𝑥10−19 𝐽
eV  J = 2.288𝑥10−19 𝐽 = = −19
= 8.69𝑥10−7 𝑚 = 𝟖𝟔𝟗𝒏𝒎
1𝑒𝑉 𝐸𝑔 2.288𝑥10 𝐽
Diodo emisor de luz

 Realizando los cálculos para otro material, ejemplo el GaAsP, cuya

brecha es de 1.9 eV, obtenemos que:

1.9𝑒𝑉 1.6𝑥10−19 𝐽
= 3.04𝑥10−19 𝐽
1𝑒𝑉

𝑚
ℎ𝑐 6.626𝑥10−34 𝐽𝑠 3𝑥108 𝑠
= = −19 = 6.54𝑥10−7 𝑚 = 𝟔𝟓𝟒𝒏𝒎
𝐸𝑔 3.04𝑥10 𝐽
Diodo emisor de luz
𝐺𝑎𝐴𝑠 = 𝟖𝟔𝟗𝒏𝒎
𝐺𝑎𝐴𝑠𝑃 = 𝟔𝟓𝟒𝒏𝒎

 Este valor encontrado coloca ciertamente

al GaAS en la zona de longitud de onda
utilizada por lo general en dispositivos
infrarrojos.

 Para un material compuesto como el

GaAsP con una brecha de 1.9 eV la
longitud de onda resultante lo coloca en
el centro de la zona roja, lo que lo hace un
semiconductor excelente para fabricar
LEDs.

 Podemos entonces definir que:

 La longitud de onda y la frecuencia
de la luz de un color específico está
directamente relacionada con la
brecha de la banda de energía del
material.
Diodo emisor de luz

 Como hemos mencionado hasta el momento, el LED,

es en esencia un diodo p-n directamente polarizado.
Los electrones y los huecos inyectados como
portadores minoritarios atraviesan la unión y se
recombinan bien por radiante o no radiante. El LED
debe ser diseñado para que la recombinación radiante
sea lo más fuerte posible.

 En la figura se observa la inyección de portadores en

una unión. Los huecos inyectados en la zona profunda
generan fotones que no saldrán a la superficie por ser
reabsorbidos. Los fotones generados por los
electrones al estar más cerca de la superficie sí que
serán emitidos al exterior.

 El LED se diseña de forma que los fotones se emiten

desde la parte superior del diodo (zona p) y no de la
parte inferior (zona n) ya que en este último caso
tendrían una alta posibilidad de ser absorbidos antes
de emerger.
Diodo emisor de luz

 La energía del fotón está relacionada con las energías de electrón y hueco a partir de la expresión:

2 2
ħ 𝑘2 1 1 ħ 𝑘2
ħ𝑤 − 𝐸𝑔 = + =
2 𝑚𝑒∗ 𝑚ℎ∗ 2𝑚𝑟∗

Donde m*r es la masa reducida para el sistema electrón-hueco.

 Las energías del electrón y del hueco se relacionan con la

energía del fotón por las relaciones:

2
ħ 𝑘2 𝑚𝑟∗
𝑒
𝐸 = 𝐸𝑐 + = 𝐸𝑐 + ∗ ħ𝑤 − 𝐸𝑔
2𝑚𝑒∗ 𝑚𝑒

2
ħ 𝑘 2 𝑚 ∗
𝑟
𝐸 ℎ = 𝐸𝑣 + = 𝐸𝑣 + ∗ ħ𝑤 − 𝐸𝑔
2𝑚ℎ∗ 𝑚ℎ
Diodo emisor de luz

 Si tenemos un electrón de la banda de conducción y un hueco de la banda de valencia con el mismo valor de k (vector
de onda), los dos pueden recombinarse y emitir un fotón. Como anteriormente se mencionó, hay 2 tipos de
emisiones, la que interesa por el tema de LED, es la espontanea., en la que un electrón se recombina con un hueco,
aunque no haya fotones presentes, y emite un fotón. La velocidad de este proceso de recombinación radiante viene
dada por la siguiente expresión:

𝑒 2 𝑛𝑟 ħ𝑤 2
𝑊𝑒𝑚 = 2 𝑝𝑐𝑣
3𝜋𝜀0 𝑚02 𝑐 3 ħ

𝑛𝑟 = í𝑛𝑑𝑖𝑐𝑒 𝑑𝑒 𝑟𝑒𝑓𝑟𝑎𝑐𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒𝑙 𝑠𝑒𝑚𝑖𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑡𝑜𝑟

𝑚0 = 𝑚𝑎𝑠𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟ó𝑛 𝑙𝑖𝑏𝑟𝑒
𝑝𝑐𝑣 = 𝑚𝑜𝑚𝑒𝑛𝑡𝑜 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑒 𝑙𝑎 𝑏𝑎𝑛𝑑𝑎 𝑑𝑒 𝑣𝑎𝑙𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑦 𝑙𝑎 𝑏𝑎𝑛𝑑𝑎 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑐𝑖ó𝑛

 𝑝𝑐𝑣 No varía mucho de un semiconductor a otro y viene dado por la expresión:

2
2𝑝𝑐𝑣
≅ 22𝑒𝑉
𝑚0
Diodo emisor de luz

 Por lo tanto, la velocidad de recombinación radiante, por ejemplo para el GaAs (nr= 3.66) corresponde a:

𝑒 2 𝑛𝑟 ħ𝑤 2
𝑊𝑒𝑚 = 2 𝑝𝑐𝑣 =
3𝜋𝜀0 𝑚02 𝑐 3 ħ

−1.6𝑥10−19 𝐶 2
3.66 ħ𝑤 22𝑒𝑉(9.1𝑥10−31 𝐾𝑔)
𝑊𝑒𝑚 =
𝐶 2 𝑚 3 2
3𝜋 8.854𝑥10−12 9.1𝑥10−31 𝐾𝑔 2 3𝑥108 6.5821𝑥10−16 𝑒𝑉𝑠 2
𝑁𝑚2 𝑠

9.38x10−67 C 2 eV Kg(ħw) 9.38x10−67 (ħw)

𝑊𝑒𝑚 = =
8.08𝑥10−76 𝐶 2 𝐾𝑔 𝑒𝑉 2 𝑠 8.08𝑥10−76 𝑒𝑉𝑠

𝑊𝑒𝑚 ~1.14𝑥109 ħ𝑤 𝑒𝑉𝑠 −1

Diodo emisor de luz

 El segundo proceso de emisión es la emisión estimulada, en éste, la presencia de fotones de frecuencia ω en una
cavidad en el semiconductor, provoca un incremento en la velocidad de recombinación que viene dada por:

𝑒 2 𝑛𝑟 ħ𝑤
𝑒𝑠𝑡 =
𝑊𝑒𝑚 2 𝑝𝑐𝑣 2 ∙ 𝑛𝑝ℎ ħ𝑤
3𝜋𝜀0 𝑚02 𝑐 3 ħ

 El tiempo de recombinación de un electrón de momento ħ k con un hueco con el mismo momento (en ausencia de
fotones, es decir, emisión espontánea) se define como (para el caso del GaAs):

1 0.88
𝜏0 = = 𝑒𝑉 𝑛𝑠
𝑊𝑒𝑚 ħ𝑤

 Para materiales como el GaAs, el valor de τ0 es de alrededor de 1ns mientras que para materiales indirectos el tiempo
de recombinación radiante puede llegar a ser del orden de 1μs.
Diodo emisor de luz

 El diagrama E-k de las bandas de energía nos

dice que los electrones en la banda de
conducción Nn(E) y los huecos en la de valencia
Np(E) presentan una distribución según su
energía. La concentración de electrones en la
banda de conducción en función de la energía
es una función n(E), la cual viene dada por el
producto:

𝑛 𝐸 = 𝑁𝑛 𝐸 𝑓 𝑒 𝐸

𝑁𝑛 𝐸 = 𝑑𝑒𝑛𝑠𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒 𝑒𝑠𝑡𝑎𝑑𝑜𝑠 𝑒𝑛𝑒𝑟𝑔é𝑡𝑖𝑐𝑜𝑠

𝑝𝑒𝑟𝑚𝑖𝑡𝑖𝑑𝑜𝑠 𝑒𝑛 𝑢𝑛 𝑠𝑖𝑠𝑡𝑒𝑚𝑎 𝑡𝑟𝑖𝑑𝑖𝑚𝑒𝑛𝑠𝑖𝑜𝑛𝑎𝑙
𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑒𝑙 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟ó𝑛 𝑑𝑒𝑛𝑡𝑟𝑜 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑏𝑎𝑛𝑑𝑎 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑐𝑖ó𝑛.

𝑓 𝑒 𝐸 = 𝑓𝑢𝑛𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑑𝑖𝑠𝑡𝑟𝑖𝑏𝑢𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒
𝐹𝑒𝑟𝑚𝑖 − 𝐷𝑖𝑟𝑎𝑐, la cual nos proporciona la
probabilidad de encontrar un electrón en un estado con energía E.
Diodo emisor de luz

3
1 ∗
2𝑚𝑒 2 1
𝑁𝑛 𝐸 = 2 2 𝐸− 𝐸𝑐 2
2π ħ

1
𝑓𝑒 𝐸 = 𝐸−𝐸𝐹
1+ 𝑒 𝐾𝐵 𝑇

donde EF = energía de Fermi

3
∞
𝑚𝑒∗ 𝑘𝐵 𝑇 2 𝐸𝐹 −𝐸𝐶 𝐸𝐹 −𝐸𝐶
𝑛= 𝑁𝑛 𝐸 ∙ 𝑓𝑒 𝐸 ∙ 𝑑𝐸 = 2 ∙ 2 𝑒 𝑘𝐵 𝑇 = 𝑁𝑐 𝑒 𝑘𝐵 𝑇
𝐸𝐶 2𝜋ħ

donde 𝑁𝑐 = densidad efectiva de estados en la banda de conducción

Diodo emisor de luz

 La concentración de huecos en la banda de

valencia en función de la energía es una función
p(E), la cual viene dada por:

p 𝐸 = 𝑁𝑝 𝐸 𝑓 ℎ 𝐸

𝑁𝑝 𝐸 = 𝑑𝑒𝑛𝑠𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒 𝑒𝑠𝑡𝑎𝑑𝑜𝑠 𝑒𝑛𝑒𝑟𝑔é𝑡𝑖𝑐𝑜𝑠

𝑝𝑒𝑟𝑚𝑖𝑡𝑖𝑑𝑜𝑠 𝑑𝑒𝑛𝑡𝑟𝑜 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑏𝑎𝑛𝑑𝑎 𝑑𝑒 𝑣𝑎𝑙𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎.

𝑓 𝑒 𝐸 = la probabilidad de encontrar
un hueco en un estado con energía E.
Diodo emisor de luz

3
∗ 2
1 2𝑚ℎ 1
𝑁𝑝 𝐸 = 2 2 𝐸𝑣 − 𝐸 2
2π ħ

𝑓 ℎ 𝐸 = 1 − 𝑓 𝑒 (𝐸)

donde EF = energía de Fermi

3
𝐸𝑣
𝑚ℎ∗ 𝑘𝐵 𝑇 2 𝐸𝐹 −𝐸𝑣 𝐸𝐹 −𝐸𝑣
𝑛= 𝑁𝑝 𝐸 ∙ 𝑓ℎ 𝐸 ∙ 𝑑𝐸 = 2 ∙ 2 𝑒 𝑘𝐵 𝑇 = 𝑁𝑣 𝑒 𝑘𝐵 𝑇
∞ 2𝜋ħ

donde 𝑁𝑉 = densidad efectiva de estados en la banda de valencia

Diodo emisor de luz

 Entre mayor sea la probabilidad de ocupación de un estado energético para electrones y huecos, es decir el
producto 𝑓 𝑒 𝐸 𝑒 𝑓 ℎ 𝐸 ℎ , mayor será la probabilidad de emisión de fotones. La frecuencia de emisión de
fotones se obtiene de integrar la velocidad de recombinación radiante (Wem) sobre todas las energías (E= ħw)
considerando todos los pares electrón-hueco con las probabilidades de ocupación de los estados energéticos
correspondientes, en pocas palabras, de manera “simple” y elegante:

𝑅𝑠𝑝𝑜𝑛 = 𝑊𝑒𝑛 𝑁𝑐𝑣 ħ𝑤 𝑓 𝑒 𝐸 𝑒 𝑓 ℎ 𝐸 ℎ 𝑑 ħ𝑤

1
𝑅𝑠𝑝𝑜𝑛 = 𝑁𝑐𝑣 ħ𝑤 𝑓 𝑒 𝐸 𝑒 𝑓 ℎ 𝐸 ℎ 𝑑 ħ𝑤
𝜏0

3
𝑚𝑟∗ 1 ∗
2𝑚r 2 1/2
𝑁𝑐𝑣 ħ𝑤 = 𝑁𝑛 𝐸𝑒 = 2 ħ𝑤 − 𝐸𝑔 𝑑𝑒𝑛𝑠𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑐𝑜𝑛𝑗𝑢𝑛𝑡𝑎 𝑑𝑒 𝑒𝑠𝑡𝑎𝑑𝑜𝑠
𝑚𝑒∗ 2𝜋 ħ
2
Diodo emisor de luz
 El resultado de la integración anterior nos da los límites más importantes para la emisión espontánea:

1. Si la concentración de electrones, n , y de huecos, p, es pequeña, la frecuencia de emisión de fotones vale

2 3/2
1 2𝜋ħ 𝑚𝑟∗
𝑅𝑠𝑝𝑜𝑛 = 𝑛𝑝
2𝜏0 𝑘𝐵 𝑇𝑚𝑒∗ 𝑚ℎ∗

2. En el caso de que se inyecten electrones en una zona p altamente dopada o huecos en una zona tipo n
altamente dopada, la frecuencia de emisión espontánea vale (considerando fh(Eh) o fe(Ee) igual a 1):

3/2 3/2
1 𝑚𝑟∗ Para una concentración de n 1 𝑚𝑟∗ Para una inyección de huecos
𝑅𝑠𝑝𝑜𝑛 ≈ 𝑛 electrones inyectados en una 𝑅𝑠𝑝𝑜𝑛 ≈ 𝑝 en una región altamente
𝜏0 𝑚ℎ∗ región p altamente dopada 𝜏0 𝑚𝑒∗ dopada de tipo n

3. En el caso en que se produce la inyección de una alta concentración tanto de electrones como de huecos
(n=p) en una determinada región, la frecuencia de emisión vale:

𝑛 𝑝
𝑅𝑠𝑝𝑜𝑛 ≈ ≈
𝜏0 𝜏0
Diodo emisor de luz
1
𝜏𝑇 1
 Recordando lo anteriormente citado, la eficiencia cuántica interna para el proceso 𝑛𝑄𝑖 = = 𝜏𝑟
1 1 1+
radiante se define como: + 𝜏𝑛𝑟
𝜏𝑟 𝜏𝑛𝑟

 También es importante considerar la eficiencia cuántica externa, en la cual existen 3 mecanismos fundamentales de
pérdidas de fotones emitidos:

1. Los fotones emitidos pueden ser reabsorbidos por el semiconductor generando pares electrón-hueco.
2. Una determinada fracción de los fotones será reflejada en la interfase semiconductor-aire (no emergen), también
llamadas pérdidas FRESNEL. Para un LED de GaAs con nr= 3.66, las pérdidas son de un 33%. Para evitar esto el
dispositivo se cubre con una cúpula dieléctrica cuyo IOR es de aprox. 1.6, lo que reduce el número de fotones
reflejados. 2
𝑛𝑟2 − 𝑛𝑟1
𝑅=
𝑛𝑟2 + 𝑛𝑟1
3. Algunos fotones incidirán sobre la superficie con ángulos superiores al ángulo crítico sufriendo un proceso de reflexión
interna total. Para el caso del GaAs, su ángulo crítico es de 15.9°, al usar la cúpula dieléctrica, aumenta a 38.7°

𝑛𝑟1
𝜃𝑐 = 𝑎𝑟𝑐𝑠𝑒𝑛
𝑛𝑟2
Conclusiones

 Ventajas de los LED:

1. Velocidades extremadamente altas (pocos nanosegundos).
2. Ancho de banda espectral estrecho, centrado próximo al pico de respuesta de muchos detectores de Si.
3. Bajo costo.
4. Larga vida comparada con las lámparas.
5. Linealidad en un amplio margen en salida en función de Ia entrada.
6. Adaptable a funcionar con láser coherente.
7. Funcionamiento a baja tensión, lo cual los hace compatibles con circuitos integrados.
8. Variedad de colores.

 Las desventajas del LED son:

1. La potencia de salida radiante y la situación del centro de longitud de onda dependen de la temperatura.
2. Fácil destrucción por sobretensión o sobrecorriente.
3. Teóricamente no se consigue buen rendimiento excepto con enfriamiento especial o trabajo intermitente.
4. Ancho de banda óptico grande, comparado al láser.
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