UNIDAD IV.

FOTODETECTORES
OBJETICO GENERAL:

ESPECIFICAR EL PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DE

CONVERSION LUZ-CORRIENTE ELECTRICA,CONOCER
LOS DISTINTOS TIPOS DE FOTODETECTORES Y SUS
CARACTERISTICAS
DETECTORES ÓPTICOS
El detector convierte la señal óptica que procede de la fibra en señal
eléctrica como primera parte del proceso de recepción; a continuación, la
señal se regenera, bien para llevarla a un equipo terminal o para ser
incorporada a la siguiente etapa de un repetidor óptico.

Los sistemas que operan actualmente, incorporan la detección directa

de una señal que moduló en intensidad de luz a la portadora de la fuente;
el detector se limita a obtener una fotocorriente a partir de la luz
modulada incidente, por lo que la corriente obtenida por el fotodetector
será proporcional a la potencia de luz recibida y corresponderá a la
forma de onda de la moduladora.

En principio, el tipo más sencillo de detector corresponde a la unión

p-n de un semiconductor cuyo intervalo de energía entre las bandas de
valencia y de conducción sea pequeño, lo que permitirá que un fotón que
incida en la unión tenga suficiente energía para permitir la creación de un
par electrón-hueco. Ambos portadores circularán en sentidos opuestos,
creando una fotocorriente sobre el circuito externo.
esto permitira desplazar los electrones y huecos producidos por la
accion de la fotodeteccion , produciendose asi una corriente (flujo de
portadores) dentro del diodo. Esta corriente inducida por los fotones es
directamente proporcional a la potencia de luz incidente en el
dispositivo.

I0= R * P optica incidente

Siendo la constante de proporcionalidad R una “figura de merito”

del fotodetector denominada Responsividad del fotodetector. Que esta
descrita por:

R = ή q__ λ ή= eficiencia de conversion

h c q= carga del electron
h= ccte de plank = 6,63. 1O-34 J . S
c= velocidad de la luz
Esta corriente fotoinducida se suma a la corriente de polarizacion ya
existente Ip (existente sin luz incidente en el dispositivo).
 DIODOS FOTODETECTORES SEMICONDUTORES
Los fotodetectores del tipo conductivos son aquellos en donde se crean
eletrones libres simplemente al incidir la luz sobre estos . Entre ellos
encotramos las fotoresistencias que estan fabricada por un metal llamado
selenio . Este elemento tiene la propiedad de liberar electrones cuando sobre
ellos inciden la luz. La corriente de polarizacion es muy alta en comparacion
con la corriente generada por los fotones de luz. Por lo que esta ultima es
despreciable. Por lo que se busco como alternativa desarrollar dispositivos
semiconductores del tipo p-n .

Los Fotodiodos son diodos semiconductores que operan polarizados

inversamente. Durante la absorción de la luz, cuando un fotodiodo es
iluminado, las partículas de energía luminosa, también llamadas fotones, son
absorbidas generando pares electrón-hueco, que en presencia de un campo
eléctrico producen una corriente eléctrica.
Al polarizar inversamente la unión p-n se crea una región de transición
grande alrededor de la región de union, en la cual al incidir un foton para una
frecuencia en particular este es absorbido y produce la transision de un
electron de la banda de valencia a la banda de conducion. Generandose un par
hueco-electron en la region de transicion. Debido a la polarizacion inversa se
crea en los extremos del dispositivo un fuerte campo electrico. Este campo
electrico desplaza este par hueco-electron hacia las regiones n y p
respectivamente.
 La corriente resultnate en el diodo es la suma de la corriente de polarizacion
inversa( que es muy pequeña ) mas la fotocorriente producida por la luz incidente
en el dispositivo.
Se busca ensanchar en el diodo la zona de transición pero sin
producir un aumento en la corriente de polarización inversa. Al aumentar
la zona de transición mejora la responsividad R y la eficiencia ή del
diodo, permitiendo asi amentar la fotocorriente producida por la luz
incidente. Por la razones anteriores se decidio introducir una region
intrinseca entre las regiones p y n originando el dispositivo denominado
diodo pin.
FOTODIODO PIN.
Este diodo está conformado por una capa intrínseca, casi pura, de
material semiconductor, introducida entre la unión de dos capas de
materiales semiconductores tipo n y p. Se aplica una tensión de polarización
inversa

La luz entra al diodo por una ventana muy pequeña y es absorbida por
el material intrínseco, el cual agrega la energía suficiente para lograr que los
electrones se muevan de la banda de valencia a la banda de conducción y se
generen portadores de carga eléctrica que permiten que una corriente fluya
a través del diodo.
 Como consecuencia de la introducción del material intrínseco I y el
fuerte dopaje en las capa n y p el ancho de la zona de transición es
incrementado y esto origina:
a)Un campo eléctrico mayor en la región de transición que acelera los
electrones libres aumentando la velocidad del dispositivo.
b) Como consecuencia del fuerte dopaje se reducen las concentraciones de
portadores minoritarios y por tanto la corriente inversa de polarización.
En definitiva trae como ventajas un mayor rango espectral de deteccion
una mayor sensibilidad y eficiencia .
 FOTODIODO APD (AVALANCHA)

La luz entra al diodo y es absorbida por la capa n, haciendo que ciertos

electrones pasen de la banda de valencia a la banda de conducción.
Debido al gran campo eléctrico generado por la polarización inversa tan alta
utilizada (de 50 a 100 volt) , los electrones adquieren velocidades muy altas y
al chocar con otros electrones de otros átomos, hacen que éstos se ionicen.
(liberen electrones. Los átomos ionizados (electrones liberados) ionizan
(liberan) a su vez otros átomos, desencadenando un efecto de avalancha de
corriente fotoeléctrica.
Los fotodiodos APD son 10 veces más sensibles que los diodos PIN y
requieren de menos amplificación adicional. Su desventaja radica en que los
tiempos de transición son muy largos y su vida útil es muy corta.
Los fotodiodos APD de Silicio presentan ruido bajo y un rendimiento hasta
del 90% trabajando en primera ventana. Su factor de ganancia, M, es alto
(de 50 a 150) y no es crítico, porque la ganancia del receptor es fácilmente
controlable mientas el factor F sea bajo.
DIODOS PIN Vs DIODOS APD