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Carrera Técnica de:

MANTENIMIENTO ELÉCTRICO E INSTRUMENTACIÓN

Unidad Didáctica
ELECTRÓNICA DE POTENCIA

Tarea de Lectura

“EL IGBT”

Instructor: VILLAR LUIS ENRIQUE

Estudiantes:

PEREZ OSCATA, HENRY ANTONY

Sede: Fernando Chaves Belaunde / Arequipa

Fecha: Arequipa, 08 de diciembre del 2023


Tarea de Lectura / CETEMIN-MEI

INDICE
DESARROLLO DEL TEMA ......................................................................................................................4
¿Qué es un IGBT ?...........................................................................................................................4
¿Dónde utilizamos los IGBT ?...........................................................................................................4
¿Cuales son las caracteristicas de un IGBT? ......................................................................................5
¿Como esta construido internamente ?............................................................................................6
¿Que es un MOSFET y cuales son sus caracteristicas ?.......................................................................6
CONCLUSIONES ..................................................................................................................................8
BIBLIOGRAFÍA.....................................................................................................................................9
Tarea de Lectura / CETEMIN-MEI
INTRODUCTORIO

En este presente informe lograremos determinar sobre que es un IGBT para así saber su función con la
finalidad de tener en cuenta sobre uso o también para informarnos más sobre el curso.
IGBT significa Transistor bipolar de puerta aislada y es un tipo de dispositivo semiconductor de potencia
utilizado en electrónica de potencia y control de motores. Combina las características de los transistores
bipolares y los transistores de efecto de campo de puerta aislada (IGFET).

IGBT tiene tres terminales: colector, emisor y compuerta. Actúa como un interruptor controlado por una
señal aplicada a la puerta. Cuando se aplica un voltaje más alto a la puerta, permite que la corriente fluya
entre el colector y el emisor, como un interruptor cerrado o "encendido". Por el contrario, cuando el
voltaje aplicado a la puerta es bajo, bloquea el flujo de corriente entre el colector y el emisor, actuando
como un interruptor de encendido o apagado.
Una de las principales ventajas del IGBT es su capacidad para manejar altas corrientes y voltajes, lo que lo
hace adecuado para aplicaciones de potencia. También presenta una baja caída de tensión cuando está
en modo de conducción, lo que resulta en una eficiencia energética mejorada.

El IGBT se utiliza en una amplia gama de aplicaciones, como sistemas de tracción de vehículos elé ctricos,
fuentes de alimentación, inversores de frecuencia variable, controladores de motor, entre otros. Su
capacidad para controlar la potencia de forma eficiente lo convierte en un componente esencial en la
electrónica moderna
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DESARROLLO DEL TEMA

¿Qué es un IGBT ?

Es un dispositivo versátil adecuado para ambas áreas de la electrónica debido a su alta


capacidad de manejo de corriente y el voltaje de saturación muy pequeño que normalmente
manejan los transistores bipolares y, al igual que los transistores de efecto de campo FET,
tiene en la puerta las mismas características. La forma en que conduce la corriente es similar a
la de un transistor JFET.

¿Dónde utilizamos los IGBT ?

Los IGBT (Transistores Bipolares de Puerta Aislada) se utilizan en una amplia variedad de
aplicaciones en electrónica de potencia debido a su capacidad para manejar altas corrientes y
voltajes. Algunas de sus aplicaciones incluyen:

 Fuentes conmutadas
 Control de tracción de motores
 Sistemas de climatización y refrigeración
 Electrodomésticos como cocinas de inducción
 Sistemas de energía renovable como inversores solares y eólicos
 Sistemas de tracción eléctrica, como trenes y tranvías
 Convertidores de frecuencia para motores eléctricos
 Sistemas de soldadura y corte por plasma

Estas son solo algunas de las muchas aplicaciones en las que se utilizan los IGBT debido a su capacidad
para manejar grandes cantidades de potencia de manera eficiente y controlada
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¿Cuales son las caracteristicas de un IGBT?

Los IGBT (Transistores Bipolares de Puerta Aislada) son semiconductores de tres terminales
que combinan la capacidad de transmisión de corriente de un transistor bipolar con la
característica de aislamiento de un MOSFET. Algunas de las características principales de los
IGBT incluyen

Corriente máxima permitida: Es la corriente máxima que puede fluir a través del dispositivo
cuando está en conducción.

Tensión de control: Es la tensión necesaria para controlar el dispositivo, generalmente se aplica


entre la puerta y el emisor.

Resistencia interna: Es la resistencia que presenta el dispositivo cuando no se aplica tensión de


control.

Rapidez de conmutación: Los IGBT pueden cambiar rápidamente entre estados de conducción
y bloqueo, lo que permite una frecuencia de conmutación alta. Por ejemplo, los IGBT pueden
cambiar de estado en aproximadamente 100 kHz

Mayor densidad de potencia: Los IGBT pueden almacenar una gran cantidad de potencia en un
tamaño relativamente pequeño, lo que los hace ideales para aplicaciones donde se requiere un
alto rendimiento en un tamaño reducido

Estas características hacen que los IGBT sean populares en aplicaciones de alta potencia y
tensión, como fuentes conmutadas, control de tracción de motores y sistemas de energía
renovable
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¿Como esta construido internamente ?

Un IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) es un dispositivo semiconductor que se puede


concebir como un transistor Darlington híbrido. Está construido con cuatro capas alternas (P-N-
P-N) controladas por una estructura de puerta semiconductora de óxido metálico (MOS) sin

.La sección transversal de silicio de un IGBT es muy similar a la de un MOSFET

Este dispositivo es versátil y aplicable en operaciones de media y alta frecuencia, manejando


más potencia que los MOSFET pero siendo más lento, y manejando frecuencias más altas que
el SCR, con conmutación más rápida y menores pérdidas por conducción que este último

¿Que es un MOSFET y cuales son sus caracteristicas ?


Un transistor MOSFET (transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor) es un dispositivo de
conmutación eléctrica que opera mediante el control de la tensión aplicada a su terminal de compuerta

Sus características son:

 Permite corrientes de corte muy pequeñas cuando no conduce.

 Puede conmutar grandes corrientes.

 Tiene un consumo en modo estático bajo.

 Se construye sobre un semiconductor y consta de tres terminales: compuerta (gate),


drenador (drain) y fuente (source).
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 Sus características fundamentales incluyen la máxima tensión drenador-fuente, máxima
corriente de drenador, resistencia en conducción, tensiones umbral y máximas de puerta,
y velocidad de conmutación.

CURVAS CARACTERÍSTICAS DE LOS IGBT


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CONCLUSIONES

Bueno al llegar al final llegamos a deducir que el IGBT) es un componente semiconductor que combina
las características de un transistor bipolar y un MOSFET

La principal ventaja del IBGT

IGBT es su capacidad para manejar alta corriente y alto voltaje, lo que lo hace adecuado para
aplicaciones eléctricas como convertidores de frecuencia, motores eléctricos y fuentes de alimentación
electrónicas.

Su estructura interna es un transistor bipolar controlado por MOSFET, el cual es muy eficiente, pero su
rendimiento es muy bajo. Además, los IGBT tienen una mayor resistencia al voltaje que los MOSFET
tradicionales.

Sin embargo, los IGBT también tienen algunas desventajas, como una corriente más baja en
comparación con la potencia MOSFET. Esto puede provocar pérdidas de energía y mayores necesidades
de calefacción.

En conclusión, el IGBT es un componente semiconductor electrónico que combina las ventajas de los
transistores bipolares y los MOSFET para controlar mejor grandes corrientes y voltajes en varios
dispositivos electrónicos. Su elección dependerá de los requerimientos de cada uso que tenga.
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BIBLIOGRAFÍA
EL IGBT
https://sensoricx.com/electronica-de-potencia/transistores-igbt/
QUE ES LE IGBT
https://electronicamade.com/transistor-igbt/

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