Amplificadores

Multietapa con
transistores BJT Y
JFET

Circuitos electronicos
formados por uno o
mas transistores,
que pueden ser
acoplados en forma
directa o por medio
de capacitores

Configuraciones
clasicas

Amplificador
Par Darlington Par Diferencial
Cascode

Alta impedancia de
Relación de
entrada e incremento Alta impedancia
rechazo en modo
de la ganancia de de salida
común elevada
corriente

Transistores BJT Transistores

MOSFET

Son dispositivos
semiconductores de Un MOSFET es un
estado solido que transistor de efecto
permiten controlar el de campo por
paso de corriente o medio de un
disminuir voltaje a semiconductor
traves de sus óxido que se usa
terminales. como dieléctrico.

Estructura de los Parametros Funcionamiento Funcionamiento Estructura Funcionamiento de

Existen dos tipos
transistores BJT, el de
tipo NPN y el PNP.
Las letras hacen
referencia a las capas
de material
semiconductor que
están construidos.
Tipo
NPN
Esta formado por dos
capas de material tipo
?N? y separadas por
una capa tipo ?P?.
La zona
Eo
emisor
Es la más fuertemente
dopada, es la zona en
cargada de ?emitir? o
inyectar portadores
mayoritarios hacia la
base.
BJT
Están formados por
dos uniones de tipo ?P
y N? o bien de dos
diodos
semiconductores.
Tipo
NPN
Esta formada por dos
capas de material tipo
?P? y separadas por
una capa tipo ?N?.
Cuentan con 3
terminales
La zona
B o base
Su nivel de dopado
es inferior al de la
zona de emisor. Su recoger o ?colectar?
misión es la de dejar
pasar la mayor parte inyectados que han
posible de portadores
inyectados por el atravesar la base por
parte del emisor. Es la
emisor hacia el
zona con un nivel de
colector.
dopado inferior de las
principales como interruptor como amplificador un Mosfet como
interruptor
Es la condición de voltaje y de
POL Se debe aplicar una pequeña señal de
corriente que se establece en un Para que los transistores BJT Los mosfet se construyen sobre un
corriente en la terminal base para controlar
transistor para fijar un punto de funcionen como interruptores semiconductor (tipo N o P) que se llama
una corriente de salida mayor en las El Mosfet controla el paso de la corriente
VCE operación
Voltaje (Q), Emisor
Colector para mantener
(VOLTAGE el electrónicos se debe operar en la terminales colector y emisor. Tienes que sustrato.
Sobre este semiconductor se funden el entre una entrada o terminal llamado fuente
transistor en la región
COLLECTOR activa directa.
EMITTER). zona de corte y saturación para tener en cuenta que hay distintos tipos de
sumidero y el drenaje (entrada y salida) que sumidero (source) y una salida o terminal
transistores BJT los cuales tienen diferentes
impedir o permitir el paso de es un semiconductor contrario al llamado drenador (drain), mediante la
Corriente de colector, medida en características técnicas, cada uno de ellos
IC corriente en un circuito. tiene una ganancia de corriente conocida semiconductor usado para el sustrato. aplicación de una tensión (con un valor
amperios Recubriendo este bloque se coloca una
como beta del transistor, dependiendo del mínimo llamada tensión umbral) en el
tipo de amplificación que requieras verificar capa de óxido metálico aislante que hace
Potencia de disipación, medidas en de dieléctrico aislante entre la fuente y el terminal llamado puerta (gate).
PD la beta del transistor para obtener la
watts amplificación de corriente deseada. sumidero. El transistor de efecto de campo se
Region de Region de Por encima de este óxido se coloca una comporta como un interruptor controlado por
Frecuencia de trabajo, medida en corte saturación placa de metal conductor. tensión, donde el voltaje aplicado a la
FT El óxido con el metal forman la tercera
kilohertz Formula puerta permite hacer que fluya o no
patilla o borne de conexión llamada puerta
o gate (en inglés). corriente entre drenador y fuente.
Este parámetro de modelo Hibrido
HFE
?H? de corriente alterna, el cual se
usa para el diseño de circuitos con Para este tipo de transistores bipolares, la
En esta región la
transistores, ?F? proviene de los Las uniones amplificación concierne de la corriente. La
corriente de colector
términos amplificación con es cero o casi cero colector-base y base corriente del colector ?Ic? es proporcional
polarización directa y ?E? de para cualquier valor emisor están a la corriente en la base multiplicada por
configuración de emisor común. de voltaje polarizadas la «beta» del transistor. La operacion de un MOSFET se divide en 3
colector-emisor, las directamente, el Ic = (hFE)*(Ib) regiones de operacion, esto depende de la
uniones colector-base voltaje Donde:
tension que se aplique en sus terminales
y base emisor están colector-emisor es - Ic = Corriente de colector
inversamente pequeño y la corriente - hFE = Beta del transistor
La zona polarizadas. es muy grande. - Ib = Corriente en la base
Este factor de ganancia depende de la
Co corriente del colector y en ocasiones
Región de Region Región de
colector puede variar.
Corte Lineal Saturación
Es encargada de Si se polariza en la región de corte se
impide el paso de corriente, cuando se
los portadores polariza en la región de saturación se Cuando VGS > Vth y VDS < ( VGS ? Vth ) Cuando VGS > Vth y VDS > ( VGS ? Vth )
Cuando VGS < Vth. En esta región el
permite el paso de la corriente, de esta
MOSFET se comporta como un interruptor El comportamiento en esta región no es En esta región el transistor actúa como una fuente
manera los transistores BJT funcionan como
sido capaces de interruptores electrónicos donde solo hay abierto en el modelo más simple. Sin exactamente lineal y la corriente entre el de intensidad independiente de la diferencia de
dos estados lógicos 0 y 1. embargo, en un modelo más realista en drenador y el surtidor es modelada por potencial aplicada, y su comportamiento se modela
esta zona se ocasiona una corriente de medio de la ecuación: con la siguiente ecuación:
subumbral que está descrita por la
siguiente expresión:
tres.
Donde ID0 es la corriente que existe
cuando VGS = Vth