BJT FET UJT

El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction El transistor de efecto campo (FET, del El transistor uniunión o transistor
transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de inglés field-effect transistor) es un unijuntura (UJT del inglés UniJuntion
estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas transistor que usa el campo eléctrico para Transistor) es un tipo de transistor
entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el controlar la forma y, por lo tanto, la constituido por dos zonas semiconductoras y,
Nombre voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través conductividad de un canal que transporta un por lo tanto, una juntura p-n. El nombre
de sus terminales. solo tipo de portador de carga, por lo que del dispositivo surge de esta última
inglés/español
también suele ser conocido como transistor característica. Este componente electrónico
unipolar. posee tres terminales denominados emisor
(E), base uno (B1) y base dos (B2).

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los Este dispositivo no se utiliza en
cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de amplificación lineal, sino que se reserva
Transistor FET
carga para aplicaciones de conmutación como
de tipo de
mayoritarios dentro de las diferentes regiones del
interruptor.
transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados canal N.
Siglas hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es Más específicamente, se utiliza ampliamente
mayor que la movilidad de los "huecos" en los en los circuitos de disparo de los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y
rectificadores controlados por silicio y
Y velocidades de operación.
TRIACs.
entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente
ingresando a la base en configuración emisor-común es También, su bajo costo y sus características,
Transistor FET
Simbología amplificada en la salida del colector. han garantizado su uso en una amplia
de tipo de
variedad de aplicaciones como osciladores,
La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la canal P.
generadores de impulsos, generadores de onda
terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la
diente de sierra, control de fase, circuitos
corriente convencional circula cuando el dispositivo está en
de temporización y fuentes reguladas de
funcionamiento activo.
voltaje o corriente.
 Un transistor cuenta con 3 terminales. En el caso del Los transistores de efecto de campo Es muy pero muy útil en circuitos y sistemas
transistor BJT estos terminales son: emisor, colector y (FET) son dispositivos de tres terminales: industriales donde se incluyen mecanismos
base.Existen dos tipos de transistores bipolares: transistor
FUENTE (Source), DRENAJE (Drain) y de conteo como: circuitos temporizadores,
NPN y transistor PNP.Ambos son similares, aunque no
PUERTA (Gate) que trabajan controlando circuitos osciladores, circuitos generadores
exactamente iguales.
la corriente entre drenaje y fuente a de formas de onda y sistemas de control por
Terminales Emisor: salida de corriente (entrada de corriente en PNP)
través del campo eléctrico establecido Gate o compuerta (SCR) y por supuesto los
mediante la tensión aplicada. triacs. Este dispositivo, posee tres
terminales los cuales son denominados:
emisor base 1 y base 2.

Colector: entrada de corriente (salida de puerta de corriente • Tiene una impedancia de entrada Fijándose en la curva característica del UJT
en PNP) Base: pin de control extremadamente alta (casi 100MΩ). se puede notar que cuando el

Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones
semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de
la base y la región del colector. Estas regiones son,
respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP; y tipo N,
Características
tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región del
Principales
semiconductor está conectada a un terminal, denominado
emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.
La base está físicamente localizada entre el emisor y el
colector y está compuesta de material semiconductor
ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea
la región del emisor, haciendo casi imposible para los
electrones inyectados en la región de la base escapar de ser
colectados, lo que hace que el valor resultante de α se
acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al
transistor una gran β.
• No tiene un voltaje de unión cuando se
utiliza como conmutador (interruptor).
• Hasta cierto punto es inmune a la
radiación.
• Es menos ruidoso.
• Puede operarse para proporcionar una
mayor estabilidad térmica.
• Es muy sensible.
voltaje sobrepasa un valor de ruptura, el
UJT presenta un fenómeno de modulación de
resistencia que, al aumentar la corriente
que pasa por el dispositivo, la resistencia de
esta baja y por ello, también baja el voltaje
en el dispositivo, esta región se llama
región de resistencia negativa. Este es un
proceso con realimentación positiva, por lo
que esta región no es estable, lo que lo
hace excelente para conmutar, para
circuitos de disparo de tiristores y en
osciladores de relajación.