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Resumen Ejecutivo
En el presente informe es sobre la práctica de laboratorio III, de la asignatura
Electrónica II, se realizo con el fin de aplicar la temática; Modulador AM con JFET y
verificar su comportamiento mediante la simulación del circuito modulador AM.

Primeramente se da a conocer el fundamento teórico y la construcción del circuito

modulador AM con el JFET 2N5485, para lo cual se utilizo el simulador Multisim, por
estar más familiarizado con su uso y cuenta con los dispositivos electrónicos que se
requieren para el montaje del circuito.

Luego se efectuó el análisis del circuito modulador AM con JFET 2N5485, que consta
de dos señales de entrada, el mensaje y la portadora. Con ello se realizara el análisis de
de cómo el voltaje controla la corriente en un JFET en un circuito modulador AM.

Cada uno de los datos obtenidos de forma simulada y teórica, se utilizaron para
comparar los resultados y verificar como es el funcionamiento del circuito modulador
AM con JFET 2N5485. Con los datos obtenidos y las graficas realizadas se concluye con
los aprendizajes adquiridos durante el desarrollo de la práctica de laboratorio.

Objetivo

 Observar cómo el voltaje controla la corriente en un JFET en un modulador AM

Materiales
 1 JFET 2N5485.
 Potenciómetro 50kΩ.
 Fuente AC 1VP a 4000Hz.
 Fuente AC 3Vp a 100kHz.
 1 resistencia de 100kΩ.
 2 resistencias de 1MΩ.
 1 resistencia 10kΩ.
 1 capacitor de 1nF.
  1 capacitor de 1μF.

Marco Teórico
Modulador AM

Las señales de información deben ser transportadas entre un transistor y un receptor

sobre alguna forma de medio de transmisión. Sin embargo las señales de información
pocas veces encuentran una forma adecuada para la transmisión. La modulación de
define como el proceso de transformar información de su forma original a una forma
más adecuada para la transmisión. La modulación de amplitud (AM) es un proceso en el
que una señal portadora de alta frecuencia es modulada por una señal de modulación de
baja frecuencia (generalmente un audio). En amplitud modulada la amplitud portadora
varía con la amplitud de modulación.

Fig. 1 Señales AM

La primera señal modulada en amplitud fue transmitida en 1901 por un ingeniero

canadiense llamado Reginald Fessenden. Tomó una transmisión de chispa continua y
colocó un micrófono de carbono en el cable de la antena.
Las ondas de sonido que impactan en el micrófono variaron su resistencia y esto a su
vez varió la intensidad de la transmisión. Aunque muy crudas, las señales eran audibles
a una distancia de unos pocos cientos de metros, aunque hubo un sonido áspero causado
por la chispa.

Con la introducción de señales de onda sinusoidal continua, las transmisiones mejoraron

significativamente, y AM pronto se convirtió en el estándar para las transmisiones de
voz. Hoy en día, la modulación de amplitud, AM se usa para la transmisión de audio en
las bandas de onda larga media y corta, y para la comunicación de radio bidireccional en
VHF para aeronaves.
Sin embargo, como ahora hay métodos más eficientes y convenientes para modular una
señal, su uso está disminuyendo, aunque todavía pasarán muchos años antes de que ya
no se use.
Transistores tipo JFET
La estructura física de un transistor de efecto de campo de unión (JFET: junction field-
effect transistor). El dispositivo consiste en un canal de semiconductor tipo n, con
contactos óhmicos (no rectificadores) en cada extremo, llamados drenador y fuente. A
los lados del canal hay regiones de material semiconductor tipo p conectadas
eléctricamente entre sí y al terminal denominado puerta.

Fig. 2 Símbolos

La unión pn entre la puerta y el canal es un contacto rectificador similar a los diodos de

unión pn. En casi todas las aplicaciones, la unión entre la puerta y el canal está
polarizada en inversa, por lo que prácticamente no entra ninguna corriente a través del
terminal de la puerta. Teniendo presente que, para que haya una polarización inversa en
una unión pn, el lado p debe ser negativo con respecto al lado n. Por tanto, la puerta es
negativa con respecto al canal durante el funcionamiento normal de un JFET de canal n.
Por el contrario, para el trabajo en la región de saturación o en la óhmica, la puerta de
un NMOS de acumulación debe ser positiva con respecto al canal.

Fig. 3 Estructura Interna Simplificada

Polarización y funcionamiento de los JFET
Para operar correctamente, los JFET necesitan ser polarizados mediante dos tensiones
externas, como se indica en la figura. La tensión V DD dirige el paso de los portadores de
corriente por el canal y la tensión VGS regula su cantidad. Esta última debe polarizar
inversamente la unión PN entre el canal y el sustrato. Por tanto, en un JFET de canal N
la fuente debe ser positiva con respecto a la compuerta y negativa con respecto al
drenador.

Fig. 4 Polarización JFET

Características de entrada y de salida de los FET de unión

Todos los FET de unión (FET), sin excepción, operan en el modo de empobrecimiento
(depletion). Esto significa que a través del canal fuente-drenador circula la máxima corriente
(lDmax) cuando la polarización de la compuerta (V GS) es cero. Para reducir esta corriente o
cortarla completamente (llevarla a cero), la compuerta debe ser polarizada inversamente. En
el caso de un JFET de canal N, por ejemplo, debe aplicarse una polarización negativa, mientras
que en el de un JFET de canal P debe aplicarse una polarización positiva. Esta situación se
ilustra gráficamente mediante una curva característica de transferencia, como la mostrada en
la figura. En este caso particular, la ID máxima, correspondiente a V GS=0, es de 10mA, mientras
que la tensión VGS de corte, correspondiente a lD=0, es de -4V.
 Fig. 5 Curva característica de transferencia de un JFET

De igual forma, el comportamiento de la corriente de drenador (ID) en función del

voltaje drenador-fuente (VDS) para distintos valores de la tensión de compuerta (VGS) se
representa gráficamente mediante un conjunto de curvas características de salida, como
las mostradas en la figura, muy similares a las de un BJT. En cada caso la corriente ID
se incrementa rápidamente al principio para luego estabilizarse y permanecer
prácticamente constante. Si la tensión de drenador (VDS) es muy alta, por encima de su
valor máximo, el JFET entra en la zona de ruptura y se destruye físicamente. En nuestro
caso, esta tensión (VDSmax) es del orden de 25V.

Fig. 6 Características Generales de Salida

La parte plana de cada curva característica de salida, donde la corriente ID es

prácticamente constante, se denomina región de saturación y se localiza entre la tensión
de ruptura (VDSmax) y una tensión mínima, llamada tensión de estrangulamiento (VP o
VPO). Asimismo, la parte de la curva comprendida entre V DS=0 y VDS=VP se denomina
región lineal u óhmica. En esta zona, mostrada en detalle en la figura, el dispositivo se
comporta básicamente como una resistencia.
Montaje y Obtención de Datos
1. Simulación del circuito de la figura 1. Para el análisis de cómo el voltaje
controla la corriente de un JFET en un circuito modulador AM.

Fig. 6 Modulador AM.

2. Comportamiento del voltaje controlando la corriente de un JFET en un circuito

modulador AM.

Voltaje controlando la corriente de un JFET

VS Is
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Tabla 1 Vs vrs Is

Resultados Teóricos
Resultados Simulados
Conclusiones (Revise las conclusiones por favor)

 Realizando la simulación se logró visualizar que en algunos casos la forma de

onda modulada tendía a ser sobre modulada esto se debe a que el índice de
modulación es mayor a 1.
 La modulación es el proceso mediante la cual una señal de datos de baja
frecuencia es imprimida en una señal portadora de alta frecuencia.
 Mediante la modulación podemos modificar a nuestro gusto la frecuencia de
nuestra señal de datos y así poderla irradiar sin ningún problema de interferencia

Bibliografía Consultada

BOYLESTAD, R. L., & NASHELSKY, L. (2009). Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos. En R.

L. BOYLESTAD, & L. NASHELSKY, Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos (págs.
294 - 299). México: PEARSON EDUCACIÓN.

Hambley, A. (2001). Electrónica. En A. Hambley, Electrónica (págs. 23 - 27). España: Pearson

Educación.