está en estrangulamiento cuando la tensión de
fácil conectar MOSFET en paralelo para una
mayor capacidad de manejo de corrientes
su resistencia en estado activo tiene un
coeficiente de temperatura positivo
suben mucho más rápido con la tensión de
bloqueo especificada que las de un BJT
PÉRDIDAS POR CONDUCCIÓN EN
ESTADO ACTIVO
las compuertas no se pueden conectar en forma
directa entre sí, sino que se debe usar una pequeña CONEXIÓN DE MOSFET EN
resistencia
PARALELO
BJT PARÁSITO
tiene un BJT parásito en su estructura que
puede bloquearse en estado activo en
circunstancias extremas, como velocidades
muy grandes de aumento en la tensión de
drenaje-fuente
Ocurre en circuitos de puente
compuerta-fuente es menor que la tensión de
umbral
tienen una estructura de orientación vertical
con una región de deriva de drenaje un poco
dopada y una estructura muy interdigitada de
compuerta-fuente
COMPUESTOS DE MUCHAS CELDAS PARA LOGRAR UNA
GANANCIA GRANDE
ESTRUCTURA BÁSICA
MOSFET DE POTENCIA
ÁREA DE OPERACIÓN SEGURA (AOS)
para aplicaciones de modo conmutado es
grande (rectangular) porque no está sujeto a
rupturas secundarias.
significa que, las más de las veces, no se
necesitan circuitos de amortiguadores para el
Las características de la salida para un
dispositivo de canal p son las mismas que de
un canal n, excepto que las polaridades de
corriente y tensión están invertidas,
La terminal de la fuente es común entre la
entrada y la salida de un MOSFET
es un dispositivo de tres terminales donde la
entrada, la compuerta en el caso del
MOSFET, controla el flujo de corriente entre
las terminales de salida, la fuente y el drenaje.
la curva de transferencia es muy lineal
CARACTERÍSTICAS I-V
Las únicas cargas que se tienen que mover son
CARACTERÍSTICAS DE
las que están en las capacitancias de
CONMUTACIÓN disipación y las capacitancias de la zona de
degradación
son intrínsecamente más rápidos que los
dispositivos bipolares
se enciende por la aplicación de una tensión
de compuerta-fuente lo bastante grande para
inducir una capa de inversión en la zona del
canal del MOSFET que pone en cortocircuito
el drenaje a la fuente
Sección transversal del Mosfet Voltaje vs Corriente