Deposición química en fase vapor (CVD)

La deposición química en fase de vapor (Chemical Vapour Deposition o CVD) es un

método de fabricación de recubrimientos, polvos, fibras y componentes
monolíticos. Proceso botón-up creando nanomateriales en la clasificación 2D.

Ha sido aplicado tradicionalmente, con el objetivo de producir gran número de capas

de diferentes tipos de materiales conductores, semiconductores y aislantes.

Es un proceso mediante el cual se deposita un sólido, como producto de las

reacciones químicas entre los reactivos en estado gaseoso sobre una superficie
que se encuentra a una elevada temperatura.

Este tipo de reacciones pueden activarse por diferentes vías (calor, luz, plasma
etc), lo que conlleva a la formación de un producto sólido estable.

En los procesos de CVD pueden ocurrir una gran cantidad de reacciones químicas, y
estas pueden ser activadas por diversos metodos.

 Activación térmica, tiene lugar a temperaturas superiores a los 700 °C,

aunque la temperatura se puede reducir considerablemente cuando los
precursores son metalorgánicos (MOCVD).

 Activación por plasma, en este caso las reacciones se dan a temperaturas

mucho más bajas, es decir en el rango de 300-500 °C.

 Activación por fotones, normalmente con radiación ultravioleta, la cual puede

ocurrir por la activación directa del reactante o por la activación de un
intermediario.

En los procesos de CVD tienen lugar las siguientes etapas:

 Los reactivos gaseosos son introducidos dentro del reactor mediante un flujo
forzado.

 Los gases difunden a través de la capa límite.

 Los gases entran en contacto con la superficie del sustrato.

 Las reacciones de deposición tienen lugar sobre la superficie del sustrato.

 Los subproductos de la reacción difunden desde la superficie, hacia el exterior

a través de la capa límite.
Instrumentos usados en el CVD

 Sistema de suministro de precursores gaseosos. Provee las sustancias en

fase gaseosa que contienen los elementos que se van a depositar sobre el
sustrato. Los más usados como son los hidruros, haluros de metales y
compuestos organometálicos.

 Reactor de CVD. Permiten el calentamiento del sustrato a la temperatura de

deposición. Estos pueden ser de pared fría o pared caliente

 Sistema de tratamiento de gases y subproductos residuales. Dispositivo

para la neutralización de los gases de salida y/o un sistema de vacío para
obtener el vacío requerido para los procesos de CVD que requieren baja
presión o ultra alto vacío