Universidad Nacional de Colombia

Sede Manizales

Facultad de Ingenieria y Arquitectura

Laboratorio 2 (Transistores)

Juan Esteban Granada

Mateo Duque Gaviria
Juan Esteban Villada

Profesor:
Mario Andres Bolaños.
Asignatura:
Electronica Analogica I

Manizales, Colombia.
12 de octubre de 2023
 Informe: 12 de octubre de 2023
Diodos Pág. 1

I. Topicos a tratar
Estudiar las curvas características de los transisto-
res NPN

II. Objetivos
Estudiar el transistor NPN a travez de las curvas
de I-V :
Simulando un transistor para investigar la corriente
Grafica de Ic vs Vbe (NPN.2n3904)
del colector vs voltaje en la base-emisor y voltaje
colector-emisor
Implementar un circuito y tomar medidas de la Como se puede observar en la grafica, apartir de un
curva de Ic vs Vbe y Ic vs Vce. Vbe >0.6V el transistor comienza a conducir y por
Extraer los valores de B y VA ende empieza a incrementar la corriente.
Cuando Vbe = 0.7 V:
III. Materiales Ib = 33.3 uA
Equipos de laboratorio y tarjeta de prototipado Ic = 3.79 mA
rápido (Protoboard) En la siguiente simulacion lo podemos observar:
Un transistor NPN (ej. 2N3904)
Un transistor PNP (ej. 2N3906)
Varios cables y resistores de diferentes resistencias.

III-A. Parte 1: NPN

III-A1. Simulacion : Considere el circuito mostrado
en la siguiente figura:

Esquematico hecho en TINA Esquematico para observar el valor de Ic y Ib

Ingrese el circuito a su simulador, aplique un voltaje

DC a la base y al colector del transistor. Gracias a esto podemos hallar el valor de B (Ganancia):

Ic vs Vbe B = Ic/Ib = (3.79 mA)/(33.3 uA) = 114

Mientras aplica un voltaje constante a Vce de 5V,
realice un barrido de voltaje en la base desde 0V a
0,8V con incrementos de 0.1V. Grafique la curva de Ic
vs Vbe, En qué valor de Vbe se activa la corriente?,
Cuanto es el valor de Ib y Ic cuando Vbe = 0.7V?
Basados en estos valores, cuanto es el valor de B
(Ganancia).
Ic vs Vce
Para tres valores de Vbe (0,6V,0,7V y 0,8V), realice
un barrido en el voltaje del colector desde 0V a 2V en
incrementos de 0.1V. Grafique las curvas de Ic vs Vce
en un mismo gráfico indicando el valor de Vbe en cada
curva.
 Informe:
Diodos
Grafica de Ic vs Vce
III-A2. Medidas a mano : Ensamble el circuito de
la Figura anterior, usando una fuente de potencia para
generar voltajes DC.
Ic vs Vbe
Mientras configura Vce a un valor constante de 5V,
realice un barrido de voltaje en la base de 0V hasta
0,8V en incrementos de 0.1V , y mida la corriente del
colector usando alguno de los equipos del laboratorio.
Grafique la curva Ic vs Vbe. A qué valores de Vbe
el transistor NPN se enciende? A travez de una
resistencia muy pequeña mida las corrientes de la base
y del colector para un Vbe = 0,7v?, basado en estos
resulatdos cual es el valor de B (Ganancia)?
Grafica de Ic vs Vbe (NPN.2n3904)
Como se puede observar en la grafica, apartir de un
Vbe >0.6V el transistor comienza a conducir y por ende
empieza a incrementar la corriente.
Cuando Vbe = 0.7 V:
Ib = 6.57 uA
Ic = 1.01 mA
Gracias a esto podemos hallar el valor de B (Ganancia):
B = Ic/Ib = (1.01 mA)/(6.57 uA) = 154
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IC vs VCE
Para tres valores de VBE (0,6V,0,7V y 0,8V), realice
un barrido de voltaje del colector desde 0V hasta 1V
en incrementos de 0.1V y mida la corriente del colector
usando alguno de los equipos del laboratorio. Grafique
la curva IC vs VCE en una sola gráfica indicando
claramente los valores de VBE.
Grafica de Ic vs Vce
III-A3. Ejercicios de Pos-medida: Simulacion vs
medidas
Cuales son las diferencias principales entre la simulación
y los datos medidos? Explicar las diferencias.
- En la simulación, los resultados son más ideales y no
tienen en cuenta imperfecciones del transistor real. en
los datos se puede observar que la corriente del colector
(IC) en la simulacion aumenta bruscamente cuando se
alcance el voltaje umbral, mientras que en el transistor
real el aumento es mas gradual.
- La simulación no tiene en cuenta efectos parásitos
como capacitancias o resistencias internas del transistor,
que pueden afectar ligeramente los valores de voltaje y
corriente.
- El ruido y variaciones aleatorias que están presentes
en las medidas experimentales no aparecerán en la
simulación, dando medidas más suaves y predecibles.
- En la práctica, se necesita un voltaje de base ligera-
mente más alto para empezar a conducir corriente en
el colector, en comparación con el valor teórico de la
simulación.
- En la grafica Ic vs Vce se obseva que en la toma de
datos experimental la corriente tiende a variar, mientras
que en el simulador tenemos que para un mismo voltaje
de la base-emisor la corriente del colector tendra au-
mentos leves a medida que aumenta el voltaje de el
colector-emisor
 Informe:
Diodos
Voltaje Early, VA
Basado en la simulacion de IC vs VCE para un transistor
en la region activa, extraer el voltaje de Early VA. ¿VA
Cambia significativamente para cada valor de VBE?,
¿Cual es el valor promedio de VA?
III-A4. Exploración extra: Siguiendo el tutorial del
siguiente link, obtenga las curvas de Ic vs VBE para el
transistor con la ayuda del Analog discovery 2. La curva
obtenida se asemeja a la obtenida en la parte 2?.
Graficas vistas en el Analog Discovery 2
Si , ambas graficas tienen demasiada similitud, las
pequeñas diferencias que se observan es debido a que
estamos tomando las medidas a mano y es normal que
los equipos y componentes que se utilicen no sean del
100 °/ seguros
III-B. Parte 2: PNP
III-B1. Simulacion : Considere el circuito mostrado
en la siguiente figura:
Esquematico hecho en TINA
Ingrese el circuito a su simulador, aplique un voltaje DC
a la base y al colector del transistor. En el diagrama, el
emisor es indicado como el nodo de referencia.
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Ic vs Vbe
"Mientras aplica un voltaje constante a Vce de 5V,
realice un barrido de voltaje en la base desde 0V a
0,8V con incrementos de 0.1V. Grafique la curva de Ic
vs Vbe, En qué valor de Vbe se activa la corriente?,
Cuanto es el valor de Ib y Ic cuando Vbe = 0.7V?
Basados en estos valores, cuanto es el valor de B
(Ganancia)."
Grafica de Ic vs Vbe (PNP.2n3906)
Como podemos observar en la grafica, el transistor
PNP 2N3906 comienza a conducir aproximadamente
apartir de Vbe >0.6 V
Cuando Vbe = 0.7 V:
Ib = 4.42 uA
Ic = 973 uA
En la siguiente simulacion lo podemos observar:
Esquematico para hallar el valor de Ib y Ic
Gracias a esto podemos hallar el valor de B (Ganancia):
B = Ic / Ib = (973)/(4.42) = 220
 Informe:
Diodos
Ic vs Vbe
Para tres valores de Vbe (0,6V,0,7V y 0,8V), realice
un barrido en el voltaje de la base desde 0V a 2V en
incrementos de 0.1V. Grafique las curvas de Ic vs Vce
en un mismo gráfico indicando el valor de Vbe en cada
curva.
Grafica de Ic vs Vce
III-B2. Medidas a mano : Ensamble el circuito de
la Figura anterior, usando una fuente de potencia para
generar voltajes DC.
Ic vs Vbe
Mientras configura Vce a un valor constante de 5V,
realice un barrido de voltaje en la base de 1V hasta
-0,8V en incrementos de 0.1V , y mida la corriente del
colector usando alguno de los equipos del laboratorio.
Grafique la curva Ic vs Veb. A qué valores de Veb
el transistor NPN se enciende? A travez de una
resistencia muy pequeña mida las corrientes de la base
y del colector para un Veb = 0.7v?, basado en estos
resulatdos cual es el valor de B (Ganancia)?
Grafica de Ic vs Vbe (PNP.2n3906)
Como podemos observar en la grafica, el transistor
PNP 2N3906 comienza a conducir aproximadamente
apartir de Vbe >0.6 V
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Pág. 4
Cuando Vbe = 0.7 V:
Ib = 13 uA
Ic = 2236uA
Gracias a esto podemos hallar el valor de B (Ganancia):
B = Ic / Ib = (2236)/(13) = 172
Ic vs Vbe
Para tres valores de Veb (0,6V,0,7V y 0,8V), realice un
barrido de voltaje del colector desde 0V hasta 1V en
incrementos de 0.1V y mida la corriente del colector
usando alguno de los equipos del laboratorio. Grafique
la curva Ic vs Vec en una sola gráfica indicando
claramente los valores de Vec.
Grafica de Ic vs Vce
III-B3. Ejercicios de Pos-medida: Simulacion vs
medidas
Cuales son las diferencias principales entre la simulación
y los datos medidos? Explicar las diferencias.
Observando las graficas y los datos podemos concluir
que la simulacion se asemeja bastante al metodo expe-
rimental, sin embargo, se pueden ver pequeñas diferen-
cias, debido a lo mencionado en el punto 1 PNP de esta
respectiva pregunta, pero el transistor PNP requiere una
tensión base-emisor negativa para comenzar a conducir,
mientras que en el NPN la tensión debe ser positiva y
la polaridad de la corriente es opuesta (Ic positiva en
PNP y negativa en NPN).
Voltaje Early, VA
Basado en la simulacion de Ic vs Vec para un transistor
en la region activa, extraer el voltaje de Early VA. ¿VA
Cambia significativamente para cada valor de VEC?,
¿Cual es el valor promedio de VA?
 Informe: 12 de octubre de 2023
Diodos Pág. 5

III-B4. Exploración extra: Siguiendo el tutorial del

siguiente link, obtenga las curvas de Ic vs VBE para el
transistor PNP con la ayuda del Analog discovery 2.
La curva obtenida se asemeja a la obtenida en la parte
2?.

Graficas vistas en el Analog Discovery 2

Si , ambas graficas tienen demasiada similitud, las

pequeñas diferencias que se observan es debido a que
estamos tomando las medidas a mano y es normal que
los equipos y elemtos que se utilicen no sean del 100
°/ seguros

Conclusiones
- Se puede concluir que se cumple el comportamiento
esperado de los transistores NPN y PNP, donde NPN
conduce con VBE positiva y PNP con VBE negativa.
- Las simulaciones muestran un comportamiento más
idealizado que los transistores reales, con curvas I-V más
predecibles.
- Existe cierta variabilidad entre transistores simulados
y reales en los valores exactos de beta, voltajes umbral
y saturación.
- Las curvas experimentales presentan más ruido y otros
efectos no ideales ausentes en la simulación.
- La simulación es útil para entender cualitativamente
el funcionamiento antes de pasar al laboratorio.
- Tanto la simulación como la experimentación son
necesarias para comprender en profundidad el compor-
tamiento de los transistores NPN y PNP. Los resultados
de ambas permiten extraer parámetros clave como beta,
voltajes umbral

IV. Referencias Bibliográficas

1. Sedra, A. S., Smith, K. C. (2004). Microelectro-
nic circuits. Oxford University Press.
2. Boylestad, R. L., Nashelsky, L. (2017). Electronic
devices and circuit theory. Pearson Education.
3. Streetman, B. G., Banerjee, S. K. (2015). Solid
state electronic devices. Pearson.