Universidad Nacional

Autónoma de México

Facultad de Ingeniería

Ingeniería en Computación

Laboratorio de Dispositivos Electrónicos

Práctica 5
“Caracterización del TBJ”

Alumno:
Martínez Araujo Jesús Alonso

Grupo: 05

Prof.: Ismael Romero Ocaranza

Fecha de entrega: 20/ Marzo / 2024

Introducción:

Transistor Bipolar Junction (TBJ)

También conocido como transistor bipolar o BJT (por sus siglas en inglés), es un
dispositivo semiconductor que es muy utilizado para amplificar y conmutar señales
eléctricas. El TBJ está compuesto por tres capas de material semiconductor, se cataloga
en una región de emisor, una región base y una región de colector.

Emisor (E): En la región de emisor, hay una fuente de corriente de electrones. Cuando
una corriente se aplica al emisor, los electrones son inyectados en la región base.

Base (B): La región base controla la corriente entre el emisor y el colector. La corriente
de la base (IB) fluye desde la base hacia el emisor. La cantidad de corriente de base
determina la cantidad de corriente que fluye desde el emisor hacia el colector.

Colector (C): En la región del colector es donde la corriente fluye hacia fuera del
transistor. La corriente de colector (IC) es el flujo de electrones desde el emisor hacia el
colector. La relación entre la corriente de base (IB) y la corriente de colector (IC) se
define como el factor de ganancia β (beta).

Cuando se aplica una pequeña corriente de base (IB), el transistor puede amplificar una
corriente mucho mayor entre el emisor y el colector (IC). Esto se debe a que el transistor
actúa como un interruptor controlado por la corriente de base, donde existirá un flujo de
corriente si el material semiconductor es de Silicio y se le aplica mínimo un voltaje
directo de 0.7[V] y si el material semiconductor es de Germanio solo se necesita de una
diferencia de potencial de 0.3[V].

Desarrollo:

I.- Identificar las terminales del transistor.

II.- Comprobar el estado del transistor.

Para el Transistor 2N2222

En el transistor NPN cuando el cátodo (Emisor y Colector) toca el positivo del

multímetro no hay continuidad.

Cuando el cátodo del transistor (Colector y Emisor) toca el negativo del multímetro y el
ánodo(Base) al positivo del multímetro si hay continuidad.

Para el transistor BC557

En el transistor PNP cuando el ánodo (Emisor y Colector) toca el negativo del
multímetro no hay continuidad.

En el transistor PNP cuando el ánodo (Emisor y Colector) toca el positivo del

multímetro y el cátodo (Base) toca el negativo del multímetro si hay continuidad.

III.- Mostrar y medir los efectos en la corriente de la base, de la polarización

directa e inversa del circuito. Alambrar el siguiente circuito.
 a) Aumente gradualmente Vf hasta obtener los valores de IB

IB[mA] .02 .04 .06 .08 .1 .2 .4 .6 .8 1 2 3

VBE 0.59 0.61 0.62 0.63 0.63 0.68 0.69 0.7 0.71 0.73 0.73 0.74

b) Obtenga la gráfica IB vs VBE

c) Compárela con la ideal.

Es muy parecida, ya que al igual que nuestra gráfica a partir de VBE = 0.6 [V]
comienza a aumentar la corriente de la base.

IV.-¿Qué sucede si se invierte la fuente del circuito anterior y se aumenta

gradualmente?
Si se cambia la polaridad y se invierte la polaridad de la fuente y se aumenta
gradualmente, se llega a un límite en VBE, el cúal es: VBE=9.11[V] con IB=2.19µA.

V.- Arme el siguiente circuito

IC(mA) 5 10 15 20 25 30

IB[mA] 20 34 57 74 92 111

a) Obtener el incremento de corriente en la base IB de 5-30 mA de corriente en el

colector. IBincremento=91mA

b) Ajuste la corriente de colector a 15 mA y aumente el voltaje de colector Vc=9V.

Mida el nuevo valor de Ic.
Ic=17.2mA

c) Aumente Vc=12 y registre la corriente de colector. Ic=18.1mA

d) ¿Cuál fue el cambio en la corriente del colector Ic? 1.1mA

VI.- Alambre el siguiente circuito.

a) Indique en qué posición del interruptor enciende el diodo emisor de luz

En el punto A, es decir cuando la resistencia se conecta a la parte positiva del circuito.

b) Indique las corrientes IB y IC

IB=11.3mA e IC=10.2mA

c) Mida los voltajes VBE y VCE

VBE=0.78[V], VCE=9.6[mV]

d) Pase a la posición en donde el LED esta apagado y mida las corrientes de base y
de colector IB e IC

IB=0A e IC=0A

e) Mida también los voltajes VBE y VCE

VBE=0V Y VCE=4.04[V]
VII.- Realice el punto VI con un transistor PNP

a) Indique en qué posición del interruptor enciende el diodo emisor de luz

Igual en el punto A, es decir cuando la resistencia se conecta a la parte positiva del

circuito.

b) Indique las corrientes IB y IC

IB=11.5mA e IC=10.3mA

c) Mida los voltajes VBE y VCE

VBE=0.81[V], VCE=30.8[mV]

d) Pase a la posición en donde el LED esta apagado y mida las corrientes de base y
de colector IB e IC

IB=0A e IC=0A

e) Mida también los voltajes VBE y VCE

VBE=0[V] Y VCE=4.04[V]

Conclusión:

Se pudo comprobar que la corriente de base es muy pequeña comparada con la corriente
de Emisor y la corriente del Colector, donde éstos últimos son muy similares. Cuando se
polariza en directa la base se puede decir que se trata de la parte base-emisor y cuando
se conecta en inversa se analiza la parte de base-colector. La beta es muy parecida a la
señalada en sus especificaciones además de que es muy alterable ya que a la hora de
calcularla cuando se ha hecho pasar corriente durante bastante tiempo en el transistor se
genera una potencia del colector grande (PD=VCEIC) y beta aumenta. Cuando se le
aplica un voltaje grande en la parte colector-emisor (VCE) se llega a la región de
operación de saturación y si se llegase a quemar el transistor entraría en la zona de
disrupción, por último, cuando VBB=0[V] nuestro transistor se encuentra en la zona de
corte. En base a lo visto en la práctica se puede afirmar que la configuración de las
conexiones es muy importante para poder comprender en qué zona de operación
trabajará nuestro transistor y que la teoría difiere en la práctica cuando el transistor tiene
una alta temperatura ya que ésta afecta a sus propiedades, esto se pudo ver reflejado en
las gráficas ya que si bien eran parecidas, estas pequeñas discrepancias generan las
pequeñas diferencias en las gráficas experimentales contra las reales.