Informe Laboratorio Practica 5: Electrónica Análoga 1

Sergio Alfredo Quintero Cosio

Santiago Naranjo Sánchez

Daniel Mosquera Silva

Universidad de Antioquia

Notas del autor

Sergio Alfredo Quintero Cosio, Santiago Naranjo Sánchez, Daniel Mosquera Silva, Facultad

de Ingeniería, Universidad de Antioquia

Universidad de Antioquia, Cl. 67 #53 - 108, Medellín, Antioquia

Contacto: sergio.quinteroc@udea.edu.co, santiago.naranjo1@udea.edu.co,

daniel.mosqueras@udea.edu.co
 Informe Laboratorio Practica 5: Electrónica Análoga 1

Sergio Alfredo Quintero Cosio

Santiago Naranjo Sánchez

Daniel Mosquera Silva

Docente: Sergio Andrés Diaz

Universidad de Antioquia

Marzo 2022

Notas del autor

Sergio Alfredo Quintero Cosio, Santiago Naranjo Sánchez, Daniel Mosquera Silva, Facultad

de Ingeniería, Universidad de Antioquia

Universidad de Antioquia, Cl. 67 #53 - 108, Medellín, Antioquia

Contacto: sergio.quinteroc@udea.edu.co, santiago.naranjo1@udea.edu.co,

daniel.mosqueras@udea.edu.co
 Contenido
Introducción ............................................................................................................................... 1

Objetivos .................................................................................................................................... 2

1. Transistores ...................................................................................................................... 3

2. Circuito 1 .......................................................................................................................... 4

3. Circuito 2 .......................................................................................................................... 7

4. Circuito 3 .......................................................................................................................... 9

5. Circuito 4 ........................................................................................................................ 12

6. Circuito 5 ........................................................................................................................ 15

7. Circuito 6 ........................................................................................................................ 17

Conclusiones ............................................................................................................................ 19

Referencias ............................................................................................................................... 20
 1

Introducción

Un transistor, también conocido como un BJT (Transistor de Unión Bipolar), es un dispositivo

semiconductor impulsado por corriente, que puede ser utilizado para controlar el flujo de corriente

eléctrica en la que una pequeña cantidad de corriente en el conductor base controla una mayor

cantidad de corriente entre el Colector y el Emisor. Se pueden utilizar para amplificar una señal

débil, como un oscilador o un interruptor. Suelen estar fabricados de cristal de silicio donde se

intercalan las capas de semiconductor de tipo N y P

Elegir un transistor para su aplicación. Si desea simplemente encender un circuito o interruptor

en una carga, hay ciertas cosas que usted debe considerar. Determine si desea polarizar o energizar

su transistor con corriente positiva o negativa (p. ej. Tipo NPN o PNP, respectivamente). Un

transistor NPN es impulsado (o activado) por corriente positiva polarizada en la base para controlar

el flujo de corriente del Colector al Emisor. Los transistores de tipo PNP están impulsados por una

corriente negativa polarizada en la base para controlar el flujo del Emisor al Colector. (Note que

la polaridad para PNP se invierte desde NPN), (LeDuc, 2017).

 2

Objetivos

• Aprender cómo funcionan y cómo se usan los transistores PNP y NPN.

• Analizar que ocurre en los circuitos cuando el transistor se encuentra en corte y

saturación.

• Aprender como acelerar la respuesta de un transistor MOSFET.

• Identificar la diferencia entre los transistores de tecnología BJT y MOSFET.

 3

1. Transistores

Símbolo

A continuación, se muestra los símbolos de los transistores empleados para el desarrollo de la

práctica.

Imagen 1. Símbolo y polarización del transistor NPN y PNP

Para el desarrollo de la práctica se trabajó con los transistores PNP (2N3906) y NPN (2N222),

que luego de realizar el valor de la continuidad, tuvimos.

- Para el PNP (2N3906)

Valor de continuidad en el emisor medido: 0.666

Valor de continuidad en el colector medido: 0.596

- Para el NPN (2N222)

Valor de continuidad en el emisor medido: 0.657

Valor de continuidad en el colector medido: 0.653

 4

2. Circuito 1

Para el primer montaje, se hizo uso del transistor NPN (2N222). A continuación, se muestran

las ecuaciones que fueron utilizadas para los cálculos en el circuito.

𝛽
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 (1) ; 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 (2) ; 𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵 (3) ; 𝛽𝑠𝑎𝑡 = (4)
4

Esquemático

Imagen 2. Esquemático circuito 1.

Corte y saturación

Información

- El diodo en el circuito tiene como función que la corriente no se vaya para la fuente

- Cuando el transistor se satura, el voltaje del colector está entre 0.2V-0.4V

 5

Datos conocidos/medidos

En el desarrollo de este, se midieron parámetros necesarios para la solución de las ecuaciones,

teniendo.

𝑅𝑏𝑜𝑛𝑖𝑛𝑎 = 1.3𝑘Ω ; 𝛽 = 265 ; 𝑉𝐶𝐶 = 12𝑉 ; 𝑉𝐴𝐶𝐶 = 5𝑉

Para calcular el valor de la corriente en el colector, hacemos uso de la siguiente ecuación.

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑆𝑎𝑡𝑇𝑟𝑎𝑛
𝐼𝐶 = (5)
𝑅𝑏𝑜𝑏𝑖𝑛𝑎

Remplazamos los valores en la ecuación (5), teniendo.

12𝑉 − 0.2𝑉
𝐼𝐶 =
1.3𝑘Ω

𝑰𝑪 = 𝟗. 𝟎𝟕𝟕𝒎𝑨

Usando la ecuación (4) calculamos el 𝛽𝑠𝑎𝑡 , y remplazando los datos conocidos, tenemos.

265
𝛽𝑠𝑎𝑡 =
4

𝜷𝒔𝒂𝒕 = 𝟔𝟔. 𝟐𝟓

Ahora, para hallar la corriente en la base, se usa la ecuación (2) y remplazando el 𝛽 por 𝛽𝑠𝑎𝑡 ,

tenemos.

𝐼𝐶
𝐼𝐵 = (6)
𝛽𝑠𝑎𝑡

Remplazando los valores, tenemos.

9.077𝑚𝐴
𝐼𝐵 =
66.25

𝑰𝑩 = 𝟎. 𝟏𝟑𝟕𝒎𝑨
 6

El procedimiento anterior, se hace con el objetivo de poder encontrar el valor de la resistencia

𝑅𝐵 . Ahora conociendo los valores, partimos de la siguiente ecuación para tener el valor de 𝑅𝐵 .

𝑉𝐴𝐶𝐶 − 0.7𝑉
𝑅𝐵 = (7)
𝐼𝐵

Remplazando los valores en la ecuación (7), tenemos.

5𝑉 − 0.7𝑉
𝑅𝐵 =
0.137𝑚𝐴

𝑹𝑩 = 𝟑𝟏. 𝟑𝟖𝒌𝛀

Ahora, se hace la conexión a un bombillo para comprobar que los valores anteriores fueron

correctos.

𝑁
𝑁𝑂 𝐼𝐼0
\/
𝐶
Imagen 3. Esquemático para
conectar el bombillo

Una vez conocidos los valores, se realiza el montaje, teniendo.

Imagen 4. Montaje de circuito 1.

 7

3. Circuito 2

Para el segundo montaje, se hizo uso del transistor PNP (2N3906). Las ecuaciones que se

mantienen son las mismas que el punto anterior.

𝛽
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 (1) ; 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 (2) ; 𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵 (3) ; 𝛽𝑠𝑎𝑡 = (4)
4

Esquemático

Imagen 5. Esquemático circuito 2.

Corte y saturación

Datos conocidos/medidos

En el desarrollo de este punto, se midieron parámetros necesarios para la solución de las

ecuaciones, teniendo.

𝑅𝑏𝑜𝑛𝑖𝑛𝑎 = 1.3𝑘Ω ; 𝛽 = 265 ; 𝑉𝐶𝐶 = 12𝑉 ; 𝑉𝐴𝐶𝐶 = 0𝑉

 8

Para este punto, ya se tienen valores conocidos que fueron calculados en el punto anterior, que

son.

𝛽𝑠𝑎𝑡 = 66.25 ; 𝐼𝐵 = 0.137𝑚𝐴 ; 𝐼𝐶 = 9.077𝑚𝐴

Para hallar el valor de la resistencia 𝑅𝐵 , se parte de la siguiente ecuación hallada luego de hacer

el análisis en el circuito, teniendo.

(𝑉𝐶𝐶 − 0.7𝑉) − 𝑉𝐴𝐶𝐶

𝑅𝐵 = (8)
𝐼𝐵

Remplazando los valores en la ecuación (8), tenemos.

(12𝑉 − 0.7𝑉) − 0𝑉
𝑅𝐵 =
0.137𝑚𝐴

𝑹𝑩 = 𝟖𝟒. 𝟑𝒌𝛀

Ahora, se hace la conexión a un bombillo, siguiendo el mismo esquema de la imagen (3) para

comprobar que los valores anteriores fueron correctos.

Una vez conocidos los valores, se realiza el montaje, teniendo.

Imagen 6. Montaje de circuito 2.

 9

4. Circuito 3

Para el tercer montaje, se hizo usó un circuito integrado (4N25), mostrando a continuación el

datasheet.

Imagen 7. Datasheet 4N25.

Igual que en los puntos anteriores, se sigue haciendo uso de las siguientes ecuaciones.

𝛽
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 (1) ; 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 (2) ; 𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵 (3) ; 𝛽𝑠𝑎𝑡 = (4)
4

Esquemático

Imagen 8. Esquemático circuito 3.

Corte y saturación
 10

Datos conocidos/medidos

En el desarrollo de este punto, se midieron parámetros necesarios para la solución de las

ecuaciones, teniendo.

𝑅𝑏𝑜𝑛𝑖𝑛𝑎 = 1.3𝑘Ω ; 𝛽 = 265 ; 𝑉𝐶𝐶 = 12𝑉 ; 𝑉𝐴𝐶𝐶 = 12𝑉

Para este punto, ya se tienen valores conocidos que fueron calculados en el punto anterior, que

son.

𝛽𝑠𝑎𝑡 = 66.25 ; 𝐼𝐵 = 0.137𝑚𝐴 ; 𝐼𝐶 = 9.077𝑚𝐴

Cuando se cambia el valor del voltaje accionador, se debe volver a realizar el valor de la

resistencia 𝑅𝐵 , de la ecuación (7), tenemos.

𝑉𝐴𝐶𝐶 − 0.7𝑉
𝑅𝐵 = (7)
𝐼𝐵

Remplazando los valores en la ecuación (7), tenemos.

12𝑉 − 0.7𝑉
𝑅𝐵 =
0.137𝑚𝐴

𝑹𝑩 = 𝟖𝟐. 𝟒𝒌𝛀

Lo anterior es válido debido a que se usó el mismo esquemático del primer circuito 1, donde se

usó un transistor PNP (2N222), por lo que las ecuaciones y procedimientos usados son los mismos,

resaltando que para este caso cambió fue el valor del voltaje accionador a 12V, por lo que se hizo

uso de la ecuación (7) para calcular el valor de 𝑅𝐵 .

 11

Ahora, se hace la conexión a un bombillo, siguiendo el mismo esquema de la imagen (3) para

comprobar que los valores anteriores fueron correctos.

Una vez conocidos los valores, se realiza el montaje, teniendo.

Imagen 9. Montaje de circuito 3.

 12

5. Circuito 4

Para el cuarto montaje, se hizo usó un transistor (TIP122), mostrando a continuación el

datasheet.

Imagen 10. Datasheet TIP122.

Diagrama Simbólico, circuito interno, componente físico.

Las ecuaciones para este punto se mantienen, teniendo.

𝛽
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 (1) ; 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 (2) ; 𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵 (3) ; 𝛽𝑠𝑎𝑡 = (4)
4

Esquemático

Imagen 11. Esquemático circuito 4.

Corte y saturación
 13

Información

- El diodo en el circuito tiene como función que la corriente no se vaya para la fuente

- Cuando el transistor se satura, el voltaje del colector está entre 2.5V

Datos conocidos/medidos

En el desarrollo del punto, se midieron parámetros necesarios para la solución de las ecuaciones,

teniendo.

𝑅𝑏𝑜𝑛𝑖𝑛𝑎 = 1.3𝑘Ω ; 𝛽 = 1000 ; 𝑉𝐶𝐶 = 12𝑉 ; 𝑉𝐴𝐶𝐶 = 5𝑉

Para calcular el valor de la corriente en el colector, hacemos uso de la siguiente ecuación (5).

Remplazamos los valores en la ecuación (5), teniendo.

12𝑉 − 2.5𝑉
𝐼𝐶 =
1.3𝑘Ω

𝑰𝑪 = 𝟕. 𝟐𝟖𝒎𝑨

Usando la ecuación (4) calculamos el 𝛽𝑠𝑎𝑡 , y remplazando los datos conocidos, tenemos.

1000
𝛽𝑠𝑎𝑡 =
4

𝜷𝒔𝒂𝒕 = 𝟐𝟓𝟎

Ahora, para hallar la corriente en la base, se usa la ecuación (6).

Remplazando los valores, tenemos.

7.28𝑚𝐴
𝐼𝐵 =
250

𝑰𝑩 = 𝟐𝟗. 𝟏𝟒𝝁𝑨
 14

El procedimiento anterior, se hace con el objetivo de poder encontrar el valor de la resistencia

𝑅𝐵 . Ahora conociendo los valores, partimos de la ecuación (7) para tener el valor de 𝑅𝐵 .

𝑉𝐴𝐶𝐶 − 1.4𝑉
𝑅𝐵 = (7)
𝐼𝐵

Remplazando los valores en la ecuación (7), tenemos.

5𝑉 − 1.4𝑉
𝑅𝐵 =
29.14𝜇𝐴

𝑹𝑩 = 𝟏𝟐𝟑𝒌𝛀 ≈ 𝟏𝟐𝟎𝐤𝛀

Ahora, se hace la conexión a un bombillo, siguiendo el mismo esquema de la imagen (3) para

comprobar que los valores anteriores fueron correctos.

Una vez conocidos los valores, se realiza el montaje, teniendo

Imagen 12. Montaje circuito 4.

 15

6. Circuito 5

Para el tercer montaje, se hizo usó un transistor (IRF540), mostrando a continuación el

datasheet.

Imagen 13. Datasheet IRF540.

Circuito interno, componente físico.

Para este circuito, lo que se hizo fue una comprobación de cómo funciona esta tecnología de

transistores, por lo que el valor de 𝑅𝐵 para este punto se tomó de 10Ω, esto con el objetivo de

verificar el tiempo de respuesta par encender y apagar un bombillo.

Datos conocidos/medidos

En el desarrollo de este punto, se usaron los siguientes parámetros para la comprobación,

teniendo.

𝑉𝐶𝐶 = 12𝑉 ; 𝑉𝐺𝑆 = 12𝑉 ; 𝑅𝐵 = 10Ω

 16

Esquemático

Imagen 14. Esquemático circuito 5.

Corte y saturación

Ahora, se hace la conexión a un bombillo, siguiendo el mismo esquema de la imagen (3) para

comprobar que los valores anteriores fueron correctos.

Una vez conocidos los valores, se realiza el montaje, teniendo

Imagen 15. Montaje circuito 5.

 17

7. Circuito 6

Para este circuito, se usó el mismo componente del punto anterior (IRF540), la conexión y el

montaje también fueron iguales, la diferencia está que, para este punto, no se tuvo en cuenta la

resistencia 𝑅𝐵 , es decir, comprobaremos que el transistor se satura sin tener una resistencia en la

base.

𝑉𝐶𝐶 = 12𝑉 ; 𝑉𝐺𝑆 = 12𝑉

Imagen 16. Esquemático circuito 6.

Corte y saturación
 18

Ahora, se hace la conexión a un bombillo, siguiendo el mismo esquema de la imagen (3) para

comprobar que los valores anteriores fueron correctos.

Una vez conocidos los valores, se realiza el montaje, teniendo

Imagen 17. Montaje circuito 6.

 19

Conclusiones

• Comprobamos que el β del transistor en el datasheet no concuerda con el β real del

transistor, esto puede llevar a que el transistor no conmute y para solucionarlo se bajó

el valor de la resistencia de base.

• Cuando un transistor se utiliza como interruptor o switch, la corriente de base debe tener

un valor para lograr que el transistor entre en corte y otro para que entre en saturación.

• El Gate del transistor se comporta como un condensador, es decir el transistor necesita

un tiempo para cargarse o descargarse.

• El transistor de tecnología MOSFET, no requería de resistencia para saturarse, sin

embargo, el tiempo de respuesta para encender el bombillo era lenta.

• Para acelerar el tiempo de respuesta en los transistores MOSFET, se pude poner una

resistencia varíe entre los 10Ω y 18Ω.

• El transistor está en saturación cuando la corriente en la base es muy alta, esto permite

la circulación de corriente entre el colector y el emisor por lo que el transistor se

comporta como si fuera un interruptor cerrado.

• El transistor está en corte cuando no pasa corriente por la base, por lo que tampoco

puede pasar corriente por sus otros terminales, cuando esto ocurre, el transistor se

comporta como un interruptor abierto.

 20

Referencias

LeDuc, J. (21 de 12 de 2017). Digi-Key Electronics. Obtenido de

https://www.digikey.com/es/articles/transistor-

basics#:~:text=Un%20transistor%2C%20tambi%C3%A9n%20conocido%20como,cantid

ad%20de%20corriente%20entre%20el