Informe Laboratorio Practica 1 Electrónica Análoga 1

Daniel Mosquera Silva

Universidad de Antioquia

Notas del autor

Daniel Mosquera Silva, Facultad de Ingeniería, Universidad de Antioquia

Universidad de Antioquia, Cl. 67 #53 - 108, Medellín, Antioquia

Contacto: daniel.mosqueras@udea.edu.co
 Informe Laboratorio Practica 1 Electrónica Análoga 1

Daniel Mosquera Silva

Docente: Sergio Andrés Diaz

Universidad de Antioquia

Diciembre 2021

Notas del autor

Daniel Mosquera Silva, Facultad de Ingeniería, Universidad de Antioquia

Universidad de Antioquia, Cl. 67 #53 - 108, Medellín, Antioquia

Contacto: daniel.mosqueras@udea.edu.co
 Contenido
Introducción ............................................................................................................................... 1

Objetivos .................................................................................................................................... 2

Parámetros en un diodo .............................................................................................................. 3

Voltaje de conducción: ........................................................................................................... 3

Voltaje de Umbral: ................................................................................................................. 3

Voltaje de Ruptura: ................................................................................................................ 4

Voltaje de Ruptura inversa: .................................................................................................... 4

Corriente de Ruptura: ............................................................................................................. 4

Corriente de ruptura Inversa: ................................................................................................. 4

Capacitancia de juntura: ......................................................................................................... 5

Frecuencia de corte: ............................................................................................................... 5

Parámetros para el diodo 1N4007 .......................................................................................... 6

Para el rectificador de media onda ............................................................................................. 7

Simulación y voltaje DC de RL ........................................................................................... 10

Cálculo del valor para el voltaje DC .................................................................................... 11

Cálculo de la corriente de carga (IL) del circuito................................................................. 12

Comparación de los resultados obtenidos (la simulación, sus cálculos y las imágenes

obtenidas en el laboratorio)...................................................................................................... 13
Para el rectificador de onda completa ...................................................................................... 14

Simulación y voltaje DC de RL ........................................................................................... 14

Cálculo del valor para el voltaje DC .................................................................................... 16

Cálculo de la corriente de carga (IL) del circuito................................................................. 17

Comparación de los resultados obtenidos (la simulación, sus cálculos y las imágenes

obtenidas en el laboratorio)...................................................................................................... 18

Conclusiones ............................................................................................................................ 19

Referencias ............................................................................................................................... 20
 1

Introducción

El diodo tiene un papel muy importante en la tecnología moderna. Prácticamente cada sistema

electrónico, desde el equipo de audio hasta el computador usa diodos de una u otra forma.

El diodo puede ser descrito como un dispositivo de dos terminales, el cual es sensible a la

polaridad. Es decir, la corriente en el diodo puede fluir en una dirección solamente (descripción

ideal).

El primer diodo de vacío, basado en el fenómeno de emisión termo-íonica (emisión de

electrones de un alambre metálico calentado), data de comienzos de 1900. Alrededor de 30 años

después, el diodo semiconductor fue introducido comercialmente. El primer diodo fue probado

en1905. La tecnología de semiconductores de germanio y silicio se introdujo en los años 30.

El diodo semiconductor, algunas veces llamado diodo de estado sólido, tiene muchas ventajas

importantes sobre el diodo de vacío. El diodo de estado sólido es mucho más pequeño, barato, y

muy confiable. Actualmente los diodos de vacío son usados en muy raras ocasiones. (Miranda

Romero, 2016).
 2

Objetivos

• Conocer y comprender conceptualmente los parámetros de un diodo.

• Comprender el funcionamiento de los circuitos rectificadores de media onda y de onda

completa.

• Calcular los valores de la señal de salida para los rectificadores de media onda y onda

completa.

• Comparar los valores simulados, calculados y experimentales de los circuitos rectificadores

de media onda y onda completa.

 3

Parámetros en un diodo

Voltaje de conducción:

Para poder “encender” y conducir corriente en dirección hacia adelante, un diodo requiere que

se aplique cierta cantidad de voltaje positivo a través de él. El voltaje típico que se requiere para

encender un diodo se llama Voltaje Directo (VF). También se denomina caída de voltaje.

El voltaje directo de un diodo específico depende del material de fabricación del semiconductor.

Típicamente, un diodo de silicio tendrá un voltaje directo de alrededor de 0.6-1V. Un diodo de

germanio puede ser más bajo, alrededor de 0.3V. (Paguayo, 2019)

Voltaje de Umbral:

La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización directa coincide en

valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente

el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente,

alrededor del 1% de la nominal.

La tensión umbral de conducción en un diodo de unión de silicio es de 0.7 V, para diodos de

germanio es de 0.3 V. Hay un límite al aumento de corriente por encima del cual el diodo puede

ser destruido por sobrecalentamiento excesivo. (ITE, s.f.)

 4

Voltaje de Ruptura:

La tensión de ruptura es un parámetro de los diodos que definen el máximo voltaje inverso que

se puede aplicar sin que se cause un incremento exponencial de la corriente en el diodo, en otras

palabras, los diodos simples están destinados a conducir electricidad solo en una dirección,

denominada "hacia adelante". Sin embargo, a un voltaje suficientemente alto, se puede hacer que

el diodo conduzca electricidad en "reversa". (Wikipedia, 2019)

Voltaje de Ruptura inversa:

Es la tensión a la que se produce el fenómeno de ruptura por avalancha. El efecto avalancha

ocurre en diodos donde un lado de la juntura está fuertemente dopado respecto del otro. La tensión

de ruptura, en estos casos, es inversamente proporcional a la concentración de impurezas del lado

menos dopado. (Schiavon, 2012)

Corriente de Ruptura:

Es la corriente continua máxima que puede atravesar el diodo en directa sin que éste sufra

ningún daño, puesto que una alta corriente puede provocar un calentamiento por efecto Joule

excesivo. (Schiavon, 2012)

Corriente de ruptura Inversa:

Es habitual que se exprese para diferentes valores de la tensión inversa. (Schiavon, 2012)
 5

Capacitancia de juntura:

Una polarización inversa de la juntura favorece el aumento de la carga almacenada en la zona

desierta y, consecuentemente un aumento en el potencial de dicha juntura. En forma contraria, si

la polarización inversa se hace más débil o se torna directa, la carga almacenada disminuye, al

igual que el potencial de juntura. Observamos entonces que, ante un cambio en el potencial

aplicado, se produce un cambio en la carga almacenada. Esto promueve la idea que existe en la

juntura un efecto capacitivo. La unión pues, se comporta como un capacitor plano de área igual al

área transversal de la juntura y largo igual a la extensión de la zona desierta y permitividad igual

a la del semiconductor (Ge o Si). (Rosa, 2000)

Frecuencia de corte:

A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fácilmente cuando la polarización cambia

de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutación puede

llegar a ser muy alto, poniendo en peligro el dispositivo. Para un circuito rectificador de media

onda RL al aumentar la frecuencia se presentan unas oscilaciones en la zona de no conducción del

diodo, esto es debido a que se presenta un efecto capacitivo el cual es comparable al efecto

inductivo provocado por la bobina y en estas condiciones la carga se comporta como un circuito

tanque. (Wikipedia, 2021)

 6

Parámetros para el diodo 1N4007

El 1N4007 es un diodo rectificador muy empleado en multitud de aparatos actuales,

especialmente en fuentes de alimentación para evitar que una alimentación de voltaje negativa

pueda ocasionar problemas en un circuito que se queme por polaridad inversa, o para fuentes de

alimentación durante el proceso de transformación de la señal CA en CC, etc.

Este diodo soporta corrientes de hasta 1A de forma continua con un voltaje que puede ir hasta

los 700v. Eso le deja un gran rango de actuación para multitud de aplicaciones. Además, también

soporta picos puntuales de voltaje inverso de hasta 1000v, y corrientes de 30A.

Características:

- Voltaje máximo de bloqueo de CC: 1000V

- Voltaje inverso: de 500 hasta 700v.

- Voltaje de reversa máximo: 50V.

- Voltaje inverso pico: 1000v o 1Kv

- Corriente de sobretensión máxima: 30A

- Intensidad de corriente directa máxima: 1A

- Caía de voltaje directo: 1.1v

- Frecuencia máxima: 1000 Hz

- Rango de temperatura operativa: -55ºC a 150ºC. En algunos casos puede llegar de los -

65ºC a los 125ºC según el fabricante.

 7

Imagen 1: Datasheet Diodo 1N4007

Para el rectificador de media onda

Ahora, realizamos los análisis circuitales propuestos por la guía.

Diodo 1N4007
Con R= 10K
Vs: utilice el voltaje a la salida
del transformador (imágenes
enviadas por correo) y
f=60 Hz
Imagen 2: Rectificador Media Onda.
Tomado de la guía del laboratorio 1

Para tener una mejor comprensión de los datos, lo que se hace es verificar el valor de la señal

de entrada en la herramienta de PSpice que, para este caso, se toma el valor pico de la imagen

tomada al osciloscopio.
 8

De la imagen dada en la guía, tenemos que el valor de la señal de osciloscopio es de 30.78V

pico a pico (p-p). Para la simulación en PSpice se toma solo el valor pico y se introduce en la

fuente senoidal, teniendo.

Imagen 3: Netlist de la fuente seno.

Ahora, se muestra el esquemático de rectificador de media onda en PSpice.

Imagen 4: Esquemático R.M.O en PSpice

 9

Finalmente, se muestra la señal de entrada suministrada por la fuente senoidal.

Imagen 5: Señal de entrada, fuente senoidal

Seguido, se comprueba el voltaje RMS de la señal de entrada.

Imagen 6: Voltaje RMS de la señal de entrada.

Haciendo una comparación entre los valores dados por la simulación en PSpice y el valor dado

en la imagen adjunta en la guía, vemos que los valores son:

Voltaje RMS simulado Voltaje RMS experimental

10.898V 10.80V
Tabla 1: Voltajes RMS
 10

Simulación y voltaje DC de RL

Imagen 7: Esquemático con señalización

en la carga

Se muestra la señal de salida en la carga 𝑅𝐿 , y hacemos la comparativa con la imagen adjunta.

Imagen 8: Señal en la carga 𝑹𝑳

Ahora, partiendo de la señal rectificada, se hace unas operaciones en el entorco gráfico de

PSpice, para obtener así el valor DC de la señal de 𝑅𝐿 . Teniendo.

 11

Imagen 9: Valor DC de la carga 𝑹𝑳

Se lleva a una tabla los valores obtenidos de manera experimental y simulado.

Voltaje DC de 𝑹𝑳 Simulado Voltaje DC de 𝑹𝑳 experimental

4.7155V 4.358V
Tabla 2: Voltajes RMS

Cálculo del valor para el voltaje DC

Para hallar le valor del voltaje DC del rectificador de media onda, la obtenemos de la siguiente

expresión.

1 𝑇 1 𝜋
𝑉𝐷𝐶 = ∫ 𝑓(𝜔𝑡)𝑑𝜔𝑡 → 𝑉𝐷𝐶 = ∫ √2𝑉𝐼𝑁 sin(𝜔𝑡) 𝑑𝜔𝑡
𝑇 0 2𝜋 0

Donde, resolviendo, tenemos finalmente la ecuación del voltaje DC 𝑉𝐷𝐶 .

√2𝑉𝐼𝑁
𝑉𝐷𝐶 = (1)
𝜋

Cabe resaltar que esta expresión se usa para el valor de RMS, únicamente. Para un valor pico,

la expresión cambia. Partiendo de la definición de 𝑉𝑃 = √2𝑉𝐼𝑁 , teniendo.

 12

𝑉𝑃
𝑉𝐷𝐶 = (2)
𝜋

Teniendo como 𝑉𝑃 = 14.797𝑉 de la señal rectificada de la simulación, valor obtenido de la

imagen 8 y reemplazando en la ecuación (2), tenemos.

14.797
𝑉𝐷𝐶 =
𝜋

Finalmente, tenemos.

𝑽𝑫𝑪 = 𝟒. 𝟕𝟏𝑽

Cálculo de la corriente de carga (IL) del circuito

Mediante el entorno de PSpice, se calcula el valor de la corriente 𝐼𝐿 , teniendo

Imagen 10: Esquemático con señalización

de la corriente en la carga

Imagen 11: Valor de la corriente de carga en 𝑰𝑳

 13

De la imagen 11, tenemos que el valor de la corriente en la carga 𝐼𝐿 , es de 𝐼𝐿 = 467.343𝜇𝐴

Ahora, para el cálculo de la corriente en la carga, usamos la siguiente ecuación.

𝑉𝐷𝐶
𝐼𝐿 = (3)
𝑅𝐿

Con 𝑉𝐷𝐶 = 4.71𝑉 y 𝑅𝐿 = 10𝐾Ω, reemplazamos en la ecuación (3), teniendo.

4.71
𝐼𝐿 =
10𝐾

Finalmente, el valor de 𝐼𝐿 , es.

𝑰𝑳 = 𝟒𝟕𝟏𝝁𝑨

Comparación de los resultados obtenidos (la simulación, sus cálculos y las imágenes obtenidas

en el laboratorio)

Ahora, llevamos los valores obtenidos a una tabla, teniendo.

Voltaje DC de Señal rectificada

Simulado Experimental Calculado
4.7155V 4.358V 4.71V
Tabla 3: Comparación de los datos
Simulado, Experimental, calculado
 14

Para el rectificador de onda completa

Diodo 1N4007
Con R= 10K
Vs: utilice el voltaje a la salida
del transformador (imágenes
enviadas por correo) y
f=60 Hz

Imagen 12: Rectificador Onda

Completa.
Tomado de la guía del laboratorio 1

Simulación y voltaje DC de RL

Imagen 13: Esquemático con señalización en

la carga
 15

Se muestra la señal de salida en la carga 𝑅𝐿 , y hacemos la comparativa con la imagen adjunta.

Imagen 14: Esquemático con señalización en

la carga

Ahora, partiendo de la señal rectificada, se hace unas operaciones en el entorco gráfico de

PSpice, para obtener así el valor DC de la señal de 𝑅𝐿 . Teniendo.

Imagen 15: Valor DC de la carga 𝑹𝑳

 16

Se lleva a una tabla los valores obtenidos de manera experimental y simulado.

Voltaje DC de 𝑹𝑳 Simulado Voltaje DC de 𝑹𝑳 experimental

8.729V 8.301V
Tabla 4: Voltajes RMS de rectificador Onda
Completa

Cálculo del valor para el voltaje DC

Para hallar le valor del voltaje DC del rectificador de onda completa, la obtenemos de la

siguiente expresión.

1 𝑇 2 𝜋
𝑉𝐷𝐶 = 2 ∗ ( ∫ 𝑓(𝜔𝑡)𝑑𝜔𝑡) → 𝑉𝐷𝐶 = ∫ √2𝑉𝐼𝑁 sin(𝜔𝑡) 𝑑𝜔𝑡
𝑇 0 2𝜋 0

Donde, resolviendo, tenemos finalmente la ecuación del voltaje DC 𝑉𝐷𝐶 .

2√2𝑉𝐼𝑁
𝑉𝐷𝐶 = (4)
𝜋

Cabe resaltar que esta expresión se usa para el valor de RMS, únicamente. Para un valor pico,

la expresión cambia en onda completa. Partiendo de la definición de 𝑉𝑃 = 2𝑉𝐼𝑁 , teniendo.

𝑉𝑃
𝑉𝐷𝐶 = (5)
𝜋

Teniendo como 𝑉𝑃 = 14.208𝑉 de la señal rectificada de la simulación, valor obtenido de la

imagen 14 y reemplazando en la ecuación (2), tenemos.

2 ∗ 14.208
𝑉𝐷𝐶 =
𝜋

Finalmente, tenemos.

𝑽𝑫𝑪 = 𝟗. 𝟎𝟒𝟓𝑽
 17

Cálculo de la corriente de carga (IL) del circuito

Mediante el entorno de PSpice, se calcula el valor de la corriente 𝐼𝐿 , teniendo.

Imagen 16: Esquemático con señalización de

la corriente en la carga

Imagen 17: Valor de la corriente de carga en 𝑰𝑳

De la imagen 17, tenemos que el valor de la corriente en la carga 𝐼𝐿 , es de 𝐼𝐿 = 872.77𝜇𝐴

Ahora, para el cálculo de la corriente en la carga, usamos la ecuación (3).

𝑉𝐷𝐶
𝐼𝐿 = (3)
𝑅𝐿

Con 𝑉𝐷𝐶 = 9.045𝑉 y 𝑅𝐿 = 10𝐾Ω, reemplazamos en la ecuación (3), teniendo.

 18

9.045
𝐼𝐿 =
10𝐾

Finalmente, el valor de 𝐼𝐿 , es.

𝑰𝑳 = 𝟗𝟎𝟒. 𝟓𝝁𝑨

Comparación de los resultados obtenidos (la simulación, sus cálculos y las imágenes obtenidas

en el laboratorio)

Ahora, llevamos los valores obtenidos a una tabla, teniendo.

Voltaje DC de Señal rectificada

Simulado Experimental Calculado
8.729V 8.301V 9.045V
Tabla 5: Comparación de los datos
Simulado, Experimental, calculado
 19

Conclusiones

• Los valores de la señal de salida simulados respecto a los experimentales fueron datos

con un valor más alto; esto se da porque en el circuito real se generan pérdidas en los

cables y se presentan errores en la medición de los multímetros, mientras que en la

simulación se podría decir que es un modelo ideal.

• Los valores simulados respecto a los valores calculados presentan una ligera diferencia;

el motivo de esta diferencia se da en la aproximación de cifras, pues no tomar todos los

valores decimales, hace que haya un aumento o disminución en el valor final.

• Para el valor de salida de las señales de los circuitos rectificadores se comprobó que

presentan un valor pico mínimo por debajo de la señal de entrada, esto se da porque un

porcentaje de la señal de entrada es adsorbida por el diodo, este porcentaje que se queda

en el diodo se le conoce como voltaje de conducción de un diodo.

• El nivel DC de los rectificadores en la simulación se aprecia como una señal que busca

una estabilización; es decir, se observa como la señal fluctúa sobre el nivel DC hasta

alcanzar su estado estable.

 20

Referencias

ITE. (s.f.). Obtenido de Instituto de Tecnologías Educativas:

http://ares.cnice.mec.es/gtm/web/index_es_resultado_final.php?num=238167%7C&Busc

ar=Voltaje%20de%20umbral%7C&volver=Voltaje%20de%20umbral&cual=0&gtm=733

ea069987e91dbc4d2eff6cc729bbd

Miranda Romero, I. (2016). Fundamentos de la Física de los Semiconductores. Obtenido de

DOCPLAYER: https://docplayer.es/16945183-Capitulo-1-fundamentos-de-la-fisica-de-

los-semiconductores.html

Paguayo. (2019). MCI Capacitación. Obtenido de

https://cursos.mcielectronics.cl/2019/06/18/diodos/

Rosa, A. D. (2000). pdfcoffee. Obtenido de https://pdfcoffee.com/fenomenos-de-ruptura-5-pdf-

free.html

Schiavon, M. (2012). fceia.unr.edu.ar. Obtenido de

https://www.fceia.unr.edu.ar/eca1/files/teorias/Diodos%20-%202012.pdf

Wikipedia. (2019). Obtenido de https://es.wikipedia.org/wiki/Tensi%C3%B3n_de_ruptura

Wikipedia. (2021). Obtenido de https://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_Schottky