Ingeniería Mecatrónica

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I
11/05/2023
INFORME No III y IV
“Respuesta en frecuencia de los capacitores externos de un
amplificador en EC (a baja frecuencia) y Respuesta en
frecuencia de los capacitores internos de un amplificador en
EC (a alta frecuencia)”
Profesor: Ing. Julio Pacher

Integrantes:
● Pin Ferreira, Lucas Adrián
C.I: 4.922.725
● Benítez Cardozo, Carlos María
C.I.: 6.268.061
Ciclo: 1

San Lorenzo – Paraguay

 Índice

Introducción 2
Objetivos 3
1. Objetivo General 3
2. Objetivos Específicos 3
Marco teórico 4
Desarrollo de la Experiencia 7
Montaje 1 7
1. Cálculos 7
Polarización 7
Análisis de pequeña señal 7
2. Simulación 9
3. Mediciones 10
Discusión de resultados 11
Montaje 2 12
1. Cálculos 12
Polarización 12
Análisis de capacitores 12
2. Simulación 13
3. Mediciones 15
Discusión de resultados 15
Conclusión 16
Referencias 17

1
 Introducción
En el siguiente trabajo se estará analizando la respuesta en frecuencias de los
transistores BJT Q2N2222, que es el estudio de cómo varía la ganancia de la salida a
medida que se cambia la frecuencia, esto es debido a la presencia de componentes
capacitivos presentes en el circuito, ya sea colocados intencionadamente (capacitores de
acople y desacople) y que aparecen de forma parásita (capacitancia interna del transistor
que se vuelven apreciables a altas frecuencias). Se estará buscando las frecuencias de
cortes inferior y superior, que son los extremos del intervalo de frecuencias para el cual
el valor de la ganancia es el 70 por ciento de la ganancia máxima que puede alcanzar
(esta es la ganancia a frecuencias medias), se usará el simulador OrCad para graficar las
curvas de Bode de magnitud y fase, junto con cálculos teóricos utilizando
aproximaciones razonables, con el fin de poder contrastar con los resultados
experimentales que se llevaron a cabo.

2
 Objetivos

1. Objetivo General
● Análisis de los capacitores externos y externos en la respuesta en
frecuencia de un amplificador en EC

2. Objetivos Específicos
● Análisis teórico - práctico de la influencia de capacitores de
acoplamiento y desacoplamiento (capacitores externos) sobre la
respuesta en frecuencia de amplificadores a transistores.
● Análisis teórico - práctico de la influencia de capacitores de internos
sobre la respuesta en frecuencia de amplificadores a transistores.
● Comparación de los valores calculados con los obtenidos con el
simulador, y con las medidas realizadas en la experiencia de laboratorio.

3
 Marco teórico
La función de transferencia de todo sistema LTI se define en el dominio de Laplace
utilizando la variable compleja s = σ + jω. La respuesta en frecuencia se expresa en
términos de la frecuencia compleja jω, que describe la relación entre la amplitud y la
fase de una señal sinusoidal. La magnitud de jω se conoce como la frecuencia angular,
que se mide en radianes por segundo, mientras que su fase se mide en radianes.

Estas herramientas matemáticas permiten a los diseñadores caracterizar y ajustar el

comportamiento de los sistemas electrónicos en el dominio de la frecuencia, lo que es
fundamental para el análisis y diseño de circuitos electrónicos. Al comprender la
función de transferencia y la respuesta en frecuencia, los diseñadores pueden
seleccionar adecuadamente los componentes y ajustar la respuesta en frecuencia para
satisfacer los requisitos de diseño, como la estabilidad, la ganancia y la distorsión de los
amplificadores y filtros.

El efecto en la respuesta en frecuencia de los capacitores externos de base, colector y

emisor de un amplificador en emisor común es esencial en el diseño de circuitos
electrónicos. En esta configuración, el BJT está conectado en su base a una señal de
entrada, mientras que la señal de salida se toma en el colector y la emisión se conecta a
tierra a través de una resistencia de carga.

Los capacitores externos C_B, C_C y C_E son usados para bloquear señales de DC y
permitir que las señales de AC pasen a través del amplificador. El capacitor C_B acopla
la señal de entrada a la base del transistor y evita la polarización directa de la base. La
constante dieléctrica del capacitor C_B debe ser alta para evitar la pérdida de señal.

El capacitor C_C acopla la señal de salida a la carga y evita que la polarización inversa
del transistor afecte la salida del amplificador. La constante dieléctrica del capacitor
C_C debe ser suficientemente alta para evitar la pérdida de señal en la carga y también
para evitar que la carga afecte la polarización del transistor.

El capacitor C_E acopla la señal de salida a tierra y proporciona retroalimentación de

señal negativa al transistor. La constante dieléctrica del capacitor C_E debe ser

4
suficientemente alta para evitar la pérdida de señal y también para evitar que la señal de
salida afecte la polarización del transistor.

Además de los capacitores externos, existen capacitores parásitos internos en el BJT que
también pueden afectar la respuesta en frecuencia del amplificador en emisor común. El
capacitor C_μ representa la capacitancia entre el colector y la base del transistor,
mientras que el capacitor C_π representa la capacitancia entre la base y el emisor del
transistor.

El capacitor C_μ puede ser modelado como un capacitor en paralelo con la resistencia
de carga del amplificador, y puede introducir un polo de baja frecuencia en la respuesta
en frecuencia del amplificador. Por otro lado, el capacitor C_π puede ser modelado
como un capacitor en serie con la resistencia de entrada del amplificador, y puede
introducir un polo de alta frecuencia en la respuesta en frecuencia del amplificador.

La presencia de estos capacitores parásitos introduce una limitación a la banda pasante

del amplificador en emisor común. Los capacitores externos C_B, C_C y C_E y los
capacitores internos parásitos del BJT pueden combinarse en una red de filtros que
determinan la respuesta en frecuencia del amplificador.

Para minimizar la influencia de los capacitores parásitos en la respuesta en frecuencia

del amplificador, se utilizan técnicas de compensación. Una de las técnicas más
comunes es la compensación de Miller, que utiliza un capacitor adicional para reducir la
influencia del capacitor C_μ en la respuesta en frecuencia del amplificador.

En la compensación de Miller, se coloca un capacitor adicional en la retroalimentación

de señal negativa del capacitor C_E. El capacitor adicional aumenta la ganancia en alta
frecuencia, lo que compensa la caída en la ganancia causada por el capacitor C_μ.

5
6
 Desarrollo de la Experiencia

Montaje 1

1. Cálculos
Polarización
De la simulación
ℎ𝑖𝑒 = 1. 45[𝑘Ω], β = 176, ℎ𝑓𝑒 = 190
Además
𝑅𝐵1𝑉𝑐𝑐
𝑉𝑡ℎ = 𝑅𝐵1+𝑅𝐵2
= 2. 92[𝑣] ; 𝑅𝑡ℎ = 𝑅5//𝑅2 = 13. 62[𝑘Ω]
Luego de la ecuaciones de lazo
𝑉𝑡ℎ = 𝑅𝑡ℎ. 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + (β + 1). 𝐼𝐵 → 𝐼𝐵 = 0. 0198[𝑚𝐴] ; 𝐼𝐶 = 3. 485[𝑚𝐴]
𝑉𝑐𝑐 = 𝑅1. 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + (𝑅2 + 𝑅7). (β + 1). 𝐼𝐵 → 𝑉𝐶𝐸 = 6. 52[𝑣]
Finalmente
𝑄(𝑉𝐶𝐸 = 6. 52[𝑣]; 𝐼𝑐 = 3. 485[𝑚𝐴])
Análisis de pequeña señal
● Para 𝐶𝑏 → 𝐶𝑒 = 𝐶𝑐: 𝑐𝑜𝑟𝑡𝑜
𝑅𝑒𝑞. 𝐶𝑏 = 𝑅7 + 𝑅𝐵//(ℎ𝑖𝑒 + [ℎ𝑓𝑒 + 1]. 𝑅3)
Con 𝑅𝐵 = 𝑅𝑡ℎ = 𝑅2//𝑅5 → 𝑅𝑒. 𝐶𝑏 = 8. 24[𝑘Ω]
1
Luego 𝑓𝐶 = 2π.𝑅𝑒𝑞.𝐶𝑏
= 193. 15[𝐻𝑧]
𝑏

● Para 𝐶𝑐 → 𝐶𝑏 = 𝐶𝑒: 𝑐𝑜𝑟𝑡𝑜

𝑅𝑒𝑞 = 𝑅1 + 𝑅6 = 11[𝑘Ω]
1
Luego 𝑓𝐶 = 2π.𝑅𝑒𝑞.𝐶𝑐
= 65. 77[𝐻𝑧]
𝑐

● Para 𝐶𝑒 → 𝐶𝑏 = 𝐶𝑐: 𝑐𝑜𝑟𝑡𝑜

7
 1
𝑅𝑒𝑞. 𝐶𝑒 = 1 ℎ𝑓𝑒+1 =87.7[Ω]
𝑅4
+ 𝑅 //𝑅 +𝑅3.(ℎ𝑓𝑒+1)
7 𝐵

1
Luego 𝑓𝐶 = 2π.𝑅𝑒𝑞.𝐶𝑒
= 1814. 767[𝐻𝑧]
𝑒

Finalmente 𝑓𝐿 = 𝑓𝐶 + 𝑓𝐶 + 𝑓𝐶 = 2073. 687[𝐻𝑧]

𝑏 𝑐 𝑒

Diagramas de Bode

8
2. Simulación

Curva de Magnitud

Curva de Magnitud (En db)

9
 Curva de Fase

Frecuencia de corte inferior

Frecuencia de corte Superior

3. Mediciones

Frecuencia(Hz) Vs(pp)(V) Vo(pp)(V) |H|_dB Fase

100 0.2 0.1 -6.020599913 -
200 0.2 0.26 2.278867046 -
300 0.2 0.34 4.608978428 -
400 0.2 0.4 6.020599913 -114
600 0.2 0.54 8.627275283 -115
800 0.2 0.66 10.3702788 -120
1000 0.2 0.76 11.59567193 -125
1200 0.2 0.86 12.66936911 -127
1410 0.2 0.94 13.44195716 -133
1600 0.2 1.02 14.15140352 -136
1800 0.2 1.08 14.6478752 -139
2000 0.2 1.14 15.11749711 -141
2200 0.2 1.18 15.41704023 -143

10
 2400 0.2 1.22 15.7065967 -146
3000 0.2 1.3 16.25826713 -151
6000 0.2 1.46 17.2664572 -163
10000 0.2 1.5 17.50122527 -171
30000 0.2 1.52 17.61627185 -179

Diagramas de Bode asociadas a las mediciones con la abscisa en escala logarítmica

𝐼𝐵 𝐼𝐶 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐶𝐸

0. 016[𝑚𝐴] 3. 643[𝑚𝐴] 0. 6383[𝑣] 6. 29[𝑣]

Para la frecuencia de corte, a un voltaje de 𝑣𝑜 = 1. 52/ 2[𝑣] resulta mediante el

osciloscopio 𝑓𝐿 = 1. 83[𝑘𝐻𝑧]
Discusión de resultados
Podemos observar que los resultados de la polarización son bastante similares entre sí.
Sin embargo, se aprecia una diferencia significativa en la frecuencia de corte inferior.
Esto se debe a las suposiciones realizadas en los cálculos teóricos para determinar la
frecuencia de corte de cada capacitor. Estas suposiciones solo son válidas cuando las
frecuencias de corte están separadas por al menos una década entre sí, lo cual no se
cumple en este caso. Por lo tanto, la aproximación utilizada no es muy precisa.

11
Montaje 2

1. Cálculos
Polarización
De la simulación
ℎ𝑖𝑒 = 5[𝑘Ω], β = 176, ℎ𝑓𝑒 = 190
𝑐𝑢 = 3. 32[𝑝𝐹], 𝑐𝜋 = 50. 5[𝑝𝐹]
Además
𝑅𝐵1𝑉𝑐𝑐
𝑉𝑡ℎ = 𝑅𝐵1+𝑅𝐵2
= 1. 0909[𝑣] ; 𝑅𝑡ℎ = 𝑅𝐵1//𝑅𝐵2 = 20[𝑘Ω]
Luego de la ecuaciones de lazo (sin consisderar C7)
𝑉𝑡ℎ = 𝑅𝑡ℎ. 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + (β + 1). 𝐼𝐵 → 𝐼𝐵 = 0. 0056[𝑚𝐴] ; 𝐼𝐶 = 1[𝑚𝐴]
𝑉𝑐𝑐 = 𝑅9. 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + (𝑅10 + 𝑅14). (β + 1). 𝐼𝐵 → 𝑉𝐶𝐸 = 6. 93[𝑣]
Finalmente
𝑄(𝑉𝐶𝐸 = 6. 93[𝑣]; 𝐼𝑐 = 1[𝑚𝐴])
Análisis de capacitores
Aplicando el Teorema de Miller
𝑅𝐿 = 𝑅5//𝑅1 = 1. 4[𝑘Ω]
𝐾 =− 𝑅𝐿. 𝑔𝑚
𝐶𝑀 = 𝐶𝑢(1 + 𝑅𝐿. 𝑔𝑚) = 165. 41[𝑝𝐹]
𝐶 = 𝐶𝑀 + 𝐶𝜋 = 215. 91[𝑝𝐹]
Considerando 𝑅𝑒 = 107. 6[Ω] y despreciando la constante de tiempo del capacitor de
salida
1
𝑓𝐻 = 2𝜋𝐶𝑅
= 6. 84[𝑀𝐻𝑧]

12
2. Simulación

Voltajes y corrientes en DC

Curva de Magnitud

13
 Curva de Magnitud (en db)

Curva de Fase

Frecuencia de corte inferior

Frecuencia de corte Superior

14
 3. Mediciones
Polarización

𝐼𝐶 𝑉𝐶𝐸

1. 024[𝑚𝐴] 6. 778[𝑣]

A frecuencias medias

𝑣𝑖 𝑣𝑜 𝐴𝑣

0. 208[𝑣] 2. 04[𝑣] 9. 8076

Para la frecuencia de corte, a un voltaje de 𝑣𝑜 = 2. 04/ 2[𝑣] resulta mediante el

osciloscopio 𝑓𝐿 = 1. 83[𝑘𝐻𝑧], 𝑓𝐻 = 850[𝑘𝐻𝑧]
Diagramas de Bode asociadas a las mediciones con la abscisa en escala logarítmica

Discusión de resultados
No se observaron diferencias significativas entre los puntos de polarización en los
cálculos teóricos, las simulaciones y las mediciones. Además, las frecuencias de corte
inferiores también mostraron una coincidencia prácticamente exacta. Sin embargo, se
presentaron discrepancias significativas en las frecuencias de corte superiores. Estas
diferencias entre la simulación y la teoría podrían deberse al uso de un análisis
simplificado en los cálculos teóricos. Además, la discrepancia más notable (31 MHz en
la simulación y 850 kHz en las mediciones) posiblemente se deba a que el simulador
utiliza valores de capacitancia de entrada (Cpi) y capacitancia de salida (Cmu) que
difieren considerablemente de los valores reales del transistor bipolar utilizado en el
laboratorio

15
 Conclusión
Como se pudo observar, los resultados de los cálculos teóricos, simulación y
medición sea prácticamente idénticos para el punto de polarización, con una pequeña
diferencia en la frecuencia de corte en inferior y una gran diferencia para la frecuencia
de corte superior, donde los tres valores (teóricos, simulación y mediciones) varían
notablemente. Las diferencias entre la simulación y la teoría pudo darse debido a que se
usa un análisis simplificado con los cálculos teóricos, esto entonces indica que tal vez el
modelo ya no sea muy conveniente a altas frecuencias. Ahora, la gran diferencia entre la
simulación y las mediciones (31MHz en la simulación y 850kHz en las mediciones) es
más complicado de explicar, una razón podría ser los valores de las capacitancias
internas parásitas que el simulador le da los transistores, donde los mismos podrían
diferir en gran medidas con los valores reales (recordar que estos son valores
estadísticos por lo cual es difícil determinar el valor exacto para cada transistor dado),
pero también se debe tener en cuenta que a frecuencias muy elevadas los efectos
parásitos tienden a dispararse.

16
 Referencias
[1]. J. Millman. Electrónica Integrada (Circuitos y sistemas analógicos y digitales). Editorial
Hispano Europea, S.A., novena edición, 1984.

[2]. M. Rashid. Circuitos Microelectrónicos. Análisis y Diseño. International Thomson

Editores, 2003.

[3]. Thomas L. Floyd. Dispositivos electrónicos Octava edición, 2008

[4]. Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky. Electronica: Teoria de Circuitos y dispositivos

electrónicos Décima edición, 2009

17