Instituto Tecnológico de Costa Rica I Semestre 2010

Escuela de Ingeniería Electrónica EL-2207 Elementos Activos

Prof: Dr.- Ing. Paola Vega Castillo

Tutoría #11

1. Considere el circuito amplificador de la figura 1. Los parámetros del transistor

son K=0.5mA/V2, VTH=1V, λ=0.0133 V-1.
a) Calcule el punto de operación.
b) Obtenga el modelo de pequeña señal
c) Obtenga las expresiones para la resistencia de entrada, la resistencia
de salida y la ganancia de tensión y calcule sus valores.

VDD R1
VG = = 5.212V
R1 + R2
VS = RS I D
VDD R1
VGS = − RS I D
R1 + R2
VDS = VDD − I D ( RD + RS )
K
ID = (VGS − VTH ) (1 + λVDS )
2

2
 A
I D =  0.25 x10 −3 2  ( 5.212V − 1V − 1300ΩI D ) (1 + 0.0133V −1 (12V − 5600ΩI D ) )
2

 V 
I D = 1.44mA
VGS = 3.34V
VDS = 3.936V

Equivalente de pequeña señal (ZC 0)

 Req1 = R1 R2
Req 2 = rO RD R3

vo
AV =
vi
vo = − g m vGS Req 2
 vR 
vo = − g m  i eq1  Req 2
 R i + Req1 
 
v  Req1 
AV = o = − g m Req 2 
vi  R i + Req1 
 
Con los datos anteriores, calcular AV
 Req1 
AV = − g m Req 2 
 R + R 
 i eq1 

g m = 2kn I DSAT
g m = 1.23mS
1
ro =
λ I DSAT
ro = 54.5k Ω
Req1 = R1 R2 = 243k Ω
Req 2 = 3.83k Ω
AV = −4.69 = 13.4dB

2. Considere los siguientes inversores, mostrados en la figura 2.

a) NMOS con un transistor de carga NMOS de empobrecimiento

b) NMOS con un transistor de carga PMOS
c) Inversor CMOS
 Dibuje los equivalentes de pequeña señal y encuentre las expresiones para
calcular la amplificación de dichos circuitos.

Figura 2

a)

Vout =
( g m1Vin + g mb 2 ⋅ −Vout )
gd1 + gd 2

Vout =
( g m1Vin )
g d 1 + g d 2 + g mb 2
Efecto de cuerpo
VTH ↑ I ↓ AV ↓
R de salida baja, disminuye ganancia.

Considerar alimentar una carga

g d ↑, Ro ↓, I RL ↓,Vout ↓

b) Para M1
Para M2

Ambos juntos

− g m1Vin − g m1
Vout = ⇒ AV =
gd1 + gd 2 gd1 + gd 2

c) Para el NMOS

El equivalente de pequeña señal para un transistor PMOS es:

Para este circuito, el equivalente del PMOS queda entonces como sigue:

Circuito completo
 − ( g m1 + g m 2 ) Vin − ( g m1 + g m 2 )
Vout = ⇒ AV =
gd1 + gd 2 gd1 + g d 2

Para los problemas 3 a 6, los parámetros del transistor son VTH = 1 V, K´= 50µA/V2, λ =
0.1 V-1.

3) Considere el amplificador de la figura 3, en el que W/L = 10.

a) Calcule los valores de RD y VG tal que VOUT = 0 V e ID = 500µA.

b) Dibuje el equivalente de pequeña señal del circuito.
c) Calcule gm, RIN, ROUT y AV del equivalente de pequeña señal.

Figura 3

4) Considere el amplificador de la figura 4, en el que L = 2 µm. Calcule los valores de

VG, ISUP, y W, que permiten obtener gm ≥ 2 mS y Av ≥ │-45│.

Figura 4

5) Considere el amplificador de la figura 5, en el que RL = 20kΩ. Calcule ISUP para

obtener ROUT ≥ 10 kΩ y calcule W/L que permita obtener RIN ≤ 1 kΩ.
 Figura 5

6) Considere el amplificador de la figura 6, en el que los parámetros del transistor son

ФB = 0.6 V, γ = 0.6 V1/2 y W/L = 50. Calcule la ganancia de tensión y la resistencia de
salida. ¿Cómo influye en estos parámetros la polarización del substrato?

Figura 6

7) Considere el circuito de la figura 7.

Figura 7

a) Obtenga el equivalente de pequeña señal del circuito. Indique claramente las

terminales de entrada, salida, las tensiones y terminales del transistor
b) Con base en el equivalente de pequeña señal obtenido en el punto anterior,
obtenga una expresión para la ganancia de voltaje AV=vo/vin
c) Con base en el equivalente de pequeña señal obtenido en el punto anterior,
obtenga una expresión para la resistencia de entrada del circuito