LABORATORIO 2 – TRANSISTORES FET

Implementación de un Amplificador Fuente

Común - MOSFET
Moisés Cortez, Andrés, William
Ingeniería electrónica
RESUMEN: En este informe se realiza el análisis e implementación de un amplificador fuente
común - MOSFET, así como la simulación e interpretación del circuito. En esta práctica,
aprendimos los conceptos básicos y funcionamiento del MOSFET, cómo medir con el
osciloscopio y así corroborar los resultados obtenidos en la teoría sean los mismos, a su vez se
calcularon los valores de los componentes necesarios para la construcción de un amplificador.
Palabras claves: simulación, osciloscopio, componentes, transistor MOSFET, circuito.
Abstract: In this report, the analysis and implementation of a common source amplifier -
MOSFET is carried out, as well as the simulation of the circuit and the results obtained are
interpreted. In this practice, we learned the basic concepts and operation of the MOSFET,
how to measure with the oscilloscope and thus corroborate the results obtained in the theory
are the same, in turn the values of the components necessary for the construction of an

amplifier were calculated .

Keywords: simulation, oscilloscope, components, MOSFET transistor, circuit .
I. INTRDOCCION
En el siguiente informe se muestran los resultados obtenidos en la práctica de laboratorio,
donde analiza el comportamiento de este amplificador n2-7000 específicamente.
El amplificador de fuente común es una de las configuraciones más comunes del MOSFET.
Esto se debe a que puede generar ganancias significativas siempre que se consideren
cuidadosamente los parámetros de diseño.
II. METODOLOGIA
Diseño de un amplificador NMOS para una ganancia de voltaje especifica
Diseñe un amplificador NMOS como se muestra en la figura para obtener una ganancia de
voltaje sin carga de |Avo|= vo ⁄ vg ≥ 5. La tensión de alimentación DC es VDD = 15 V. Los
parámetros NMOS son Vt = 1V, Kn = 3.25 mA/V2, Kp = 2Kn = 6.5 mA/V 2 para W = L =
1μm, ID (max) = 10 mA y |VM| = 1/λ = 100 V.
Figura 1: Amplificador NMOS.

| A vo|=v o /v g ≥5
V DD=15 v
V t =1 v
2
K n=3 ,25 mA /v
2
K p=2 K n =6 , 5 mA /v
W =L=1 μm
I D (max)=10 mA

|V m|=1/ λ=100 v
 Análisis en DC.
15 v
V DS= =5 v
3
15 v
V S= =5 v
3
V D=V DS +V S =10 v
10 mA
I D= =3 ,3 3 mA
3

V GS=1 v+
√ 3 , 3 mA
3 , 25 mA /v 2
=2 , 01 v

V G =V SR +V GS =5 v +2 , 01 v
¿ 7 , 01 v
V DD 15 v
R D= = =1 , 5 k
3 I D 3∗3 , 3 3 m
 15 v
R SR= =1 , 5 k
3∗3 , 3 3 m
R1 15 v
= −1=1,1398
R 2 7 , 01 v

Figura 2: Circuito de polarización.

R1=1,1398∗R2
R1∗R 2
Rth =
R1 + R2
R th R2
=
R1 R1 + R2

V th =V DD
( R2
R1 + R2 )
V th =V DD
( )
Rth
R1

V DD
R 1= (R )
V th th
Rth =1 k
R1=1 , 87 k
R2=2 , 13 k
Figura 3: Circuito equivalente AC.

Parámetros de pequeña señal g m y r o del transistor .

|V m| 100 v
ro = = =30. 0 3 k Ω
ID 3 ,3 m

gm =2 K n ( V GS −V t ) =2
( 3 ,25 mA
v
2 )
A
( 2 , 01 v−1 )=6,565 m
v
μ g=gm∗r o=197,147
 Análisis de pequeña señal para parámetros de amplificador.
Ri , A vo , Ro
Vg
Ri= =R g ⇒ R1 ∥ R 2=0,877 Ω
ig

Ro =[ r o (1+ g m r o) RSR 1 ] ∥ R D

Ro =[ 30. 03 k + ( 1+ 6,565 m∗30 , 0 3 k ) 140 ,77 ] ∥ 1 , 5 k

Ro =4285 , 10 k ∥ 1 ,5 k ⇒ 2856 ,7 k
 Ganancia de lazo abierto
−gm r o R D
A vo=
R D +r o ( 1+ gm r o ) R SR 1
6,565 m∗30 , 03 k∗1 , 5 k
¿−
1 , 5 k +30 , 0 3 k + ( 1+6,565 m∗30 , 0 3 k ) ( 347 , 3 )

A vo=6
V o =−gm V gs ( r o ∥ R D )

V o =−gm V g ( r o ∥ R D )
 Vo
A vo= −g m ( r o ∥ R D )
Vg
V o =−6,565∗7 , 01 ( 30 , 0 3 k ∥ 1 ,5 k )
V o =−921 ,33
gmr o RD
R D +r o ( 1+ gm r o ) R SR 1=
A vo
g r R
m o D
( 1+ gm r o ) R SR 1= A −R D −r o
vo

gmr o RD R D−r o
R SR1 = −
A vo ( 1+ gm r o ) 1+ gm r o

6,565 m∗30 ,0 3 k∗1 ,5 k

R SR1 =
6 ( 1+6,565 m∗30 , 0 3 k )
−1 , 5 k +30 , 0 3 k
1+(6,565 m∗30 ,0 3 k )
R SR1 =347 , 3
R SR 2=651 ,94
III. RESULTADOS DE LA PRACTICA

Montaje
Resultados
IV. CONCLUSION

V. REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS

 Qué es el amplificador de fuente común: funcionamiento y sus aplicaciones-

Electron-FMUSER Proveedor integral de transmisión de FM / TV. (s. f.).
https://es.fmuser.net/wap/content/?20987.html
 ¿Qué es un MOSFET y para qué sirve? - Definición. (2020, 1 octubre).
GEEKNETIC. https://www.geeknetic.es/MOSFET/que-es-y-para-que-sirve

 A. (2022, 1 marzo). Transistor mosfet. Industrias

GSL. https://industriasgsl.com/blogs/automatizacion/transistor_mosfet