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Objetivo.
Diseñar un amplificador Surtidor Común.
Medir los parámetros de funcionamiento del amplificador.
Lista de material
1 FET 2N5951 o equivalente.
2 Resistencias de 100 KΩ, ½ W
1 Resistencia de 10 KΩ, ¼ W
2 Resistencias de 2.2 KΩ, ½ W
1 Resistencia de 68 Ω, ½ W
1 Resistencia de 470 Ω, ½ W
2 Capacitores de 10µF, 50 V
1 Capacitor de 100µF, 50 V
Teoría preliminar.
Para diseñar un amplificador surtidor-común (Figura 19) con las siguientes
especificaciones:
Av = -5
RL = 10 KΩ
Rin = 100 KΩ
Se usará el transistor JFET 2N5951 que tiene los siguientes parámetros (Si
el transistor es otro modelo, anotar aquí los valores que aparecen en la hoja
de especificaciones):
Vp = -2.5 V
Vp = ___
IDss = 10 mA
IDss = ___
IDq = 2.5 mA
VDSq = 6 V
Se procederá al diseño de acuerdo con el siguiente procedimiento:
2 Id ss
Ecuación 1 gmo =
Vp
2
IDq
Ecuación 2 gmo =g mo ( )
IDss
Ecuación 3 gm = 4 milimhos
2
IDq
Ecuación 4 V GSq =Vp 1− [ ( )] IDss
V GSq =−1.25 V
(VDD−VDSq)
Ecuación 5 Rs + Rd =
I Dq
−gm(Rd /¿ Rl )
Ecuación 6 Av =
1+ gmRs1
RG >= Rin
RG = 100 KΩ
Procedimiento
1.- Implementar el circuito del amplificador S-C (Figura 19). Observar que
los valores corresponden al diseño planteado en la teoría preliminar.
VG ≈ 0
VS > 0
VD > V S
VD < VDD
Vo = __1.754 V__
Vi = __199.62 mV__
VA = __199.62 mV__
VB = __138.227 mV__
Ri
Ecuación 9 VB = VA [ (100 K + Ri ) ]
VB Ri VB(100,000 Ω+ Ri ) 100,000 ΩVB +VBRi
= =Ri Ri=
VA 100,000 Ω+ Ri VA VA
69,346.73 Ω
Ri=
0.307
Ri=225,885.114 Ω=225.885 KΩ
Vo = __1.81 V___
RL
Vo R L'
Ecuación 10 =
V o' R o+ R L '
(Ro + R L )
V o Ro + R L' RL V o R L' R o + R L Ro (V ¿ ¿ o ' R L )
(
V o ' Ro + R L
=)R L' V o' R
L
=
Ro + R L' Ro
=R L
R L ' (V o R ' )
L
¿
Ro =12.36 Ω
Reporte.
1.- Repetir con mayor detalle el diseño del amplificador surtidor común
planteado en la sección de teoría preliminar. (Anotar paso a paso el análisis
teórico, incluir las gráficas del fabricante).
Av = -5
RL = 10 KΩ
Rin = 100 KΩ
Vp = -2.5 V
IDss = 10 mA
IDq = 2.5 mA
VDSq = 6 V
2 Id ss 2 ( 10 mA ) mA
gmo = = =−8
Vp −2.5 V V
ID q 2 mA 2.5 mA 2 mA
gm =g m ( ) ( )(
IDss
=8
V 10 mA ) =0.5
V
gm = 4 miliohms
2 2
IDq 2.5 mA
[ ( )]
V GSq =Vp 1−
IDss [ (
=(−2.5 V ) 1−
10 mA ) ]=−2.5 V [ 0.9375]=−2.34 V
V GSq =−1.25 V
(VDD−VDSq) (12 V −6 V )
Rs + Rd = =¿ =2.4 m Ω
I Dq 2.5 mA
−6.36 Ω 2
Av= =−4.98
1.276 Ω 2
RD = 1.9 KΩ
Rs1 = 69 Ω
Rs2 = 431 Ω
(VDD−VDSq)
Rs + Rd =
I Dq
(VDD−VDSq ) (12 V −6 V ) 6V
I Dq = = =
Rs+ Rd 500 Ω+1,900 Ω 2,400 Ω
I Dq =0.0025 A=2.5 mA
Vo 1.754 V
Av= Av= Av=8.786
Vi 0.19962V
Ri
VB = VA [ (100 K + Ri ) ]
VB Ri VB(100,000 Ω+ Ri ) 100,000 ΩVB +VBRi
= =Ri Ri=
VA 100,000 Ω+ Ri VA VA
69,346.73 Ω
Ri – 0.693Ri = 69,346.73 Ω 0.307 Ri=69,346.73 Ω Ri=
0.307
Ri=225,885.114 Ω=225.885 KΩ
RL
Vo R L'
Ecuación 10 =
V o' R o+ R L '
(Ro + R L )
V o Ro + R L' RL V o R L' R o + R L Ro (V ¿ ¿ o ' R L )
(
V o ' Ro + R L
= )
R L' V o' RL
=
Ro + R L' Ro
=R L
R L ' (V o R ' )
L
¿