FACULTAD DE INGENIERÍA

Programa de Estudio de Ingeniería Mecánica Eléctrica

Asignatura
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

Educación no Presencial
1. INFORMACIÓN DE LA ASIGNATURA

Asignatura : ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

Horas de Teorías : 02 Hrs

Horas de Prácticas : 02 Hrs

Total de Horas : 04 Hrs

Ciclo : X

Prerrequisito : 906

Sede - Filial Chimbote

2. INFORMACIÓN DEL DOCENTE

Docente : Mg. Jorge Luis Arroyo Tirado

Correo : jorge.arroyo@usanpedro.edu.pe

Educación no Presencial
3. GENERALIDADES

a. Objetivo
Desarrollar la asignatura de Electrónica Industrial. en entornos virtuales, orientado al logro
del aprendizaje esperado, según la competencia de la asignatura y del perfil profesional,
adaptando a la Educación No Presencial de manera Excepcional.
b. Instrucciones
 El participante debe revisar la Guía de Aprendizaje, para tener conocimiento y
desempeñarse activamente durante el desarrollo de la clase, teniendo en
consideración las fechas para la presentación de las actividades académicas.
 El participante en la primera sesión de clases debe participar en el Foro Informativo
donde participaran en la Presentación del Estudiante y en la Socialización del Silabo.
 El participante puede realizar consultas sobre la clase mediante la utilización del foro
de consulta, por este medio el docente responderá a sus interrogantes.
 El participante debe descargar los recursos de la clase para su análisis y revisión para
una posterior evaluación.
 El participante podrá acceder a las actividades de seguimiento al estudiante de
acuerdo a los lineamientos respectivos.
 En cuanto a la investigación, los trabajos elaborados por los estudiantes estarán
orientados al desarrollo de habilidades para la investigación científica; demostrando
originalidad y transparencia de las fuentes de información con citas y referencias
bibliográficas, según la Norma APA. El porcentaje de similitud de los trabajos
presentados por los participantes no deberá superar el 30% del documento.
4. PROCESO DE APRENDIZAJE

Sesión de clase N° 04

a. Propósito didáctico

Capacidad : Describir el funcionamiento de un transistor BJT y FET

Tema : Transistores BJT y FET
Logro de aprendizaje : Describe el funcionamiento de un transistor BJT y FET
Resultado : Esquema descriptivo o tabla comparativa

b. Proceso didáctico

El proceso aprendizaje estará conformado por tres instancias según la estructura de la

asignatura en el aula virtual:
Acción
Instancias Actividades Descripción
Sí No
Información - Participación activa en la X Videoconferencia: Martes 27
videoconferencia. de setirmbre. 16:10 Hrs.
- Revisión del material didáctico de la X Guía de Aprendizaje
clase.
Actividades - Participación en el foro. X Tema discusión: Martes 27
de setiembre. 16:10 Hrs.
- Desarrollo y presentación de tareas. X Casos prácticos: Martes 27
de setiiembre. 16:10 Hrs.
- Desarrollo de cuestionarios. Evaluación: fecha y hora
Recursos - Revisión de material complementario. X Recursos adicionales del tema

c. Evaluación

Criterio Indicador Instrumento

Describir el funcionamiento de
un transistor BJT y sus
configuraciones.
Analizar la recta de carga de un
transistor BJT.
Comparar el funcionamiento de
un transistor BJT y FET
Describe el funcionamiento de un Tarea plataforma Virtual
transistor BJT y sus Moodle
configuraciones.
Analiza la recta de carga de un
transistor BJT.
Compara el funcionamiento de un
transistor BJT y FET

d. Bibliografía

Autor Año Titulo Fuente

Valencia, G 201 Fundamentos de Electrónica https://www.academia.edu/19057826

3 Industrial /Fundamentos_de_Electronica_I

ndustrial_Hernan_Valencia_Gallon_po
tencia

e. Anexos
 Material de clase: según esquema de clase establecido (título, agenda, introducción,
desarrollo, evaluación, recursos complementarios).
 EL TRANSISTOR
Un transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales donde la señal en uno
de los terminales controla la señal en los otros dos. Se construyen principalmente de
Silicio o Germanio.
Se utilizan en la amplificación de señales, fuentes de poder reguladas y como switches o
interruptores.
Se tienen varios tipos de transistores, los cuales se pueden ubicar en dos grupos:
• BJT: Transistor Bipolar de Unión
• FET: Transistor de Efecto de Campo
 TRANSISTOR BJT
• El transistor bipolar de unión (BJT, por sus siglas en ingles: Bipolar
Junction Transistor) es también conocido como transistor de unión.
Como su nombre lo indica, es un dispositivo de tres terminales, dos
uniones y doble polaridad.
• Está formado por la unión de material tipo P y tipo N a manera de
capas, dando así la clasificación del BJT en NPN y PNP, tal como
muestra la figura.
 …TRANSISTOR BJT
Las capas de los extremos (de mayor
espesor), corresponden a los terminales E y
C. La capa central, de menor espesor,
corresponde al terminal B.
La capa asociada al terminal Emisor posee
el mayor nivel de impurezas, lo que indica
alta conductividad debida a los portadores
mayoritarios. La capa asociada al terminal
Colector está menos dopada que la capa
Emisor, por lo cual es un poco menos
conductiva que esta última. La capa
asociada al terminal Base posee un ligero
nivel de impurezas, lo que indica que esta
capa tiene una alta resistencia para los
portadores mayoritarios, es decir, es una
capa de baja conductividad.
 OPERACIÓN DEL BJT
• La operación del transistor se logra con la polarización de cada unión PN o NP
del dispositivo. Dependiendo del tipo de polarización (directa o inversa) de cada
unión, se tendrá al transistor operando en una zona de trabajo específica de
acuerdo a la tabla.

La ubicación del transistor en la zona activa, permite el uso del dispositivo como
amplificador de señales, por tal razón se hará énfasis en esta zona de operación.
 Operación del BJT PNP en zona activa
• La unión E-B está polarizada directamente y la barrera
de potencial en la unión es estrecha, lo que permite la
conductividad debida a los portadores mayoritarios del
material tipo P al material tipo N, tal como muestra la
figura.

• La unión B-C está polarizada inversamente y no hay

conducción debido al flujo de portadores
mayoritarios, pero si se presenta un flujo de
portadores minoritarios del material tipo N al
material tipo P, tal como indica la figura.
 Operación del BJT PNP en zona activa
• En vista de que la capa asociada al terminal Base tiene
muy baja conductividad, muy pocos portadores
mayoritarios irán hacia ese terminal. La mayor parte
de los portadores mayoritarios que vienen de la unión
E-B, al llegar al material tipo N de la unión B-C se
convierten en portadores minoritarios que provocan la
conductividad en esta unión polarizada inversamente.

Se puede resumir entonces que en un BJT PNP

la conductividad (corriente) se presenta desde
el terminal Emisor hacia el terminal Colector
con una muy baja corriente hacia el terminal
Base. La figura ilustra las corrientes en el BJT
PNP.
 Operación del BJT NPN en zona activa
• En el BJT NPN el sentido de las corrientes a
través del dispositivo lleva el sentido contrario
al del BJT PNP. La figura muestra la polarización
de las uniones, el efecto sobre la barrera de
potencial de cada unión, el flujo de portadores,
así como también el sentido de las corrientes
en el dispositivo.
La corriente en un BJT NPN se presenta de Colector a Emisor con muy poca
corriente a través del terminal Base, pero observando la figura , se puede concluir
que en un BJT NPN se sigue cumpliendo la ecuación de corrientes del BJT PNP, por
lo cual la ecuación se conoce en general como: “Ecuación de corrientes del BJT”.
IE = IB + IC
 SÍMBOLO CIRCUITAL DEL BJT
El símbolo circuital para el BJT
NPN y el BJT PNP es similar,
diferenciándose entre ellos por
el sentido de la corriente en
cada dispositivo. La figura
muestra los símbolos del BJT.
La ecuación de corrientes en el BJT es: IE = IB +
IC , La corriente IB es muy pequeña, debido a la
baja conductividad de la capa Base, lo que hace
que IE ≈ IC con IE > IC , por los niveles de
impurificación de las capas Emisor y Colector.
Entonces: IE >> IB e IC >> IB
La relación entre las corrientes en el BJT Indican
que el mismo es un dispositivo
controlado por corriente, ya que una corriente
muy pequeña (IB) controla una corriente
mayor (IE, IC), lo que permite expresar al
dispositivo como un amplificador de señales.
 BJT COMO AMPLIFICADOR DE SEÑALES
• Un amplificador es un dispositivo que eleva o aumenta la magnitud
de una señal de entrada sin modificar su forma de onda.

Dependiendo del terminal que se tome común a los otros dos, se tendrá una
configuración específica del transistor para su uso como amplificador. Estas
configuraciones son:
• Configuración Base Común
• Configuración Emisor Común
• Configuración Colector Común
 CONFIGURACIÓN BASE COMUN
•

• Existe una relación de proporcionalidad entre la

corriente de salida (IC) y la corriente de entrada (IE) en
la configuración base común: IE ≈ IC. La relación de
proporcionalidad entre estas dos corrientes viene dada
por el factor de amplificación de corriente de base
común (α).
• l valor de α se evalúa en c.c., es decir para voltaje de
salida constante como:
•

Esta configuración no produce ganancia de corriente, pero si de tensión. En la configuración base común,
los valores de corriente de salida, “amplificación”, o mejor dicho es “reducción” siempre son menores a 1
(No quiere decir que tendremos corrientes de 1 A, sino que la corriente de colector base será menor a la
corriente de emisor base ejemplo IE = 7 puede originar una corriente IC = 6.9, siendo la entrada de señal
en el emisor y el colector la salida, VCB, la cual está en fase con respecto a la
entrada VEB.
 CONFIGURACIÓN EMISOR COMUN
• La relación de proporcionalidad entre la corriente de
salida (IC) y la corriente de entrada (IB) en la
configuración emisor común viene expresada por el
factor de amplificación de corriente de emisor común
(β).
• El valor de β se mide en c.c. para un punto de
operación estático del transistor (salida fija) como:

El valor de β puede relacionarse con el valor de α a partir de la ecuación de

Corrientes del BJT.

Por otro lado, esta configuración tiene una salida desfasada con respecto a la entrada.
 CONFIGURACIÓN COLECTOR COMUN

En la configuración de colector la amplificación de corrientes es similar a la que realiza la

configuración emisor común con la diferencia de que en la configuración collector común la
salida está en fase con la entrada. La ganancia de Voltaje es ligeramente menor que la unidad.
Se caracteriza por tener una elevada impedancia de entrada y una baja impedancia de salida,
lo que permite el uso de esta configuración como convertidor de impedancias y como aislador.
La figura muestra una configuración del BJT NPN en colector común. Obsérvese que el colector
se encuentra conectado a la tierra aunque el transistor esté conectado de manera similar a la
configuración del emisor común.
 CURVA CARÁCTERÍSTICA DEL BJT
• El comportamiento del BJT se
representa gráficamente a través
de dos curvas: Curva de entrada y
Curvas de Salida. Estas curvas
características del BJT son propias
de cada configuración.
• La curva de entrada relaciona la
corriente de entrada con el voltaje
de entrada para mostrar
gráficamente el voltaje de salida.
La figura 12 muestra una curva de
entrada general.
 CURVA CARÁCTERÍSTICA DEL BJT
• Las curvas de salida,
relaciona la corriente de
salida con el voltaje de
salida para los diferentes
valores de corriente de
entrada constante. Cada
curva de salida
corresponde a una curva
de corriente de entrada
constante. La figura
muestra un juego de
curvas de salida general.
 LÍMITES DE OPERACIÓN DEL BJT
• En las curvas de salida del
transistor BJT se pueden
identificar las zonas de
operación del transistor:
corte, saturación, activa e
invertida; tal como indica
la figura, donde se
muestra el juego de
curvas de salida para un
BJT en configuración
Emisor Común.
•
ESPECIFICACIONES DEL BJT- FABRICANTE
• VCEO: Máximo voltaje de colector a emisor en la zona lineal.
• VBEO: Máximo voltaje de base a emisor.
• ICBO: Máxima corriente en la zona de corte.
• ICBmax: Máxima corriente de colector a base en la zona lineal.
• Pdmax: Potencia máxima disipada por el dispositivo.
• Tjmax: Temperatura máxima permitida en cada unión del BJT.
• TCO: Máxima temperatura en la carcaza del transistor, por debajo de la
cual se tiene Pdmax.
• β o hfe: Factor de amplificación de corriente en emisor común.
• α : Factor de amplificación de corriente en base común.